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公开(公告)号：CN102583536A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210023058.9
申请日：2012-02-02
Applicant: 南通大学
Abstract: 本发明涉及一种具有大比表面积的五氧化二钒材料及其制备方法。所述五氧化二钒V2O5材料，由若干管状纳米晶体无规则地交织连接形成，所述管状纳米晶体的管壁由单晶颗粒相互连接而成，所述颗粒间存有孔洞。上述材料的制备是采用化学气相沉积法，通过CVD制备系统，以乙酰丙酮氧钒（VO(acac)2）为原料，放入蒸发器使其形成的蒸汽与载气中氧气在一定温度下反应合成V2O5多孔纳米结构。其优点是所述V2O5材料具有大的比表面积；作为Li电池阴极材料具有很好的循环性、快速的Li离子电化学动力学行为和大存储容量；其合成的工艺简单，但材料纯度提高，且产量大、能耗低，适合大规模工业生产，具有很好的应用前景。
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公开(公告)号：CN101866839B
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN201010179894.7
申请日：2010-05-24
Applicant: 南通大学
IPC: H01L21/268 , H01L21/318
Abstract: 本发明涉及一种应用掩膜保护进行激光快速加热方法。首先将多晶硅衬底的硅片置于PECVD沉积装置完成非晶硅薄膜淀积；然后进行氮化硅薄膜的淀积，形成氮化硅薄膜的掩膜；将含有所述掩膜的非晶硅薄膜置于具有惰性气体的保护性性容器中，用波长为1.00～1.10微米的脉冲激光，通过调整光斑尺寸，使之产生正离焦量方向的一个1×1cm2的光斑，用以对所述薄膜加热进行结晶退火，在保持输出功率不变的情况下，通过调节脉冲频率，达到薄膜外延生长的晶粒尺寸要求，再用氢氟酸水溶液去除氮化硅保护层。本发明使薄膜外延晶粒可控，且通过淀积形成掩膜防薄膜氧化，并通过对激光的增透能力提高激光在衬底中的能量利用率，以降低激光的耗能，提高了薄膜的质量，优化了激光洁净工艺。
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公开(公告)号：CN116605905B
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202310636536.1
申请日：2023-05-31
Applicant: 南通大学
Abstract: 本发明公开了一种二氧化铪纳米材料、正极片及钠碲电池，属于电池技术领域。所述二氧化铪纳米材料由二氧化铪纳米片相互交叉连接构成簇状结构；所述二氧化铪纳米片的晶体结构为正交晶系，所述二氧化铪纳米片的形状为圆形，片径为200～400nm，厚度为5～10nm，所述二氧化铪纳米材料用于正极片，所述正极片用于钠碲电池，所述二氧化铪纳米片的尺寸和厚度，可以有效提高钠碲电池性能，利用氢氧化钾溶解沉降法，进一步提升钠碲电池的性能和稳定性，通过合适的压实密度提高电池的循环稳定性。
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公开(公告)号：CN119246625A
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202411198273.1
申请日：2024-08-29
Applicant: 南通大学
IPC: G01N27/12 , C23C16/455
Abstract: 本发明提供一种适用于户外环境使用的湿度传感器，以应对户外恶劣环境和降低功耗。其外壳具有微孔通道，贯通外壳的内表面和外表面，进而使得气体可在外壳的内外穿过，提高了湿度传感器的灵敏度和响应速度。封闭外壳有助于维持传感器内部的温湿度稳定，减少外部环境变化对传感器内部条件的影响，减少外界空气流动对传感器内部环境的影响，降低因对流或辐射造成的热量交换，从而减少内部温度和湿度的波动。透气孔允许环境空气直接与传感器接触，这样可以快速地将传感器的湿度读数与环境湿度相匹配，从而减少响应时间。
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公开(公告)号：CN116907442A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310949420.3
申请日：2023-07-28
Applicant: 南通大学
