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公开(公告)号：CN103193197B
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201310112200.1
申请日：2013-04-02
Applicant: 厦门大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 一种基于硅/玻璃阳极键合的微器件可动结构制备方法，涉及一种微机电系统传感器与制动器。提供一种基于硅/玻璃阳极键合的微器件可动结构制备方法。1）将玻璃片与硅片键合在一起，形成硅/玻璃组合片以及中间的牺牲氧化层；2）将步骤1）得到的硅/玻璃组合片的硅片减薄并抛光；3）在减薄后的硅片上刻蚀出可动结构；4）将硅/玻璃组合片置于氢氟酸溶液中，腐蚀可动结构底部的牺牲氧化层，使刻蚀结构与玻璃片分离，得到基于硅/玻璃阳极键合的可动结构。制备的硅层厚度均匀性更高；工艺更为简单、成本低廉，是一种有应用前景的MEMS可动结构制备工艺。
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公开(公告)号：CN103318838B
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201310197201.0
申请日：2013-05-24
Applicant: 厦门大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 一种应用于微机电系统器件的真空封装方法，涉及一种微器件真空封装方法。在玻璃片背面上加工出凹槽、通孔，然后在凹槽上溅射吸气剂薄膜；在SOI或SOG片上加工出梯形槽、谐振结构和微流道；将玻璃片与SOI或SOG片键合在一起形成组合片；在组合片中的通孔侧壁以及孔底未键合硅面处溅射电极和凸点下金属层；将键合后的圆片置于喷射点胶机中，在通孔结构上喷印金属焊球；将喷印有焊球的组合片置于真空键合机中，抽真空并加热，使腔室内气体通过微流道被抽走，焊料回流，并通过键合机对组合片施加压力，键合机上盘采用玻璃盖板，保证焊料不流出通孔外，融化后的焊料挤入到微流道中将通孔结构和微流道密封，实现MEMS器件的真空封装。
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公开(公告)号：CN104925746A
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201510224723.4
申请日：2015-05-06
Applicant: 厦门大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 一种非接触式玻璃微纳结构加工方法，涉及一种制备微纳结构的方法。将玻璃片置于Z轴移动平台上，与电源负极连接，导电材料置于玻璃片之上，固定于X-Y平面移动平台，且与电源正极连接；启动加热装置，调节导电材料与玻璃片之间的距离，使气氛介质击穿形成电弧，从而使阳极——导电材料——气氛介质——玻璃片——阴极——电源六个部分构成回路，启动电热改性过程；X-Y平面移动平台在X-Y平面内移动，驱动导电材料按照预设加工图案在X-Y平面移动，在玻璃片上加工得到图案化电热改性结构，将带有图案化电热改性结构的玻璃片置于HF溶液中刻蚀，由于玻璃片上电热改性结构比未改性区域的刻蚀速度快，刻蚀后加工得到所需的微纳结构。
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公开(公告)号：CN103420330B
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201310409343.9
申请日：2013-09-09
Applicant: 厦门大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 一种应用于微器件圆片级封装通孔金属互联的制作方法，涉及微器件封装工艺。提供基于气浮沉积技术，可实现各种形状通孔互联的一种适用于微机电系统中微器件圆片级封装通孔金属互联的制作方法，所述适用于微机电系统中微器件圆片级封装通孔金属互联的制作方法包括适用于微机电系统中微器件圆片级封装前通孔金属互联的制作方法或适用于微机电系统中微器件圆片级封装后通孔金属互联的制作方法。可克服现有圆片级封装过程中，通孔底部普遍存在影响电学可靠性的崩边现象，以及带有通孔结构晶圆表面难以图案化等问题。
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公开(公告)号：CN103203294B
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201310156231.7
申请日：2013-04-28
Applicant: 厦门大学
IPC: B05B5/00
Abstract: 一种电磁微喷装置，涉及一种微喷装置。提供适用于金属液体按需喷射的一种电磁微喷装置。设有上置磁铁、喷射腔体、下置磁铁、电极、供液管、供液槽、升降机构、步进电机和脉冲电流装置；上置磁铁和下置磁铁分别固于喷射腔体的上下表面；喷射腔体设有液体进口和液体喷嘴，电极设于喷射腔体两侧，并伸入喷射腔体内部，供液管一端与喷射腔体内腔连通，供液管另一端与供液槽连通，升降机构输入端与步进电机连接，升降机构输出端与供液槽连接，脉冲电流装置两端接于电极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103420330A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201310409343.9
