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公开(公告)号：CN1438352A
公开(公告)日：2003-08-27
申请号：CN03111122.X
申请日：2003-03-04
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明涉及一种以镁及其合金为基体材料与添加相复合而成的镁基自润滑复合材料及其制备方法。该材料是由镁基合金和添加的混杂增强相组成，镁基合金的成分范围的体积质量百分数：Al 5－10％，Zn 0.2－0.6％，Mn 0.1－0.25％，Si 0－6％，Re 0－1％，杂质≤0.01％，其余为镁，添加的混杂增强相体积百分数为：Al2O3短纤维的加入量为5－15％，石墨的加入量为5－20％。制备方法，首先进行预制体制备，然后采用挤压铸造方式制备最终复合材料。所制备的复合材料显示了优良的摩擦学特性，耐磨承载能力明显提高，摩擦系数明显降低，生产工艺简单，生产成本低。
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公开(公告)号：CN119349516A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202410175285.6
申请日：2024-02-07
Applicant: 吉林大学
IPC: C01B21/064 , C01B35/18 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种高温催化掺杂制备高居里温度铁磁性氮化硼纳米管方法，操作步骤为，1）配制待反应液；2）Sm离子掺杂硼酸胺前驱物合成；3）氮化硼催化和掺杂制备；4）提取氮化硼纳米管。所述获得的氮化硼纳米管，直径30‑60 nm之间，长度20—1000微米，Sm离子在氮化硼纳米管中含量在0.40‑1.60 at.%之间，铁磁性居里温度在720‑750K之间，饱和磁化强度2.00‑5.00 memu g‑1之间，光学带隙2.8‑3.5 eV。该氮化硼纳米管可以模拟人工突触单元。该制备方法能够满足批量生产的要求。
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公开(公告)号：CN116354384B
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202211588555.3
申请日：2022-12-09
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的双气体气敏探测微纳异质结构材料及其制备方法与应用，属于气体敏感材料制备的技术领域。所述的双气体气敏探测微纳异质结构材料是由纳米硫化锌和氧化锌纳米片组成的微纳异质结构，制备方法为：将硫化锌纳米颗粒在空气中升温至645～655℃，保温20～30分钟，快速冷却至室温。得到的双气体探测材料可以在155～165℃探测三乙胺气体，在195～205℃探测苯胺气体。本发明制备的硫化锌和氧化锌纳米异质结构气体敏感性能材料，实现了三乙胺和苯胺双气体探测，满足了某些领域对于双气体探测敏感材料的需要。该制备方法可满足批量生产的要求。
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公开(公告)号：CN114715930A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202210285059.4
申请日：2022-03-22
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的气雾冷凝化学沉积合成CuS：Ho稀磁半导体的方法属于稀磁半导体材料制备的技术领域，有以下步骤：将Cu离子与Ho离子混合溶液在超声波雾化机的作用下产生Cu离子与Ho离子混合气雾，然后与硫化氢气体在循环水的环境中在气体驱动装置的驱动下进行反应，在收集瓶内沉淀得到Ho掺杂CuS基稀磁半导体纳米颗粒CuS：Ho。本发明制备方法简单，成本低，能够满足批量生产的要求，得到的Ho掺杂CuS基稀磁半导体具有室温铁磁性。
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公开(公告)号：CN114671454A
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202210285040.X
申请日：2022-03-22
Applicant: 吉林大学
IPC: C01G3/12
Abstract: 本发明的高温高压合成新相辉铜矿‑H硫化铜铁磁性材料的方法属于铁磁性材料制备的技术领域，首先，组装保压装置，使得保压装置的腔体中自高温端向低温端依次排列为样品原料(6)、样品腔(5)、硬质合金模具(10)、模具钢(4)和加热电阻丝(3)，然后，将组装好的保压装置置于普通两面顶压机内，加压2～4GPa，升温至300～500℃，保压保温60～100分钟，再降温至20～30℃，卸压至0GPa，除去两端的硬质合金冲头(9)，对样品表面进行清理，得到新相辉铜矿‑H硫化铜铁磁性材料。本发明制备方法简单，成本低，能够满足批量生产的要求。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107445194A
