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公开(公告)号：CN104220926A
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：CN201380016454.1
申请日：2013-03-11
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/1368 , G02F1/1343 , G02F1/1345 , G09F9/30
CPC classification number: H01L27/1248 , G02F1/136227 , G02F1/1368 , G02F2001/136272 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/1255 , H01L29/66969 , H01L29/78606 , H01L29/7869
Abstract: 半导体装置(1000A)具备：具有氧化物半导体层(9)的TFT(100A)；辅助电容配线(12)；和与辅助电容配线(12)电连接的第一透明电极(15)。第一透明电极(15)具有在从基板(1)的法线方向看时与第一连接层(8x)重叠的部分。与第一连接层(8x)重叠的部分具有在从基板(1)的法线方向看时，对称点位于连接开口部(CH2)内的点对称的形状。第一透明电极(15)不与第一连接层(8x)直接接触。第一透明电极(15)的一部分与第二连接层(8x)直接接触。第一连接层(8x)与第二连接层(19a)直接接触。第一透明电极(15)通过第一连接层(8x)以及第二连接层(19a)与辅助电容配线(12)电连接。
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公开(公告)号：CN110943300B
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN201910901714.2
申请日：2019-09-23
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 提供能够进一步提高扫描天线的性能的扫描天线、及这种扫描天线所使用的TFT基板。扫描天线具有TFT基板(101A)、具有缝隙电极(55)的缝隙基板(201)、设置于TFT基板与缝隙基板之间的液晶层(LC)、以及反射导电板。多个天线单元(U)分别具有TFT(10)、与TFT的漏极电极(7D)电连接的贴片电极(15)、与贴片电极对应地形成于缝隙电极的缝隙(57)、以及从第一电介质基板(1)的法线方向观察时贴片电极与缝隙电极重叠的第一区域(Ro)。多个第二天线单元(U2)的贴片电极与缝隙电极之间的第一电介质基板的法线方向上的距离小于多个第一天线单元(U1)的贴片电极与缝隙电极之间的第一电介质基板的法线方向上的距离。
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公开(公告)号：CN110943300A
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201910901714.2
申请日：2019-09-23
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 提供能够进一步提高扫描天线的性能的扫描天线、及这种扫描天线所使用的TFT基板。扫描天线具有TFT基板(101A)、具有缝隙电极(55)的缝隙基板(201)、设置于TFT基板与缝隙基板之间的液晶层(LC)、以及反射导电板。多个天线单元(U)分别具有TFT(10)、与TFT的漏极电极(7D)电连接的贴片电极(15)、与贴片电极对应地形成于缝隙电极的缝隙(57)、以及从第一电介质基板(1)的法线方向观察时贴片电极与缝隙电极重叠的第一区域(Ro)。多个第二天线单元(U2)的贴片电极与缝隙电极之间的第一电介质基板的法线方向上的距离小于多个第一天线单元(U1)的贴片电极与缝隙电极之间的第一电介质基板的法线方向上的距离。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110364542A
公开(公告)日：2019-10-22
申请号：CN201910228691.3
申请日：2019-03-25
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 抑制由于水分的浸透导致的光电转换元件的漏电电流而发生的检测精度降低。有源矩阵基板(1)在多个像素的每一个像素中具备：光电转换元件(12)，其具有一对电极(14a、14b)和设置于电极(14a、14b)之间的半导体层(15)；无机膜(105a)，其覆盖光电转换元件(12)中的一个电极(14b)侧的表面的一部分和光电转换元件(12)的侧面；保护膜(105b)，其对水分具有耐腐蚀性，覆盖与光电转换元件(12)的侧面重叠的无机膜(105a)的部分；以及有机膜(106)，其覆盖无机膜(105a)和保护膜(105b)。
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公开(公告)号：CN109314317A
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201780035195.5
申请日：2017-06-06