申请日：2013-09-09
Applicant: 厦门大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 一种应用于微器件圆片级封装通孔金属互联的制作方法，涉及微器件封装工艺。提供基于气浮沉积技术，可实现各种形状通孔互联的一种适用于微机电系统中微器件圆片级封装通孔金属互联的制作方法，所述适用于微机电系统中微器件圆片级封装通孔金属互联的制作方法包括适用于微机电系统中微器件圆片级封装前通孔金属互联的制作方法或适用于微机电系统中微器件圆片级封装后通孔金属互联的制作方法。可克服现有圆片级封装过程中，通孔底部普遍存在影响电学可靠性的崩边现象，以及带有通孔结构晶圆表面难以图案化等问题。
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公开(公告)号：CN103413780A
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN201310365926.6
申请日：2013-08-20
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L21/768
Abstract: 一种基于熔融玻璃骨架的三维通孔互联结构制作方法，涉及硅通孔互联技术。在硅层上刻蚀出沟槽，形成硅柱；将带有图案的丝网版与硅层刻蚀后的图案对准；将玻璃粉置于丝网版上，在竖直方向挤压使玻璃粉填充沟槽，移走丝网版；去除硅柱顶部表面玻璃粉；将填充有玻璃粉硅层加热熔融，内部无气泡，冷却后得熔融玻璃结构，将得到熔融玻璃结构的硅层置于腐蚀液中，采用湿法腐蚀工艺去除硅柱顶部表面残留的熔融玻璃结构，得到沟槽内的熔融玻璃骨架；采用机械研磨方式，将硅层下部减薄加工至暴露出硅柱底部，再采用化学机械抛光方式修复研磨损伤，从而获得所述基于熔融玻璃骨架的三维通孔互联结构。
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公开(公告)号：CN103193195A
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201310074216.8
申请日：2013-03-08
Applicant: 厦门大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 一种重掺杂硼硅片的再分布方法，涉及一种重掺杂硼硅片。将重掺杂硼硅片放在托盘上，然后置于石英腔体中，关闭屏蔽箱门，旋转压紧密封机构；将石英腔体抽真空，通过气体进口和气体出口，对石英腔体内通入再分布所需气体；开启电源，通过电极片在空间中施加电场，然后开通射频电源，通过自动匹配器实现负载匹配，让感应线圈产生高频变化的磁场；打开温度传感器，利用温度传感器的温度指示，调节输入功率达到要求的温度，对重掺杂硼硅片进行加热，开始再分布过程；为确保操作人员安全，电磁感应线圈外装有电磁屏蔽外壳，在整个再分布过程中要保持干扰场强仪的开启，以实时监测场强大小，使其在相关规定的范围内。加热速率快，成本低，有效减小残余应力。
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公开(公告)号：CN102809450A
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：CN201210282401.1
申请日：2012-08-09
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种硅微谐振式压力传感器及其制作方法，涉及一种压力传感器。提供一种基于滑膜阻尼和双压力膜结构的硅微谐振式压力传感器及其制作方法。设有压力敏感层、谐振结构层、真空封装盖帽层和引线电极，所述压力敏感层的边框上部与谐振结构层边框的下部相连，压力敏感层上部边框内设有两个压力膜并形成两个放置平行硅岛的空腔，硅岛的顶端与谐振结构层上的第1传递梁和第2传递梁相连，两个空腔之间具有沟道，使谐振结构层上的第1谐振梁、第2谐振梁、第1质量块和第2质量块有自由振动的空间，谐振结构层的边框上部与真空封装盖帽层的下部边框相连，盖帽层下部边框内形成空腔，真空封装盖帽层上开有引线孔，引线电极通过引线孔与谐振结构层相连。
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公开(公告)号：CN102505157A
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN201110346701.7
申请日：2011-11-04
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种非接触诱导的直径可控纳米纤维电纺装置，涉及一种静电纺丝装置。设有直流高压电源、溶液槽、限径板、金属板、驱动装置和收集板；所述直流高压电源的正极与溶液槽内导电层连接，直流高压电源的负极与收集板连接并接地；限径板覆盖在聚合物溶液表面，限径板上设有通孔或槽阵列；所述金属板与驱动装置连接，金属板设于溶液槽上，溶液槽内注入聚合物溶液；收集板设于溶液槽上方。可克服现有的电纺技术存在的产量较低、直径差异较大、带珠状结构、易堵塞、不易清洗等缺陷，可批量生产不同匀径纳米纤维，能够实现对所要生产纳米纤维直径的有效控制的非接触诱导。
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