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公开(公告)号：CN115421230A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202211216915.7
申请日：2022-09-30
Applicant: 北京邮电大学
IPC: G02B3/00 , G02B7/02 , H01L31/0232
Abstract: 本发明涉及一种具有支撑结构的集成微透镜及其制备方法，方法包括准备衬底、大孔径光刻版和微透镜直径的光刻版，在衬底上生长掩膜；在掩膜表面匀胶，用大孔径光刻版进行曝光，对衬底进行显影；对显影后的衬底进行掩膜开孔处理，进行高温ICP刻蚀；对高温ICP刻蚀后的衬底进行第二次匀胶，用微透镜直径的光刻版对第二次匀胶的衬底进行第二次曝光，对衬底进行第二次显影；对第二次显影后的衬底进行光刻胶热熔，形成微透镜形貌的胶型；对热熔后的衬底进行低温ICP刻蚀，将光刻胶的微透镜形貌复制到衬底上。本发明实现了受周围支撑的集成微透镜结构，制备过程周围支撑结构无需采取特殊防护处理，提高光探测器的光敏面积，有利于集成和封装。
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公开(公告)号：CN110544732A
公开(公告)日：2019-12-06
申请号：CN201910807033.X
申请日：2019-08-29
Applicant: 北京邮电大学 , 河北光森电子科技有限公司
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0304 , H01L31/109
Abstract: 本发明实施例提供一种单行载流子光电二极管，该单行载流子光电二极管通过将传统的收集区中的部分结构进行湿氮氧化工艺，获得部分氧化型收集区。由于经氧化工艺的部分结构形成的氧化物绝缘层的折射率较低，因此降低了单行载流子光电二极管的寄生结电容，减小了RC时间常数，由此提高了单行载流子光电二极管的响应速度。
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公开(公告)号：CN102050426A
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200910237082.0
申请日：2009-11-10
Applicant: 北京邮电大学
IPC: B82B3/00
Abstract: 本发明提供一种基于组分变化结构的异质兼容纳米线的外延生长方法，其中纳米线由不同晶格常数的各种材料的沿单一轴向串接而成，所述方法包括如下步骤：a.在衬底上形成金属纳米颗粒；b.以所述金属纳米颗粒作为催化剂，在所述有金属颗粒的位置，生长出第一种材料的纳米线；c.在所述第一种材料纳米线上继续生长出晶格常数逐渐改变的纳米线缓冲段；d.然后生长第二种材料的纳米线。本发明利用组分变化结构的晶格常数变化特性，实现不同晶格常数材料纳米线的单一轴向可控生长。本发明能成功解决晶格失配的纳米线材料间外延生长的问题，为实现新型纳米线光电子器件提供新思路。
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公开(公告)号：CN113555454B
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202110736248.4
申请日：2021-06-30
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L31/0232 , H01L31/109
Abstract: 本发明公开了一种光探测器，自上而下包括光反射单元、光探测单元和滤波单元，光反射单元的中心、光探测单元的中心与滤波单元的中心位于同一直线上，光反射单元、光探测单元以及滤波单元关于直线镜像对称，光反射单元包含对称斜反射结构，对称斜反射结构的反射率不小于预设反射率，对称斜反射结构的斜反射角度不小于预设角度，光探测单元包含光吸收层，滤波单元包含第一反射镜和第二反射镜，第一反射镜和第二反射镜平行相对放置。本发明通过多次吸收增强效应和独立的滤波选择特性，极大缓解了量子效率、响应速度和光谱线宽三者之间的相互制约关系，实现易集成、超窄光谱线宽、大调谐范围、高量子效率和高响应速度等特性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111223955B
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN201911050883.6
申请日：2019-10-31
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L31/105 , H01L31/0216 , H01L31/0352
Abstract: 本发明涉及光电子技术领域，提供了一种具有微孔的波导耦合结构的光探测器，包括柱状的衬底以及在衬底的顶面沿轴向设置的多个外延层，多个外延层包括吸收层，沿衬底的轴向方向贯穿吸收层开设若干锥形孔；至少在一个锥形孔的外侧壁与吸收层的顶面和/或底面的接触处布置低折射率材料，用于与吸收层形成强耦合波导结构。本发明提供的具有微孔耦合结构的光探测器，通过设置若干锥形孔，减小了吸收层中有源区的面积，降低了充电时间常数，提高了光探测器的响应速率；另外，形成的强耦合波导结构，可以使得进入锥形孔的入射光经其内侧壁折射后进入吸收层，并在吸收层中横向传输，增加了光程，提高了量子效率。
