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公开(公告)号：CN103868973A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201410136007.6
申请日：2014-04-04
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01N27/61
Abstract: 一种基于深能级瞬态谱技术的双极型器件电离辐射损伤缺陷检测方法，属于电子技术领域。解决了现有双极型晶体管的电离辐射损伤缺陷无法定量化的问题。它的过程为：首先，将双极型器件安装到深能级瞬态谱仪低温测试台上，保证双极型器件与深能级瞬态谱仪低温测试台紧密连接，并将双极型器件基极与集电极分别与深能级瞬态谱仪的高、低测试接头相连；其次，设置测试参数，该参数包括反向偏压VR、脉冲电压VP、测试周期TW、脉冲宽度TP及温度扫描范围，获得氧化物电荷和界面态的DLTS信号峰所对应的温度、峰高及峰的半高宽，最后，根据DLTS信号峰所对应的温度、峰高及峰的半高宽获得双极型器件电离辐射损伤缺陷。应用在缺陷检测领域。
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公开(公告)号：CN103059383A
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201310021239.2
申请日：2013-01-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种用于空间电子辐射防护的掺杂纳米钽的聚乙烯复合材料及其制备方法和应用，它涉及用于空间带电粒子辐射防护的复合材料的领域。本发明是要解决现有的辐射防护材料中，铝防护层存在密度大而导致使用的重量大，采用聚乙烯材料做为辐射防护材料时存在着由于其热稳定性较差，严重制约其使用范围的问题。它是由聚乙烯树脂、纳米钽和偶联剂制成。本发明的聚乙烯复合材料的热稳定性相对于纯聚乙烯提高了5%~35%，吸收剂量相对于纯铝降低了0.1~0.7倍。本发明适用于辐射防护和航空航天领域。
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公开(公告)号：CN100385257C
公开(公告)日：2008-04-30
申请号：CN200410043736.3
申请日：2004-07-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G02B1/10
Abstract: 抗辐射自清洁纳米光学防护膜，它涉及一种可在光学器件表面使用的防护膜。现有的防护膜在长期接受空间辐射环境作用后，这些薄膜会着色，光谱透过率明显下降。并且这些薄膜很容易被迅速污染。本发明防护膜各成分的重量份数分别为：钛酸四丁酯1～4份，无水乙醇3～9份，二甲基甲酰胺0.001～1份，盐酸0.01～1份，冰醋酸0.1～1份，水0.02～1份，Ce(NO3)30.001～0.04份，LaCl30.003～0.05份。本发明的防护膜，纳米结构的尺寸可达到20～30nm；薄膜在可见及红外区的光谱透过率达到88%以上；对航天器常见有机污染物的降解率可达到40～60%；在辐照剂量为2×1016particles/cm2的带电粒子辐照作用下，光谱透过滤下降小于10%。
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公开(公告)号：CN1598618A
公开(公告)日：2005-03-23
申请号：CN200410043736.3
申请日：2004-07-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G02B1/10
Abstract: 抗辐射自清洁纳米光学防护膜，它涉及一种可在光学器件表面使用的防护膜。现有的防护膜在长期接受空间辐射环境作用后，这些薄膜会着色，光谱透过率明显下降。并且这些薄膜很容易被迅速污染。本发明防护膜各成分的重量份数分别为：钛酸四丁酯1～4份，无水乙醇3～9份，二甲基甲酰胺0.001～1份，盐酸0.01～1份，冰醋酸0.1～1份，水0.02～1份，Ce(NO3)30.001～0.04份，LaCl30.003～0.05份。本发明的防护膜，纳米结构的尺寸可达到20～30nm；薄膜在可见及红外区的光谱透过率达到88％以上；对航天器常见有机污染物的降解率可达到40～60％；在辐照剂量为2×1016particles/cm2的带电粒子辐照作用下，光谱透过滤下降小于10％。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103872106B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201410135845.1
申请日：2014-04-04
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L29/73 , H01L29/06 , H01L21/331
