公开(公告)号：CN110268525B

公开(公告)日：2023-06-06

申请号：CN201880011123.1

申请日：2018-02-07

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 美崎克纪

IPC: H01L27/146 ,  G01T1/20 ,  H01L27/144 ,  H04N23/30 ,  H04N25/70 ,  H04N25/76

Abstract: 提供能提高生产率的X射线摄像面板及其制造方法。摄像面板(1)在基板(101)具有有源区域和端子区域。端子区域具备：第1导电层(100)；端子用第1绝缘膜(103)，其包括与有源区域的第1绝缘膜相同的材料，具有第1开口；第2导电层(1701)，其包括与有源区域的导电膜相同的材料，在设置有第1开口的位置与第1导电层(100)重叠；以及覆盖层，其在设置有第1开口的位置配置在第1导电层(100)与第2导电层(1701)之间。第1导电层(100)包括与有源区域的薄膜晶体管的栅极电极或源极电极、以及下部电极中的任意1个元件相同的材料。覆盖层包括与有源区域的源极电极、下部电极以及偏置配线中的、相比于包括与第1导电层(100)相同的材料的元件配置在上层的至少1个元件相同的材料。

公开(公告)号：CN110800111B

公开(公告)日：2023-03-24

申请号：CN201880042329.0

申请日：2018-06-26

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 美崎克纪

IPC: H01L27/146 ,  G09F9/00 ,  G09F9/30 ,  H01L27/144 ,  H01L29/786

Abstract: 一种具有像素区域的有源矩阵基板，具备：端子部(P2)；保护环(P4)；以及连接部(P3)，其连接端子部(P2)和保护环(P4)。像素区域、端子部(P2)以及保护环(P4)具有：第1金属膜(231)；第1导电层(13s)，其层叠有电阻比第1金属膜(231)的电阻低的第2金属膜(232、233)；第1保护层(103)，其配置成与第1导电层(13s)的至少一部分重叠；以及第2保护层(105)，其配置于第1保护层(103)之上。像素区域具有设置于第1保护层的上层的第2导电层。连接部(P2)具有第1金属膜(231)和配置于第1金属膜(231)之上的第2保护层(105)。端子部(P2)和保护环(P4)中的第1导电层(13s)的连接部侧的端部配置于比第1保护层(103)的连接部侧的端部靠内侧的位置。第2导电层(141)和第2金属膜(232、233)包含能用相同的蚀刻液进行蚀刻的材料。

公开(公告)号：CN110140221B

公开(公告)日：2022-03-08

申请号：CN201780081158.8

申请日：2017-12-18

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 美崎克纪

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/13 ,  H01Q3/34 ,  H01Q3/44 ,  H01Q13/22

Abstract: TFT基板(105)具备：包含多个天线单位区域(U)的发送接收区域(R1)；以及位于发送接收区域以外的区域的非发送接收区域(R2)。多个天线单位区域各自具有TFT(10)和电连接到TFT的漏极电极(7D)的贴片电极(3PE)。TFT基板具有：源极金属层(7)，其包含TFT的源极电极(7S)、漏极电极以及源极总线(SL)；栅极金属层(3)，其形成在源极金属层上，包含TFT的栅极电极(3G)和栅极总线(GL)；栅极绝缘层(4)，其形成在源极金属层与栅极金属层之间；层间绝缘层(11)，其形成在栅极金属层上；以及导电层(19)，其形成在层间绝缘层上。贴片电极包含于栅极金属层。

公开(公告)号：CN110050350B

公开(公告)日：2021-12-07

申请号：CN201780075996.4

申请日：2017-12-01

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 美崎克纪

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/13 ,  G02F1/1333 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/336 ,  H01Q3/34 ,  H01Q3/44 ,  H01Q13/22 ,  H01Q21/06

Abstract: TFT基板(105)具有配置于非发送接收区域(R2)的源极‑栅极连接部(SG)。源极‑栅极连接部具有：源极下部连接配线(3sg)，其包含于栅极金属层(3)；第1开口部(4sg1)，其形成于栅极绝缘层(4)，到达源极下部连接配线；源极总线连接部(7sg)，其包含于源极金属层(7)，连接到源极总线(SL)；第2开口部(11sg1)，其形成于第1绝缘层(11)，在从电介质基板(1)的法线方向观看时与第1开口部重叠；第3开口部(11sg2)，其形成于第1绝缘层，到达源极总线连接部；第1连接部(13sg)，其包含形成于第1绝缘层与第2绝缘层之间的至少1个导电层，在第1开口部内连接到源极下部连接配线，在第3开口部内连接到源极总线连接部；第4开口部(17sg1、17sg2)，其形成于第2绝缘层(17)，到达第1连接部；以及第2连接部(19sg)，其包含于上部导电层(19)，在第4开口部内连接到第1连接部。

