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公开(公告)号：CN112750548B
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202110133386.3
申请日：2021-01-29
Applicant: 厦门大学
IPC: G21H1/06
Abstract: 一种放射性的三维纳米结构辐伏电化学电池，包括由衬底电极及其表面集成的半导体三维纳米结构共同组成的阳极、阴极以及填充在阳极和阴极之间的电解质，衬底电极、半导体结构和阴极至少之一具放射性，衬底电极可采用稳定元素被同类型的放射性同位素取代后的辐化衬底电极；半导体可采用稳定元素被同类型的放射性同位素取代后的辐化半导体；阴极可采用稳定元素被同类型的放射性同位素取代后的辐化阴极。放射性同位素产生的射线包括α粒子和β粒子，其与半导体相互作用产生大量的电子‑空穴对，在固液异质结构成的内建电场的作用下空穴与电解质发生氧化反应迁移至阴极，电子经由外电路转移到阴极与电解质发生还原反应，构成闭合回路产生输出电流。
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公开(公告)号：CN107945901B
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN201711436875.6
申请日：2017-12-26
Applicant: 深圳贝塔能量技术有限公司 , 厦门大学深圳研究院
Abstract: 本发明公开了一种量子点贝塔伏特电池，其包括置于底部电极(5)和顶部电极(1)之间的半导体纳米管阵列薄膜(4)，所述半导体纳米管的管内壁上涂有量子点层(7)，所述量子点层(7)上又涂有固态同位素辐射源层(3)，或者所述量子点层(7)所围成的管状空间填充有气态或液态同位素辐射源。本发明向半导体纳米管中引入量子点，提高了贝塔伏特电池的短路电流和开路电压以及能量转换效率。
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公开(公告)号：CN116715184A
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202310887313.2
申请日：2023-07-19
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种自封装温度自监测热红外发射芯片及其制备方法，包括硅基发光薄膜和玻璃基底；所述玻璃基底设有空腔，并与硅基发光薄膜通过阳极键合密闭；所述硅基发光薄膜同时也作为芯片有源结构的封装薄膜，实现芯片自封装目的；硅基发光薄膜从下至上包括加热电阻和测温电阻、隔离氧化硅层、硅器件层、红外辐射层；加热电阻与测温电阻设于隔离氧化硅层的表面，并密封于玻璃基底的空腔中，分别通过掩埋电极连接电极焊盘与外部相连，实现原位监测硅基发光薄膜的温度并避免加热电阻和测温电阻的氧化；隔离氧化硅层设于硅器件层的表面，红外辐射层置于硅器件层的另一表面；玻璃基底的背面和空腔底部设有红外反射层，用于把加热电阻产生的红外光反射回加热电阻。
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公开(公告)号：CN108267235A
公开(公告)日：2018-07-10
申请号：CN201810009046.8
申请日：2018-01-04
Applicant: 厦门大学
IPC: G01K7/00 , H01Q1/22 , C04B35/584 , C04B35/622
CPC classification number: G01K7/00 , C04B35/589 , C04B35/622 , C04B2235/656 , C04B2235/658 , C04B2235/662 , C04B2235/77 , H01Q1/225
Abstract: 加载贴片天线的SiCN无线无源温度传感器及制备方法，涉及一种温度传感器。传感器设有陶瓷温度敏感元件，在陶瓷温度敏感元件表面设有金属层并形成谐振腔，在谐振腔上表面金属层设有缝隙，在谐振腔上方设有陶瓷基贴片天线。制备圆柱形陶瓷温度敏感元件；制备圆柱形谐振腔；制备陶瓷基板贴片天线；制备无线无源温度传感器。无线无源温度传感器采用SiCN作为温度敏感元件，在温度敏感元件表面镀金属层形成谐振腔，在谐振腔上表面金属层开缝隙，在谐振腔上方加载陶瓷基贴片天线。由聚合物先驱体热解法制备的SiCN陶瓷温度敏感元件可耐1400℃以上，在谐振腔上方加载的陶瓷基耐高温贴片天线，其陶瓷基底和金属贴片能耐1000℃以上。
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公开(公告)号：CN106990262A
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN201710311987.2
申请日：2017-05-05
Applicant: 厦门大学
IPC: G01P15/08
CPC classification number: G01P15/08
Abstract: 一种热对流加速度计，包括密封腔体、加热元件、若干感温元件和测量电路，该密封腔体内填充有惰性气体；该加热元件悬空地安装于密封腔体中部以对惰性气体进行加热并产生热对流；该若干感温元件悬空于密封腔体内并围绕加热元件对称设置以根据温度变化输出不同阻值；该测量电路与感温元件相连构成惠斯通电桥，通过测量惠斯通电桥上的两点电压值变化结合比例关系得到加速度或倾斜角信号。本发明在继承了微机械热对流式加速度计优势的基础上，由于制造工艺简单，材料易获取，能够极大地降低热对流式加速度计的成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104200864B