Abstract: 抗辐照双极器件及该器件的制备方法，涉及双极器件的抗辐照技术。它为了解决现有双极器件抗辐照能力差的问题。本发明在双极器件基区表面设置有以发射区为中心的高掺杂浓度区。抗辐照双极器件的制备方法为：在完成基区扩散或离子注入后，进行发射区扩散或离子注入前，进行抗辐照加固方法，抗辐照加固方法首先在基区掩膜版的基础上制备基区表面掺杂掩膜版，基于该掩膜版向基区表面注入与基区体内相同的杂质离子，注入浓度为体区浓度的10～10000倍，最后进行退火处理。本发明通过改变基区表面结构及掺杂浓度，使器件失效阈值高了1.4～3.7倍。本发明适用于NPN器件、PNP器件、数字双极电路、模拟双极电路及数模/模数电路。
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公开(公告)号：CN103884945B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201410136016.5
申请日：2014-04-04
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01R31/00
Abstract: 基于改变温度及剂量率的低剂量率增强效应加速实验方法，涉及电子技术领域。它是为了解决低剂量率增强试验的测试时间长，导致过剩基极电流和电流增益产生较大的影响的问题。本发明的低剂量率增强效应加速试验方法步骤简单，易于操作。本发明的低剂量率增强效应加速试验方法步骤简单，易于操作。本发明所提出的技术途径能够大幅度降低低剂量率增强效应试验的时间与费用，同比降低了15%以上，也可为优化双极晶体管和电路抗辐照性能提供必要依据，减小过剩基极电流和电流增益产生的影响，同比减小了15%，对电子元器件的低剂量率增强效应测试和研究具有重大的意义。本发明适用于电子技术领域。
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公开(公告)号：CN103887330A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201410136051.7
申请日：2014-04-04
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 中国航天标准化研究所
IPC: H01L29/73 , H01L29/47 , H01L21/331 , H01L21/28
CPC classification number: H01L29/7325 , H01L21/28 , H01L29/41708 , H01L29/66272
Abstract: 一种基于发射极电极接触方式的抗辐照双极器件及该双极器件的制备方法，属于电子技术领域。本发明是为了解决现有的双极器件在空间辐射环境下会产生电离及位移效应，双极器件受辐射损伤后电性能指标下降的问题。本发明所述的一种基于发射极电极接触方式的抗辐照双极器件通过多晶硅连接双极器件的金属层与发射区的方式进行连接，从而达到抑制双极器件在空间辐射环境产生电离及位移辐射损伤的目的；本发明所述的一种基于发射极电极接触方式的抗辐照双极器件的制备方法，在保留了传统的双极器件制备工艺的同时，制备出了能够大幅度降低辐射损伤的双极器件。本发明适用于双极器件抗辐照加固技术应用中。
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公开(公告)号：CN103870664A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201410135842.8
申请日：2014-04-04
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 一种基于氢离子注入的双极型器件ELDRS效应加速实验方法，属于电子技术领域，本发明为解决现有双极型器件的ELDRS效应地面模拟实验没有加速实验的普遍适用方法，即不能用高剂量率辐照实验来实现低剂量率增强效应加速实验的问题。具体过程为：根据选取的双极型器件钝化层厚度和密度，利用SRIM软件进行仿真，获取注入氢离子的能量与射程；利用TCAD软件进行仿真，获取抗辐照性能参数：电流增益；改变氢离子的注量，使TCAD模拟双极型器件的电流增益变化量小于10%，记录氢离子注量；根据注入氢离子的能量、射程和注量，在钝化层中注入氢离子；对注入氢离子后的双极型器件进行辐照实验。本发明用于空间辐照环境中。
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公开(公告)号：CN103149581A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201310024923.6
申请日：2013-01-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01T1/02
Abstract: 空间三维结构器件位移吸收剂量的计算方法，本发明涉及位移吸收剂量的计算方法。本发明要解决现有的计算位移吸收剂量的方法成本高、准确性差的技术问题。该方法：一、测定空间三维结构器件所接受的辐射的能谱；二、计算位移吸收剂量随铝深度分布曲线；三、确定空间三维结构仪器中所有构件的性质；四、确定构件的计算点；五、以计算点为球坐标的极点进行剖分确定极线；六、将极线上的材料等效为铝，计算极线上的位移吸收剂量值；七、将所有极线上的位移吸收剂量值加和，得该计算点的位移吸收剂量；八、重复步骤五至七，得到空间三维结构仪器中所有计算点的位移吸收剂量值。本发明进行空间轨道带电粒子的辐照环境下的位移吸收剂量计算。
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