公开(公告)号：CN110943300B

公开(公告)日：2021-07-13

申请号：CN201910901714.2

申请日：2019-09-23

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 松原邦夫 ,  美崎克纪

IPC: H01Q3/36 ,  H01Q21/06 ,  H01Q1/38 ,  H01Q23/00

Abstract: 提供能够进一步提高扫描天线的性能的扫描天线、及这种扫描天线所使用的TFT基板。扫描天线具有TFT基板(101A)、具有缝隙电极(55)的缝隙基板(201)、设置于TFT基板与缝隙基板之间的液晶层(LC)、以及反射导电板。多个天线单元(U)分别具有TFT(10)、与TFT的漏极电极(7D)电连接的贴片电极(15)、与贴片电极对应地形成于缝隙电极的缝隙(57)、以及从第一电介质基板(1)的法线方向观察时贴片电极与缝隙电极重叠的第一区域(Ro)。多个第二天线单元(U2)的贴片电极与缝隙电极之间的第一电介质基板的法线方向上的距离小于多个第一天线单元(U1)的贴片电极与缝隙电极之间的第一电介质基板的法线方向上的距离。

公开(公告)号：CN109687144B

公开(公告)日：2021-01-08

申请号：CN201811119919.7

申请日：2018-09-25

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 美崎克纪

IPC: H01Q3/26 ,  H01Q3/36 ,  H01Q21/00

Abstract: 本发明在抑制扫描天线的天线性能的下降的同时使成本降低，并提供一种能够在抑制扫描天线的天线性能的下降的同时使成本降低的TFT基板，TFT基板(101A)具有：电介质基板(1)；多个天线单元区域(U)，它们排列在电介质基板上，各自具有TFT(10)、和与TFT的漏极电极(7D)电连接的贴片电极(15)；以及平坦化层(21)，其在电介质基板上，在比包含贴片电极的层(15l)靠上侧，由树脂形成。

公开(公告)号：CN111863836A

公开(公告)日：2020-10-30

申请号：CN202010355875.9

申请日：2020-04-29

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 美崎克纪

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/77 ,  H01L27/32 ,  G02F1/1368

Abstract: 一种有源矩阵基板及其制造方法，有源矩阵基板在基板上具备薄膜晶体管。薄膜晶体管在基板上具备：栅极电极；第1无机绝缘膜，其覆盖栅极电极；第2无机绝缘膜，其设置在第1无机绝缘膜上，在俯视时与栅极电极重叠的区域具有开口；源极电极和漏极电极，其与栅极电极在俯视时重叠，配置在上述第2无机绝缘膜上；以及半导体膜，其在第1无机绝缘膜的开口中与栅极电极在俯视时重叠，覆盖源极电极和漏极电极。在第1无机绝缘膜中，关于俯视时与第1无机绝缘膜的开口重叠的第1区域和除了该第1区域以外的第2区域各自的面，第1区域的相对于第1无机绝缘膜设置有上述第2无机绝缘膜的一侧的面的位置比第2区域的该一侧的面的位置低。

公开(公告)号：CN111668244A

公开(公告)日：2020-09-15

申请号：CN202010146874.3

申请日：2020-03-05

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 美崎克纪

IPC: H01L27/146

Abstract: 一种摄像面板及其制造方法，摄像面板(1)具备光电转换层(15)，通过在光电转换层(15)上具有第1开口(105a)的无机绝缘膜(105)覆盖光电转换层(15)的表面的一部分。在无机绝缘膜(105)上，设置有具有开口宽度大于第1开口(105a)的第2开口(106a)的有机绝缘膜(106)，在第2开口(106a)的内侧，保护膜(107)覆盖未被有机绝缘膜(106)覆盖的无机绝缘膜(105)的表面。保护膜(107)相对于包含酸的蚀刻剂的蚀刻速率等于或大于无机绝缘膜(105)。第1开口(105a)中的光电转换层(15)的表面、以及保护膜(107)的表面由电极(14b)覆盖。

公开(公告)号：CN111211178A

公开(公告)日：2020-05-29

申请号：CN201911116965.6

申请日：2019-11-15

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 美崎克纪

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/115 ,  H01L31/18 ,  H01L27/146

Abstract: 有源矩阵基板(1)在基板(101)上具备第一电极(14a)、光电转换元件(15)、以及第二电极(14b)。第一电极(14a)、光电转换元件(15)、以及第二电极(14b)被在第二电极上具有第一开口(105a)的第一无机绝缘膜(105)覆盖。在第一无机绝缘膜(105)上设置有具有第二开口(106a)的第一有机绝缘膜(106)，第二开口(106a)的内侧的第一有机绝缘膜(106a)的表面被具有俯视观察时与第一开口(105a)重叠的第三开口(117a)的第二无机绝缘膜(117)覆盖。在第二无机绝缘膜(117)上设置有在第一开口(105a)中与第二电极(14b)接触的导电膜(17)。

公开(公告)号：CN111199982A

公开(公告)日：2020-05-26

申请号：CN201911040109.7

申请日：2019-10-29

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 美崎克纪

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/77 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明的薄膜晶体管基板具备基底基板和薄膜晶体管，上述薄膜晶体管具有：上述基底基板上的栅极电极；栅极绝缘层；源极电极和漏极电极；以及氧化物半导体层，其至少隔着上述栅极绝缘层与上述栅极电极相对，并且第1端部和第2端部分别重叠在上述源极电极和上述漏极电极上从而连接到上述源极电极和上述漏极电极，上述源极电极和上述漏极电极各自具有第1导电层和包覆上述第1导电层的第2导电层，上述第2导电层包含从包括钼、钽、钨以及镍的组中选择的至少1种元素，上述源极电极与上述漏极电极之间的区域下的上述栅极绝缘层的膜厚比上述源极电极下的上述栅极绝缘层的膜厚小，并且比上述漏极电极下的上述栅极绝缘层的膜厚小。