公开(公告)号：CN110998965A

公开(公告)日：2020-04-10

申请号：CN201880050784.5

申请日：2018-08-02

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 美崎克纪

IPC: H01P11/00 ,  H01Q3/34 ,  H01Q3/44 ,  H01Q13/22 ,  H01Q21/06 ,  H05K1/09 ,  H05K1/16

Abstract: 一种扫描天线的制造方法，扫描天线中排列有多个天线单位，扫描天线具有：TFT基板，其具有第1电介质基板、TFT、栅极总线、源极总线、以及多个贴片电极；缝隙基板，其具有：第2电介质基板(51)和具有与多个贴片电极对应地配置的多个缝隙(57)的缝隙电极(55)；液晶层；以及反射导电板，扫描天线的制造方法包含：工序(a)，在第2电介质基板的第1主面上沉积包含铜的第1导电膜(55a’)；工序(b)，在工序(a)之后，使第1导电膜与大气接触，从而在第1导电膜的表面形成氧化膜(55o’)；以及工序(c)，在工序(b)之后，在氧化膜上沉积包含铜的第2导电膜(55b’)。

公开(公告)号：CN110943300A

公开(公告)日：2020-03-31

申请号：CN201910901714.2

申请日：2019-09-23

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 松原邦夫 ,  美崎克纪

IPC: H01Q3/36 ,  H01Q21/06 ,  H01Q1/38 ,  H01Q23/00

Abstract: 提供能够进一步提高扫描天线的性能的扫描天线、及这种扫描天线所使用的TFT基板。扫描天线具有TFT基板(101A)、具有缝隙电极(55)的缝隙基板(201)、设置于TFT基板与缝隙基板之间的液晶层(LC)、以及反射导电板。多个天线单元(U)分别具有TFT(10)、与TFT的漏极电极(7D)电连接的贴片电极(15)、与贴片电极对应地形成于缝隙电极的缝隙(57)、以及从第一电介质基板(1)的法线方向观察时贴片电极与缝隙电极重叠的第一区域(Ro)。多个第二天线单元(U2)的贴片电极与缝隙电极之间的第一电介质基板的法线方向上的距离小于多个第一天线单元(U1)的贴片电极与缝隙电极之间的第一电介质基板的法线方向上的距离。

公开(公告)号：CN110880521A

公开(公告)日：2020-03-13

申请号：CN201910834972.3

申请日：2019-09-05

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 美崎克纪

IPC: H01L27/146 ,  H01L31/105

Abstract: 摄像面板包括配置在基板(101)上的光电转换元件(12)。光电转换元件(12)包含：阴极电极(14a)；具有与阴极电极(14a)接触的第一导电型的第一半导体层(151)；与第一半导体层(151)接合，并具有与第一导电型不同的第二导电型的第二半导体层(153)；以及与第二半导体层(153)接触的阳极电极(14b)。第二半导体层(153)中的消光系数越靠近阳极电极(14b)越大。

公开(公告)号：CN110770882A

公开(公告)日：2020-02-07

申请号：CN201880039060.0

申请日：2018-06-07

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 美崎克纪

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01Q3/34 ,  H01Q3/44 ,  H01Q13/22

Abstract: TFT基板(101A)具有：电介质基板(1)；以及多个天线单位区域(U)，其排列在电介质基板上，各自具有TFT(10)和电连接到TFT的漏极电极(7D)的贴片电极(15)。TFT基板具有：栅极金属层(3)，其支撑于电介质基板，包含TFT的栅极电极(3G)；源极金属层(7)，其支撑于电介质基板，包含TFT的源极电极(7S)；TFT的半导体层(5)，其支撑于电介质基板；栅极绝缘层(4)，其形成于栅极金属层与半导体层之间；以及平坦化层(14)，其形成于栅极绝缘层上，由有机绝缘材料形成。

公开(公告)号：CN110462842A

公开(公告)日：2019-11-15

申请号：CN201880022591.9

申请日：2018-03-30

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 美崎克纪

IPC: H01L29/786 ,  H01Q3/44 ,  H01Q13/22

Abstract: TFT基板(105A)具有电介质基板(1)和在电介质基板上排列的多个天线单位区域(U)。多个天线单位区域各自具有TFT(10)和电连接到TFT的漏极电极(7D)的贴片电极(7PE)。TFT基板具有：源极金属层(7)，其包含TFT的源极电极(7S)、漏极电极、连接到源极电极的源极总线(SL)、以及贴片电极；栅极金属层(3)，其形成在源极金属层上，包含TFT的栅极电极(3G)和连接到栅极电极的栅极总线(GL)；栅极绝缘层(4)，其形成在源极金属层与栅极金属层；以及导电层(19)，其形成在栅极金属层上，在栅极金属层与导电层之间不具有绝缘层。

