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公开(公告)号：CN108701719A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201780012395.9
申请日：2017-02-21
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L29/786 , G02F1/1368 , G09F9/00 , G09F9/30 , H01L21/336 , H01L51/50
CPC classification number: H01L27/124 , G02F1/1368 , H01L27/1225 , H01L27/1274 , H01L27/1288 , H01L29/41733 , H01L29/42384 , H01L29/51 , H01L29/786 , H01L29/78651 , H01L29/78684
Abstract: 本发明的实施方式的半导体装置的制造方法包含：工序(C)，在栅极绝缘层上，形成多个薄膜晶体管的氧化物半导体层；工序(F)，在层间绝缘层，形成位于有源区域与多个端子部之间并且贯通层间绝缘层的开口部；以及工序(G)，在工序(F)之后，在层间绝缘层上形成上部导电部。在工序(C)中，在栅极绝缘层的位于有源区域与多个端子部之间的区域上形成保护层，保护层与氧化物半导体层由同一氧化物半导体膜形成。在工序(F)中，开口部以与保护层重叠的方式形成。
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公开(公告)号：CN104160327A
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：CN201380014021.2
申请日：2013-03-06
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/1345 , G02F1/1333 , G02F1/1368 , G09F9/30
CPC classification number: H01L27/124 , G02F1/1345 , G02F1/13458 , H01L23/5329 , H01L27/1225 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明在于提供一种适于防止端子间短路的具有新型构造的显示面板。本发明的显示面板是具有有源矩阵基板、对置基板和密封件的显示面板，上述有源矩阵基板在显示区域外具有多个端子，多个端子的下部由与栅极配线或源极配线相同的材料形成，多个端子的上部由与像素电极相同的材料形成，具有从显示区域内形成至显示区域外的多个绝缘膜，上述多个绝缘膜包括无机绝缘膜和比上述无机绝缘膜厚的有机绝缘膜，上述无机绝缘膜和上述有机绝缘膜配置于上述像素电极与上述栅极配线或上述源极配线之间，上述有机绝缘膜的端部位于比配置有上述密封件的区域更靠外侧且与配置有上述端子的区域分离的位置，上述无机绝缘膜的端部位于上述多个配线与上述多个端子的边界。
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公开(公告)号：CN111133566B
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN201780095340.9
申请日：2017-09-28
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L23/522
Abstract: 源极电极(76)覆盖形成于无机绝缘膜(73)及无机绝缘膜(75)的一个接触孔(81)，且分别电连接于在接触孔(81)内露出的栅极电极(72)及电容电极(74)。
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公开(公告)号：CN113287368B
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN201980088682.7
申请日：2019-01-17
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G09F9/00
Abstract: 包括；第一树脂层(8)，在构成TFT层的至少一层的无机绝缘膜(17)中，以将沿着弯曲部(B)的延伸方向形成的狭缝(S)填埋的方式设置；以及多个第一引绕配线(18h)，设置在第一树脂层平行地延伸，在第一树脂层(8)和各第一引绕配线(18h)之间，与第一树脂层(8)和各第一引绕配线(18h)接触，并且以与各第一引绕配线(18h)的至少一部分重叠的方式设置有第一保护层(7a)。(8)上，与弯曲部(B)的延伸方向正交的方向互相
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公开(公告)号：CN115398514A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202080099144.0
申请日：2020-04-09
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G09F9/30
Abstract: 在显示区域内设置有非显示区域(N)，在非显示区域(N)中设置有贯通孔(H)，在非显示区域(N)中以包围贯通孔(H)的方式设置有多个内侧凸部(C)，各内侧凸部(C)的下层树脂层(8a)被形成于树脂基板层(10)的多个内侧狭缝(Sa)分离，多条显示用布线(14g)的一部分被贯通孔(H)断开，最靠显示区域侧的内侧狭缝(Sa)的底部的第一非显示导电层(34b)以与被贯通孔(H)断开的显示用布线(14g)中的靠贯通孔(H)侧的一个端部以及靠贯通孔(H)侧的另一个端部重叠的方式设置。
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公开(公告)号：CN110892469B
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN201780093231.3
申请日：2017-07-28
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 一种显示器件，其是具备树脂层(12)、及所述树脂层的上层的TFT层(4)，且在周缘设有弯曲部(CL)的显示器件，其具有与所述TFT层的端子连接、且穿过所述弯曲部的端子配线(TW)，所述端子配线包含：第一配线(WS1)及第二配线(WS2)，位于所述弯曲部的两侧；第三配线(WS3)，穿过所述弯曲部，且分别与所述第一配线及所述第二配线电连接；第四配线(WS4)，配置于与所述第三配线不同的层，且分别与所述第一配线及所述第二配线电连接。
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公开(公告)号：CN112740309A
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN201880097809.7
申请日：2018-09-21
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G09F9/30
Abstract: 由第一金属膜形成的第一金属层(14fa、14fb)沿着相邻的一对第三配线(18f、18g)呈岛状设置，使得与由相互平行地延伸由第一金属膜形成的多条第一配线(14d、14e)中的相邻的一对第一配线(14d、14e)，以及在与各第一配线(14d、14e)交叉的方向上相互平行地延伸的多条第三配线(18f、18g)中的相邻的一对第三配线(18f、18g)包围的区域重叠。
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公开(公告)号：CN112655038A
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN201880097155.8
申请日：2018-09-06
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 在有源矩阵基板的制造方法中，形成基底无机绝缘膜的工序包括：在基底无机绝缘膜上涂布抗蚀剂的工序；通过第一灰化处理，在抗蚀剂的表面形成凹凸面的灰化处理工序；以及接着灰化处理工序，通过进行第二灰化处理和基底无机绝缘膜的蚀刻处理，使基底无机绝缘膜的表面粗面化的粗面化工序。在形成半导体膜的工序中，半导体膜的至少一部分仿照基底无机绝缘膜的粗糙面，从而对表面进行粗面化。
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公开(公告)号：CN108496244B
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN201780008343.4
申请日：2017-01-16
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L21/336 , G09F9/00 , G09F9/30 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L23/532 , H01L29/786
Abstract: 半导体装置具备具有结晶质硅半导体层(13)的第1薄膜晶体管(101)和具有氧化物半导体层(23)的第2薄膜晶体管(102)，第1薄膜晶体管(101)的第1源极电极(31)、第1漏极(33)隔着第1层间绝缘层(L1)设置在结晶质硅半导体层之上，第2薄膜晶体管(102)的第2源极电极(25S)电连接到与第1源极电极、第1漏极电极由同一导电膜形成的配线(35)，配线(35)隔着第2层间绝缘层(L2)设置在第2源极电极(25S)之上，并且在包含形成于第2层间绝缘层(L2)的开口的第2接触孔内与第2源极电极(25S)接触，第2源极电极具有包含主层(25m)和配置在主层之上的上层(25u)的层叠结构，在第2层间绝缘层的开口的下方，上层(25u)具有第1开口部，主层(25m)具有第2开口部(p2)或凹部，当从基板的法线方向观看时，第2开口部(p2)或凹部比第1开口部(p1)大。
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