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201710809656.1
申请日：2017-09-11
Applicant: 吉林大学
CPC classification number: Y02E60/13 , C01G3/12 , C01P2002/72 , C01P2004/64 , C01P2004/80 , C01P2006/40 , H01G11/30
Abstract: 本发明的铈掺杂硫化铜量子点纳米材料的制备方法属于量子点纳米材料制备的技术领域，有配制待反应溶液、气体和液体化学反应制备掺铈硫化铜材料、产物提纯等步骤。本发明具有成本低廉、实验装置简易，操作简单等特点，制备的铈掺杂硫化铜量子点纳米材料具有较高的比电容量，可用于制备超级电容器电极，对于研究能量存储设备具有重要的价值，制备样品的重复性很好，适于工业大规模生产使用。
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公开(公告)号：CN104726096A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201510067092.X
申请日：2015-02-09
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的掺镝三硫化二铟稀土磁性-荧光纳米材料及其制备方法,属于纳米材料的技术领域。掺镝三硫化二铟稀土磁性-荧光纳米材料中镝的摩尔百分含量为0.773％～2.590％。制备过程是用乙酸铟溶液、醋酸镝溶液、巯基乙醇溶液和去离子水配制待反应溶液；将雾化的待反应溶液与用氮气携带的H2S气体在常温下发生气液相接触反应；将反应产物在100℃下处理20分钟，得到掺镝三硫化二铟稀土磁性-荧光纳米材料。本发明用室温下气液相化学沉积的方法制备出饱和磁化强度较强，特征发射峰较明显，颗粒大小均一的不同掺杂浓度的掺镝三硫化二铟纳米颗粒材料。
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公开(公告)号：CN102565284B
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201110455860.0
申请日：2011-12-31
Applicant: 吉林大学
IPC: G01N33/00
Abstract: 本发明的氧化亚铜和二氧化锡微纳异质阵列结构气敏材料及其制备方法属于气体敏感材料相关的技术领域。气敏材料的结构是Cu2O和SnO2呈长条状并列，周期性交替组装形成的膜材料，生长在硅片基底上；Cu2O材料堆积较厚成隆起部分，SnO2材料堆积较薄成低谷部分。制备方法是在硅衬底上并列平放两铜箔电极，电极间滴入硝酸铜和氯化亚锡配置的电解液，盖上盖玻片，制冷凝固再加半正弦波电压，使Cu2O和SnO2周期性交替沉积。本发明的异质阵列结构气敏材料不仅具有材料本身各自的气敏特性，也因材料具有稳定有序的异质结构，使气敏元件在室温下的灵敏度更高，寿命更长，同时可以节约能源，保护环境。
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公开(公告)号：CN102747398A
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：CN201210224927.4
申请日：2012-07-02
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的CuO和In2O3微纳米异质周期结构功能材料及其制备方法属于半导体异质结构材料的技术领域。功能材料由隆起部分和低谷部分周期性交替组装而成；隆起部分是由纳米CuO堆积形成，低谷部分是由纳米In2O3堆积形成；一条隆起的CuO和相邻的一条低谷的In2O3构成一个周期。制备方法是在硝酸根存在的溶液中，在方波电势的作用下，Cu2O和In(OH)3被交替沉积出来，再经过高温处理过程，得到CuO和In2O3异质周期结构材料。本发明制备出的功能材料具有良好光学、电学、气敏性质和较高的稳定性；本发明采用不同频率的生长电压制备出周期不同的异质结构材料，具有生长面积可控、周期性可调的特点。
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公开(公告)号：CN101531835B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN200910066867.6
申请日：2009-04-24
Applicant: 吉林大学
CPC classification number: Y02P20/124
Abstract: 本发明的微波辅助硅灰石粉体表面湿法改性方法属于粉体表面改性的技术领域。以KH550为偶联剂，有配制水解液、微波辅助偶联反应和抽提干燥的过程；所说的微波辅助偶联反应过程，是将硅灰石粉体、乙醇配成浆体放入恒温微波炉中，搅拌加热到50～80℃，将水解液缓慢滴加到浆体中，搅拌反应15～60分钟，再样品抽滤后在恒温微波炉中90～130℃下烘干。本发明与现有的硅灰石粉体表面湿法改性方法相比，充分利用了微波加热特点，实现微波辐射辅助和强化改性的目的；不改变硅灰石晶体结构和偶联剂的分子结构；并可以精确控温，使改性过程的热效率和加热速度大大提高。
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