公开(公告)号：CN110364542A

公开(公告)日：2019-10-22

申请号：CN201910228691.3

申请日：2019-03-25

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 美崎克纪 ,  松原邦夫

IPC: H01L27/146

Abstract: 抑制由于水分的浸透导致的光电转换元件的漏电电流而发生的检测精度降低。有源矩阵基板(1)在多个像素的每一个像素中具备：光电转换元件(12)，其具有一对电极(14a、14b)和设置于电极(14a、14b)之间的半导体层(15)；无机膜(105a)，其覆盖光电转换元件(12)中的一个电极(14b)侧的表面的一部分和光电转换元件(12)的侧面；保护膜(105b)，其对水分具有耐腐蚀性，覆盖与光电转换元件(12)的侧面重叠的无机膜(105a)的部分；以及有机膜(106)，其覆盖无机膜(105a)和保护膜(105b)。

公开(公告)号：CN110326114A

公开(公告)日：2019-10-11

申请号：CN201880014038.0

申请日：2018-02-20

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 美崎克纪

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/13 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1368 ,  H01Q3/34 ,  H01Q3/44 ,  H01Q13/22 ,  H01Q21/06

Abstract: TFT基板(106)具备：发送接收区域(R1)，其包含多个天线单位区域(U)；以及非发送接收区域(R2)，其位于发送接收区域以外的区域。多个天线单位区域各自具有TFT(10)和电连接到TFT的漏极电极(7D)的贴片电极(15)。TFT基板具有：栅极金属层(3)，其包含TFT的栅极电极(3G)；栅极绝缘层(4)；源极金属层(7)，其包含TFT的源极电极(7S)和漏极电极；第1绝缘层(11)；贴片金属层(15l)，其包含贴片电极；第2绝缘层(17)；以及上部导电层(19)，上部导电层包含与贴片电极和漏极电极电连接的贴片漏极连接部(19a)。

公开(公告)号：CN110164885A

公开(公告)日：2019-08-23

申请号：CN201910114938.9

申请日：2019-02-14

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 美崎克纪

IPC: H01L27/146

Abstract: 本发明提供一种抑制光电转换层与电极的接触不良的技术。有源矩阵基板(1)中，多个检测部被配置成矩阵状。多个检测部的每一个具备：光电转换层(15)；第一电极(14a)，其设置在光电转换层(15)的第一表面上；设置在第二表面上的第二电极(14b)；第一绝缘膜(105)，其覆盖光电转换层(15)的第二表面的端部和侧面，并在光电转换层(15)上具有第一开口部(105a)；以及第二绝缘膜(106)，其与第一绝缘膜(105)重叠并具有在光电转换层(15)上与第一开口部(105a)相比开口宽度大的第二开口部(106a)。第二电极(14b)与第一开口部(105a)中的光电转换层(15)的第二表面接触的同时，与第一绝缘膜(105)及第二绝缘膜(106)接触。

公开(公告)号：CN110140221A

公开(公告)日：2019-08-16

申请号：CN201780081158.8

申请日：2017-12-18

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 美崎克纪

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/13 ,  H01Q3/34 ,  H01Q3/44 ,  H01Q13/22

Abstract: TFT基板(105)具备：包含多个天线单位区域(U)的发送接收区域(R1)；以及位于发送接收区域以外的区域的非发送接收区域(R2)。多个天线单位区域各自具有TFT(10)和电连接到TFT的漏极电极(7D)的贴片电极(3PE)。TFT基板具有：源极金属层(7)，其包含TFT的源极电极(7S)、漏极电极以及源极总线(SL)；栅极金属层(3)，其形成在源极金属层上，包含TFT的栅极电极(3G)和栅极总线(GL)；栅极绝缘层(4)，其形成在源极金属层与栅极金属层之间；层间绝缘层(11)，其形成在栅极金属层上；以及导电层(19)，其形成在层间绝缘层上。贴片电极包含于栅极金属层。

公开(公告)号：CN110050350A

公开(公告)日：2019-07-23

申请号：CN201780075996.4

申请日：2017-12-01

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 美崎克纪

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/13 ,  G02F1/1333 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/336 ,  H01Q3/34 ,  H01Q3/44 ,  H01Q13/22 ,  H01Q21/06

Abstract: TFT基板(105)具有配置于非发送接收区域(R2)的源极-栅极连接部(SG)。源极-栅极连接部具有：源极下部连接配线(3sg)，其包含于栅极金属层(3)；第1开口部(4sg1)，其形成于栅极绝缘层(4)，到达源极下部连接配线；源极总线连接部(7sg)，其包含于源极金属层(7)，连接到源极总线(SL)；第2开口部(11sg1)，其形成于第1绝缘层(11)，在从电介质基板(1)的法线方向观看时与第1开口部重叠；第3开口部(11sg2)，其形成于第1绝缘层，到达源极总线连接部；第1连接部(13sg)，其包含形成于第1绝缘层与第2绝缘层之间的至少1个导电层，在第1开口部内连接到源极下部连接配线，在第3开口部内连接到源极总线连接部；第4开口部(17sg1、17sg2)，其形成于第2绝缘层(17)，到达第1连接部；以及第2连接部(19sg)，其包含于上部导电层(19)，在第4开口部内连接到第1连接部。