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公开(公告)号：CN113555454A
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN202110736248.4
申请日：2021-06-30
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L31/0232 , H01L31/109
Abstract: 本发明公开了一种光探测器，自上而下包括光反射单元、光探测单元和滤波单元，光反射单元的中心、光探测单元的中心与滤波单元的中心位于同一直线上，光反射单元、光探测单元以及滤波单元关于直线镜像对称，光反射单元包含对称斜反射结构，对称斜反射结构的反射率不小于预设反射率，对称斜反射结构的斜反射角度不小于预设角度，光探测单元包含光吸收层，滤波单元包含第一反射镜和第二反射镜，第一反射镜和第二反射镜平行相对放置。本发明通过多次吸收增强效应和独立的滤波选择特性，极大缓解了量子效率、响应速度和光谱线宽三者之间的相互制约关系，实现易集成、超窄光谱线宽、大调谐范围、高量子效率和高响应速度等特性。
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公开(公告)号：CN113257942A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202110449838.9
申请日：2021-04-25
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L31/102 , H01L31/0224 , H01L31/0304 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供一种基于双吸收层结构的光探测器及其制备方法，所述光探测器包括：由下至上依次形成的半绝缘InP衬底、InP缓冲层、刻蚀停止层、N接触层、收集层、第一带隙渐变的间隔层、第二带隙渐变的间隔层、双吸收层、第一组分与浓度渐变的电子阻挡层、第二组分与浓度渐变的电子阻挡层、P接触层、形成在所述刻蚀停止层上的n型接触电极以及形成在所述P接触层上的P型接触电极；所述双吸收层的厚度大于1μm，所述双吸收层为本征的光吸收层和P型光吸收层；本发明提供的光探测器具有高响应度、高带宽和低结电容等特点；同时相关工艺具有低成本、工艺简单、易于实现等优点。
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公开(公告)号：CN112234097A
公开(公告)日：2021-01-15
申请号：CN202011052522.8
申请日：2020-09-29
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L29/45 , H01L31/0224 , H01L31/0304 , H01L31/10 , H01S5/042
Abstract: 本发明属于光电子半导体技术领域，具体涉及一种非特意掺杂III‑V族半导体的欧姆接触结构及其制备方法与应用。所述欧姆接触结构包括：非特意掺杂III‑V族半导体层，及其表面的氧化镍层。本发明首次提出以氧化镍层与非特意掺杂III‑V族半导体层形成欧姆接触结构，成功解决了非特意掺杂III‑V族半导体材料难以直接形成良好的欧姆接触特性的技术问题。同时，本发明利用氧化镍薄膜的透明导电特性，将其作为III‑V族半导体有源器件的电极，有效解决传统接触电极在光耦合时阻挡信号光、降低光耦合效率和减小有效有源区域面积的技术问题。
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公开(公告)号：CN109873296B
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN201910234625.7
申请日：2019-03-26
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本发明实施例提供一种垂直腔面发射激光器芯片及制作方法，采用相应的第二多层材料膜反射镜层和金属反射镜层构成的组合反射镜作为VCSEL的非出光面(底面)反射镜，并且第二多层材料膜反射镜层的对数少于由第一多层材料膜反射镜层构成的VCSEL的(顶面)出光面反射镜的对数，第二多层材料膜反射镜层的反射率低于第一多层材料膜反射镜层的反射率。采用的上述组合反射镜代替了传统的垂直腔面发射激光器芯片第二包层下面的分布式布拉格反射镜构成的底面反射镜，可以在较少的材料膜反射镜层对数的情况下获得所需的高反射率，同时可以减少相应的材料应力和串联电阻，在减小器件制作工艺难度的情况下提升器件的性能。
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