Abstract: 本发明公开了一种光学倾角传感器及倾角检测方法，属于光学传感器领域。该光学倾角传感器包括待测工件、激光器、偏光镜、共振调制模块、聚光器和光电转换器，激光器用于产生单色入射光；偏光镜用于过滤所述单色入射光中s偏振单色光且让p偏振单色光通过；共振调制模块用于接收所述p偏振单色光照射在待测工件上形成的反射光并对反射光的强度进行调制生成反射光强度模拟信号；所述光电转换器用于将发射光强度模拟信号转换成数字信号。本发明解决了目前高精度光学传感器抗环境干扰信号能力差、非线性信号响应和光学传感器部件尺寸大的技术难题，实现在更小的器件尺寸上对待测工件的倾角的高精度抗干扰检测。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116605905A
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202310636536.1
申请日：2023-05-31
Applicant: 南通大学
Abstract: 本发明公开了一种二氧化铪纳米材料、正极片及钠碲电池，属于电池技术领域。所述二氧化铪纳米材料由二氧化铪纳米片相互交叉连接构成簇状结构；所述二氧化铪纳米片的晶体结构为正交晶系，所述二氧化铪纳米片的形状为圆形，片径为200～400nm，厚度为5～10nm，所述二氧化铪纳米材料用于正极片，所述正极片用于钠碲电池，所述二氧化铪纳米片的尺寸和厚度，可以有效提高钠碲电池性能，利用氢氧化钾溶解沉降法，进一步提升钠碲电池的性能和稳定性，通过合适的压实密度提高电池的循环稳定性。
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公开(公告)号：CN113325044B
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202110270319.6
申请日：2021-03-12
Applicant: 南通大学
IPC: G01N27/22
Abstract: 本发明属于材料性能测试技术领域，提供了一种介电温谱测试方法。本发明提供的方法在待测对象的温度随时间变化的过程中，持续测量待测对象的介电特性，记录不同温度下的介电频谱，由此获取待测对象的介电温谱。该方法仅需一个温度升高或降低的过程，即可得到薄膜的介电温谱，无需繁琐地在每一个测试温度点下停留一段时间，极大地降低了科研人员的人力成本。由于本发明的方法，薄膜的温度连续、线性地上升或下降，整个过程持续不断，由计算机自动地测量和记录数据，因此，从理论上说，本发明的一个测试的过程所得到的温频参数，即相当于大量的温度点下测量得到的工作频率特性。
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公开(公告)号：CN112697842B
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202011430106.7
申请日：2019-01-30
Applicant: 南通大学
Abstract: 本发明涉及一种用于fA～pA量级微弱电流测量ASIC，具有十个引脚，第一引脚为信号输入引脚，用于输入待测电流；第七引脚为电源地引脚；第十引脚为电源正极引脚；第二、三、四、五、六、八、九引脚为功能引脚，用于连接ASIC外围元件；第五引脚作为信号输出引脚，用于输出放大后的电压，并连接至中间放大器输入端；在ASIC内部，包括两个CMOS运算放大器构成的放大电路、四个CMOS传输门、七个CMOS反相器、三个电阻和两个电容；ASIC第七引脚连接至电源地端，ASIC第十引脚连接至电源正端；ASIC第一引脚为待测电流信号输入端，用于输入待测电流；ASIC第五引脚为放大电压信号输出端，用于输入放大的电压信号。
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公开(公告)号：CN112229878B
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN202010011995.7
申请日：2020-01-07
Applicant: 南通大学
Abstract: 本发明揭示了一种三电极结构的湿度传感器芯片，该湿度传感器芯片包括湿度敏感模块、测量电路模块、微处理单元MCU；湿度敏感模块包括湿度敏感材料、衬底、第一电极、第二电极和第三电极；湿度敏感材料、衬底、第一电极、第二电极和第三电极构成三电极结构的湿度敏感型电容‑‑电阻复合结构；第一电极、湿度敏感材料、衬底、第三电极构成电容器结构，湿度敏感材料、衬底为电容器的复合介电层；第二电极、湿度敏感材料、衬底、第三电极也构成电容器结构，湿度敏感材料、衬底为电容器的介电层；第一电极、湿度敏感材料、第二电极构成湿度敏感电阻（湿敏电阻）结构，湿度敏感材料作为湿度敏感电阻（湿敏电阻）的湿度敏感材料；所述衬底是具备压电效应的晶体材料。
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