公开(公告)号：CN103155726A

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN201180048550.5

申请日：2011-09-27

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 齐藤裕久 ,  松原秀树 ,  赤羽良启 ,  山崎智 ,  中林诚

IPC: H05K3/28 ,  C08J7/00 ,  C08J7/04 ,  F21V19/00 ,  H01L33/48 ,  H05K1/02 ,  H05K3/38

CPC classification number: C08J7/06 ,  C08J7/045 ,  C08J2327/18 ,  H01L33/60 ,  H05K1/0274 ,  H05K1/189 ,  H05K3/285 ,  H05K2201/10106 ,  H05K2201/2054 ,  H05K2203/095

Abstract: 本发明公开了具有优异的柔性并具有漫反射白色表面（白色表面）的柔性印刷电路板，其中所述白色表面即使受到光、包括短波长光的照射时也不易变色，具有高度耐光劣化性，即使在高温环境中也不易变色，并具有优异的耐热劣化性。所公开的白色反射柔性印刷电路板包括柔性印刷电路板以及包括白色反射材料层的表面，其中所述白色反射材料层由含有氟树脂和无机白色颜料的树脂组合物形成。照明设备包括白色反射柔性印刷电路板和安装在其白色反射材料层的表面上的LED。

公开(公告)号：CN101040409B

公开(公告)日：2010-05-26

申请号：CN200580034733.6

申请日：2005-12-06

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 吉本晋 ,  松原秀树 ,  齐藤裕久 ,  三崎贵史 ,  中西文毅 ,  森大树

IPC: H01S5/18 ,  H01S5/12

CPC classification number: H01S5/18 ,  B82Y20/00 ,  G02B6/1225 ,  H01S5/105 ,  H01S5/34333 ,  H01S2301/14 ,  H01S2304/04 ,  H01S2304/12

Abstract: 一种半导体激光器件(1)，包括：具有主面(3a)的衬底(3)；在其中主面(3a)延伸的方向上具有在衬底(3)上形成的氮化镓外延层(2a)和低折射率材料(2b)的光子晶体层(7)，该低折射率材料(2b)具有低于外延层(2a)的折射率；衬底(3)上形成的n-型敷层(4)；衬底(3)上形成的p-型敷层(6)；插入n-型敷层(4)和p-型敷层(6)之间且当往其中注入载流子时发光的有源层(5)；以及覆盖直接位于光子晶体层(7)上的区域的GaN层(12)。因此，可以在没有熔化工序的条件下，制造该半导体激光器件。

公开(公告)号：CN1134037A

公开(公告)日：1996-10-23

申请号：CN95120460.2

申请日：1995-12-22

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 三浦祥纪 ,  藤田庆一郎 ,  竹本菊郎 ,  松岛政人 ,  松原秀树 ,  高岸成典 ,  关寿 ,  纐缬明伯

IPC: H01L21/36

CPC classification number: H01L33/025 ,  H01L21/02392 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/0075

Abstract: 本发明提供了可以使用在诸如发光元件等中的高性能的外延片，以及可工业化制造该外延片的方法。外延片具有由GaAs，GaP，InAs，InP形成的组中选出的化合物半导体基板1，形成在基板1上的厚度为10毫微米～80毫微米的由GaN构成的缓冲层2，形成在缓冲层2上的含有GaN的外延层3。用有机金属氯化物气相外延生长法，在第一温度下形成缓冲层2，用有机金属氯化物气相外延生长法，在比第一温度高的第二温度下形成外延层3。

公开(公告)号：CN102893707B

公开(公告)日：2016-02-03

申请号：CN201180019703.3

申请日：2011-06-07

Applicant: 住友电气工业株式会社 ,  住友电工印刷电路株式会社

Inventor： 赤羽良启 ,  松原秀树 ,  齐藤裕久 ,  松村裕之 ,  鬼头和宏 ,  奥山浩

IPC: H05K1/02

CPC classification number: H05K1/0203 ,  H05K1/028 ,  H05K3/0044 ,  H05K3/0061

Abstract: 本发明的课题在于提供一种挠性基板模块，其使用挠性基板，且对搭载的热源的散热性十分优良，并且柔软性、集成性也非常优良。挠性基板模块（1），作为在挠性绝缘基材（11）的表面侧层叠的表面层，形成印刷配线层（12），并且在该印刷配线层（12）上搭载热源（14），面接触地安装于作为安装对象的框体K上，其特征在于，作为在前述挠性绝缘基材（11）的背面侧层叠的背面层，其层叠多层由高导热材料构成的热扩散促进层（21、23），用于促进从前述热源（14）向印刷配线层（12）传热的热点面积朝向前述作为安装对象的框体K而扩大。

公开(公告)号：CN101501946A

公开(公告)日：2009-08-05

申请号：CN200780029934.6

申请日：2007-05-21

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 松原秀树 ,  齐藤裕久 ,  中西文毅 ,  松川真治

IPC: H01S5/183 ,  H01S5/323

CPC classification number: H01S5/18369 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0206 ,  H01S5/0215 ,  H01S5/105 ,  H01S5/18308 ,  H01S5/18341 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/34333 ,  H01S5/423 ,  H01S2301/173