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01Q3/34 , G02F1/13 , G02F1/1333 , G02F1/1368 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01Q3/44 , H01Q13/22 , H01Q21/06
Abstract: 一种扫描天线具有TFT基板、缝隙基板和液晶层(LC)，TFT基板的传输端子部(PT)具有由与贴片电极(15)相同的低电阻金属膜形成的贴片连接部(15p)、形成在贴片连接部(15p)上的第一保护金属层(25)、和具有露出第一保护金属层的上表面的一部分的开口部(18p)的第一绝缘层(17)，缝隙基板的端子部具有由与缝隙电极55相同的低电阻金属膜形成的缝隙连接部(55M)、形成在缝隙连接部上的第二保护金属层(45a)、(45b)、和具有露出第二保护金属层的上表面的一部分的开口部(58a)的第二绝缘层(58)，第一和第二保护金属层分别独立地由从由Ti层、MoNb层、MoNbNi层、MoNbN层以及MoNbNiN层构成的组中选择出的至少一种层形成，并且厚度为18nm以上。
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公开(公告)号：CN110364542B
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN201910228691.3
申请日：2019-03-25
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 抑制由于水分的浸透导致的光电转换元件的漏电电流而发生的检测精度降低。有源矩阵基板(1)在多个像素的每一个像素中具备：光电转换元件(12)，其具有一对电极(14a、14b)和设置于电极(14a、14b)之间的半导体层(15)；无机膜(105a)，其覆盖光电转换元件(12)中的一个电极(14b)侧的表面的一部分和光电转换元件(12)的侧面；保护膜(105b)，其对水分具有耐腐蚀性，覆盖与光电转换元件(12)的侧面重叠的无机膜(105a)的部分；以及有机膜(106)，其覆盖无机膜(105a)和保护膜(105b)。
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公开(公告)号：CN104220926B
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201380016454.1
申请日：2013-03-11
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/1368 , G02F1/1343 , G02F1/1345 , G09F9/30
CPC classification number: H01L27/1248 , G02F1/136227 , G02F1/1368 , G02F2001/136272 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/1255 , H01L29/66969 , H01L29/78606 , H01L29/7869
Abstract: 半导体装置(1000A)具备：具有氧化物半导体层(9)的TFT(100A)；辅助电容配线(12)；和与辅助电容配线(12)电连接的第一透明电极(15)。第一透明电极(15)具有在从基板(1)的法线方向看时与第一连接层(8x)重叠的部分。与第一连接层(8x)重叠的部分具有在从基板(1)的法线方向看时，对称点位于连接开口部(CH2)内的点对称的形状。第一透明电极(15)不与第一连接层(8x)直接接触。第一透明电极(15)的一部分与第二连接层(8x)直接接触。第一连接层(8x)与第二连接层(19a)直接接触。第一透明电极(15)通过第一连接层(8x)以及第二连接层(19a)与辅助电容配线(12)电连接。
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公开(公告)号：CN109314317B
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN201780035195.5
申请日：2017-06-06
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01Q3/34 , G02F1/13 , G02F1/1333 , G02F1/1368 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01Q3/44 , H01Q13/22 , H01Q21/06
Abstract: 一种扫描天线具有TFT基板、缝隙基板和液晶层(LC)，TFT基板的传输端子部(PT)具有由与贴片电极(15)相同的低电阻金属膜形成的贴片连接部(15p)、形成在贴片连接部(15p)上的第一保护金属层(25)、和具有露出第一保护金属层的上表面的一部分的开口部(18p)的第一绝缘层(17)，缝隙基板的端子部具有由与缝隙电极55相同的低电阻金属膜形成的缝隙连接部(55M)、形成在缝隙连接部上的第二保护金属层(45a)、(45b)、和具有露出第二保护金属层的上表面的一部分的开口部(58a)的第二绝缘层(58)，第一和第二保护金属层分别独立地由从由Ti层、MoNb层、MoNbNi层、MoNbN层以及MoNbNiN层构成的组中选择出的至少一种层形成，并且厚度为18nm以上。
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