公开(公告)日：2017-05-03
申请号：CN201410421891.8
申请日：2014-08-25
Applicant: 厦门大学
IPC: G21H1/06
Abstract: 一种基于宽禁带半导体纳米管阵列薄膜结构的同位素电池，涉及同位素电池。设有衬底、收集电极、半导体纳米管阵列薄膜和同位素辐射源，半导体纳米管阵列薄膜经过表面修饰和掺杂改性形成肖特基结或异质结，同位素辐射源位于半导体纳米管阵列薄膜的纳米管内，收集电极和衬底分别设于半导体纳米管阵列薄膜的上表面和下表面,将半导体纳米管阵列薄膜膜与分别镀有收集电极层的上下衬底封装。基于宽禁带半导体纳米管阵列薄膜结构的同位素电池可为单层同位素电池，或并联堆垛级联结构同位素电池，或串联堆垛级联结构同位素电池，或串并联堆垛级联结构同位素电池。采用高比表面积、垂直有序的纳米管结构和长半衰期的同位素辐射源，转换效率高。
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公开(公告)号：CN104101445B
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201410357668.1
申请日：2014-07-25
Applicant: 厦门大学
IPC: G01K11/00
Abstract: 一种SiCN陶瓷有线无源温度传感器及其制备方法，涉及温度传感器。所述传感器设有圆柱形非晶态SiCN陶瓷温敏元件、谐振腔、耦合激励端口和共面波导线；温敏元件设于共面波导线上，温敏元件表面包裹有耐高温金属层，耐高温金属层形成谐振腔，在谐振腔的侧表面设耦合激励端口，谐振腔通过耦合激励端口与共面波导线直接耦合。先制备圆柱形非晶态SiCN陶瓷温敏元件；在温敏元件侧表面对应耦合激励端口处，用聚酰亚胺胶带保护后，再在温敏元件表面电镀上金属层而形成谐振腔，去除聚酰亚胺胶带，即得侧表面带有耦合激励端口的谐振腔；制备共面波导线；将谐振腔放置在共面波导线上，使耦合激励端口与共面波导线耦合，并键合，交联固化后即得。
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公开(公告)号：CN104591076B
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201510006615.X
申请日：2015-01-07
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种基于纳米结构的红外光源芯片，涉及红外技术领域。设有衬底、支撑层、电加热层、纳米结构辐射层、金属电极；所述纳米结构辐射层采用紧密排列的多孔纳米结构，纳米结构辐射层覆盖在电加热层表面，纳米结构辐射层用于辐射红外射线，电加热层设于支撑层上方，电加热层用于对纳米结构辐射层传递热量；所述支撑层、电加热层、纳米结构辐射层均悬浮在衬底上方并形成悬浮桥面结构；衬底呈框架结构并为支撑层、电加热层、纳米结构辐射层提供支撑。采用紧密排列的纳米深孔薄膜结构作为辐射层辐射红外射线，采用电化学阳极氧化的方法制备纳米结构辐射层，通过控制反应时间可以控制孔径大小以及孔的深度。
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公开(公告)号：CN103487155B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201310416802.6
申请日：2013-09-13
Applicant: 厦门大学
IPC: G01K7/00 , C04B35/58 , C04B35/622
Abstract: 一种SiCN陶瓷无线无源温度传感器及其制备方法，涉及温度传感器。所述温度传感器设有圆柱形SiCN非晶态陶瓷温敏元件，在圆柱形SiCN非晶态陶瓷温敏元件的表面设有耐高温金属层并形成谐振腔，在谐振腔表面设有槽天线。1）制备圆柱形SiCN非晶态陶瓷温敏元件；（1）先制备SiCN陶瓷素胚；（2）在惰性气体保护下，将SiCN陶瓷素胚热解，再退火处理后，得温敏元件SiCN非晶陶瓷体；2）在温敏元件SiCN非晶陶瓷体上表面的槽天线区域用聚酰亚胺胶带保护，在温敏元件SiCN非晶陶瓷体表面镀金属层，再将聚酰亚胺胶带去除后，所留区域即为收发电磁波信号的槽天线，得圆柱形SiCN陶瓷无线无源温度传感器。
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公开(公告)号：CN104591076A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201510006615.X
申请日：2015-01-07
Applicant: 厦门大学
IPC: B81B7/02
Abstract: 一种基于纳米结构的红外光源芯片，涉及红外技术领域。设有衬底、支撑层、电加热层、纳米结构辐射层、金属电极；所述纳米结构辐射层采用紧密排列的多孔纳米结构，纳米结构辐射层覆盖在电加热层表面，纳米结构辐射层用于辐射红外射线，电加热层设于支撑层上方，电加热层用于对纳米结构辐射层传递热量；所述支撑层、电加热层、纳米结构辐射层均悬浮在衬底上方并形成悬浮桥面结构；衬底呈框架结构并为支撑层、电加热层、纳米结构辐射层提供支撑。采用紧密排列的纳米深孔薄膜结构作为辐射层辐射红外射线，采用电化学阳极氧化的方法制备纳米结构辐射层，通过控制反应时间可以控制孔径大小以及孔的深度。
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