Abstract: 一种表面发射激光元件(1)的制造方法，包括：制备导电性GaN多区域衬底作为导电性GaN衬底(10)的步骤，所述衬底包括高位错密度高电导区(10a)、低位错密度高电导区(10b)和低位错密度低电导区(10c)；在衬底上形成多个包括发射层(200)的III－V族化合物半导体层堆叠体(20)的半导体层堆叠体形成步骤；以及形成半导体侧电极(15)和衬底侧电极(11)的电极形成步骤。半导体层和电极被形成为使得发射层(200)中载流子流入的发射区(200a)位于低位错密度高电导区(10b)的跨度内的上方。因此，能以良好的成品率得到在发射区中具有均匀的发光的表面发射激光元件。

公开(公告)号：CN101369714A

公开(公告)日：2009-02-18

申请号：CN200810210649.0

申请日：2008-08-13

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 吉本晋 ,  松原秀树

IPC: H01S5/10 ,  H01S5/323

CPC classification number: H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/1017 ,  H01S5/105 ,  H01S5/1231 ,  H01S5/2009

Abstract: 含有光子晶体构造的半导体激光器的制造方法，上述光子晶体构造具有空孔的排列，在该方法中，将基板(W2)设置在生长炉(13)中，使载气(氮)流动的同时，将生长炉(13)的温度上升到生长温度TG。在升温过程中，形成了图案的InGaN层(17a)的开口(17b)受到影响，开口(17b)中的AlX2Ga1－X2N生长及迁移和AlX2Ga1－X2N的表面相比被抑制。将氮化镓系半导体层(23)(例如GaN层)形成在InGaN层(17a)上。氮化镓系半导体层(AlX2Ga1－X2N)(23)以形成和开口(17b)对应的空孔(25)的方式生长。由此形成二维光子晶体的二维衍射光栅(26)。

公开(公告)号：CN1082255C

公开(公告)日：2002-04-03

申请号：CN96104423.3

申请日：1996-03-27

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 三浦祥纪 ,  松原秀树 ,  松岛政人 ,  关寿 ,  纐缬明伯

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/32 ,  H01L33/0075 ,  Y10S438/925

Abstract: 一种化合物半导体发光器件包括：GaAs衬底；形成在衬底上的包括GaN的缓冲层，其厚度为10nm至80nm；形成在缓冲层上的包括AlGaN(0≤x＜1)的外延层；位于缓冲层和外延层之间的界面上的极薄的平面；形成在外延层上的发光层；以及形成在发光层上的覆盖层。在第一温度下通过有机金属氯化物气相外延形成缓冲层，而在高于第一温度的第二温度下通过有机金属氯化物气相外延形成外延层。最好包括InGaN(0＜y＜1)的发光层掺有Mg。

公开(公告)号：CN1241821A

公开(公告)日：2000-01-19

申请号：CN99110302.5

申请日：1999-07-08

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 松原秀树 ,  片山浩二 ,  武部敏彦

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/08 ,  H01L33/20 ,  H01L33/58 ,  H01L33/60 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

Abstract: 一种白色或中性色LED,具有掺杂I、Al、Cl、Br、Ga、In作为SA发射中心的n型ZnSe单晶衬底和包括ZnSe、ZnCdSe或ZnSeTe有源层和p－n结的外延膜结构。有源层发射蓝或蓝绿光。ZnSe衬底中的SA发射中心将蓝或蓝绿光转变为黄或橘黄SA光发射。来自外延膜结构的蓝或蓝绿光和来自ZnSe衬底的黄或橘黄光合成为白色光或红和蓝之间的中性色光。

公开(公告)号：CN103180935A

公开(公告)日：2013-06-26

申请号：CN201180051185.3

申请日：2011-11-22

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 木山诚 ,  松原秀树 ,  冈久拓司

IPC: H01L21/338 ,  C23C16/34 ,  H01L21/205 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/2003 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02581 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/812

Abstract: 本复合GaN衬底（1）包括：导电GaN衬底（10），其具有小于1Ωcm的电阻率；和半绝缘GaN层（20），其设置在导电GaN衬底（10）上，具有1×104Ωcm或更大的电阻率，且具有5μm或更大的厚度。该III族氮化物半导体器件（2）包括：上述复合GaN衬底（1）；和至少一个III族氮化物半导体层（30），其设置在复合GaN衬底（1）的半绝缘GaN层（20）上。由此获得具有改进特性和合理成本的复合GaN衬底（1）和半导体器件（2）。

公开(公告)号：CN102959677A

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN201180030507.6

申请日：2011-11-10

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 佐藤一成 ,  关裕纪 ,  上松康二 ,  山本喜之 ,  松原秀树 ,  藤原伸介 ,  吉村雅司

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L33/007 ,  H01L21/76256 ,  H01L33/0079

Abstract: 本发明提供一种制造GaN基膜的方法，所述方法包括：准备复合衬底(10)的步骤，所述复合衬底包含支持衬底(11)和布置在所述支持衬底(11)的主表面(11m)侧的单晶膜(13)，在所述支持衬底(11)中在主表面(11m)中的热膨胀系数大于GaN晶体在a轴方向上的热膨胀系数的0.8倍且小于其1.2倍，所述单晶膜(13)相对于垂直于所述单晶膜(13)的主表面(13m)的轴呈三重对称；和在所述复合衬底(10)中的所述单晶膜(13)的所述主表面(13m)上形成GaN基膜(20)的步骤。由此，提供了一种制造GaN基膜的方法，所述方法能够制造具有大的主表面积和较小翘曲的GaN基膜。