公开(公告)号：CN1168153C

公开(公告)日：2004-09-22

申请号：CN00108556.5

申请日：2000-05-15

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 松原秀树 ,  片山浩二 ,  三枝明彦

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/40 ,  H01L33/28 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014

Abstract: 一种发光器件(1)包括LED芯片(3)。LED芯片(3)经In或In合金的导电层(9)安装到电极座上。导电层(9)与LED芯片(3)的n型ZnSe晶体基底(7)是欧姆型接触。

公开(公告)号：CN1274177A

公开(公告)日：2000-11-22

申请号：CN00108556.5

申请日：2000-05-15

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 松原秀树 ,  片山浩二 ,  三枝明彦

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/40 ,  H01L33/28 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014

Abstract: 一种发光器件(1)包括LED芯片(3)。LED芯片(3)经In或In合金的导电层(9)安装到电极座上。导电层(9)与LED芯片(3)的n型ZnSe晶体基底(7)是欧姆型接触。

公开(公告)号：CN1290967A

公开(公告)日：2001-04-11

申请号：CN00119932.3

申请日：2000-07-03

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 片山浩二 ,  松原秀树 ,  三枝明彦

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/40 ,  H01L33/28 ,  H01L33/42

Abstract: 一种ZnSe基LED内部设置一注入电流限制区域,用于通过限制用于光发射的注入电流而限制缺陷的增加。当一光传送Au电极(9)的一端从一解理面(13)分离开来时,一靠近解理面(13)的区域充作注入电流限制区域。