公开(公告)号：CN110854143A

公开(公告)日：2020-02-28

申请号：CN201910742131.X

申请日：2019-08-13

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 中野文树 ,  中泽淳 ,  森胁弘幸 ,  泷田力也

IPC: H01L27/146

Abstract: 有源矩阵基板在由栅极线和数据线限定的像素(P)中具有光电转换元件(42)。光电转换元件(42)与偏置布线连接，偏置布线与向偏置布线供给偏置电压的偏置端子(11)连接。偏置端子(11)与由非线性元件构成的第一保护电路(21)连接。第一保护电路(21)以反向偏置状态在供给高于偏置电压的规定电压的第一布线(31)与偏置端子(11)之间被连接。

公开(公告)号：CN108604735B

公开(公告)日：2020-02-07

申请号：CN201780011235.2

申请日：2017-02-13

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 大类贵俊 ,  中泽淳 ,  中村涉 ,  箕浦洁 ,  大竹忠 ,  中野文树

IPC: H01Q13/22 ,  H01Q3/34 ,  H01Q3/44

Abstract: 扫描天线(1000)是排列有天线单位(U)的扫描天线，包括：TFT基板(101)，其具有第一电介质基板(1)、TFT、栅极总线、源极总线和贴片电极(15)；缝隙基板(201)，其具有第二电介质基板(51)和缝隙电极(55)；液晶层LC，其设置于TFT基板和缝隙基板之间；反射导电板(65)；缝隙电极具有分别与贴片电极对应配置的缝隙(57)，至少在排列所述天线单位(U)的区域中，所述第二电介质基板(51)的厚度小于所述第一电介质基板(1)的厚度。

公开(公告)号：CN110392927A

公开(公告)日：2019-10-29

申请号：CN201880016980.0

申请日：2018-03-15

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 泷田力也 ,  中村涉 ,  中野文树 ,  富安一秀 ,  中泽淳 ,  森胁弘幸

IPC: H01L27/146 ,  H01L27/144 ,  H01L29/786 ,  H04N5/32 ,  H04N5/369

Abstract: 本发明的一个方面的摄像装置具备：光电转换部，其将入射的光转换为电荷；以及检测部，其检测由光电转换部产生的电荷，光电转换部具备按矩阵状排列的多个光电二极管，检测部具备与多个光电二极管对应设置并按矩阵状排列的多个TFT，光电二极管具备下部电极、半导体层以及上部电极，在半导体层的周缘部，在下部电极的厚度方向的至少一部分与半导体层之间设置有绝缘层，绝缘层的端部具有该绝缘层的下表面与侧面形成锐角的锥形形状。

公开(公告)号：CN110098209A

公开(公告)日：2019-08-06

申请号：CN201910093472.9

申请日：2019-01-30

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 中泽淳 ,  富安一秀 ,  中野文树 ,  中村友

IPC: H01L27/146

Abstract: 本发明提供一种能够抑制水分向用于X射线摄像装置的有源矩阵基板侵入的有源矩阵基板及包括该基板的X射线摄像面板。有源矩阵基板(1)在各像素(P1)中包括：光电转换元件(12)，其具有一对电极和设置于该一对电极之间的半导体层；第一平坦化膜(106)，其覆盖光电转换元件(12)，并由有机类树脂膜构成；以及第一无机绝缘膜(107)，其覆盖第一平坦化膜(106)。第一平坦化膜(106)和第一无机绝缘膜(107)设置至像素区域的外侧。在像素区域的外侧，为了不露出第一平坦化膜(106)，第一平坦化膜(106)被第一无机绝缘膜(107)覆盖。

公开(公告)号：CN108701719A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201780012395.9

申请日：2017-02-21

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 伊东一笃 ,  金子诚二 ,  神崎庸辅 ,  齐藤贵翁 ,  中泽淳

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/00 ,  G09F9/30 ,  H01L21/336 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L27/124 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1274 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/51 ,  H01L29/786 ,  H01L29/78651 ,  H01L29/78684

Abstract: 本发明的实施方式的半导体装置的制造方法包含：工序(C)，在栅极绝缘层上，形成多个薄膜晶体管的氧化物半导体层；工序(F)，在层间绝缘层，形成位于有源区域与多个端子部之间并且贯通层间绝缘层的开口部；以及工序(G)，在工序(F)之后，在层间绝缘层上形成上部导电部。在工序(C)中，在栅极绝缘层的位于有源区域与多个端子部之间的区域上形成保护层，保护层与氧化物半导体层由同一氧化物半导体膜形成。在工序(F)中，开口部以与保护层重叠的方式形成。

公开(公告)号：CN108496277A

公开(公告)日：2018-09-04

申请号：CN201680079814.6

申请日：2016-10-17

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 大竹忠 ,  箕浦洁 ,  中泽淳 ,  大类贵俊 ,  中村涉 ,  中野文树

IPC: H01Q3/34 ,  H01P1/30 ,  H01Q3/44 ,  H01Q13/08 ,  H01Q13/22

Abstract: 扫描天线(1000)是排列有天线单位(U)的扫描天线，包括：TFT基板(101)，其具有第一电介质基板(1)、TFT、栅极总线、源极总线和贴片电极(15)；缝隙基板(201)，其具有第二电介质基板(51)和形成于第二电介质基板的第一主面上的缝隙电极(55)；液晶层LC，其设置于TFT基板和缝隙基板之间；反射导电板(65)，其以隔着电介质层(54)与第二电介质基板(51)的与第一主面相反一侧的第二主面相对的方式配置；缝隙电极具有分别与贴片电极对应配置的缝隙，还具有被配置于TFT基板(101)的外侧或缝隙基板(201)的外侧的加热器部(68)。

公开(公告)号：CN107408759A

公开(公告)日：2017-11-28

申请号：CN201680012918.5

申请日：2016-10-25

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 中泽淳 ,  大类贵俊 ,  中村涉 ,  大竹忠 ,  中野文树 ,  箕浦洁

IPC: H01Q3/34 ,  G02F1/13 ,  H01Q3/44 ,  H01Q13/22 ,  H01Q21/06

CPC classification number: H01Q1/243 ,  G02F1/1313 ,  G02F1/13394 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/136213 ,  G02F1/292 ,  G02F2202/42 ,  G02F2203/62 ,  H01L23/66 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1262 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78669 ,  H01L29/78678 ,  H01L29/7869 ,  H01L2223/6677 ,  H01Q1/125 ,  H01Q1/364 ,  H01Q3/242 ,  H01Q3/34 ,  H01Q3/44 ,  H01Q3/46 ,  H01Q13/10 ,  H01Q13/22 ,  H01Q21/06

Abstract: 扫描天线(1000)排列有天线单位(U)，具有：TFT基板(101)，其具有第1电介质基板(1)、TFT、栅极总线、源极总线以及贴片电极(15)；缝隙基板(201)，其具有第2电介质基板(51)和缝隙电极(55)；液晶层(LC)，其设置于TFT基板与缝隙基板之间；以及反射导电板(65)。缝隙电极具有与贴片电极分别对应配置的缝隙(57)。在从第1电介质基板的法线方向观看时，若将离缝隙的边缘的距离为0.3mm处以内的区域设为第1区域(Rp1)，将离贴片电极的边缘的距离为0.3mm处以内的区域设为第2区域(Rp2)，则设置在TFT基板与缝隙基板之间的多个间隔物结构体(75)配置为不与第1区域和/或第2区域重叠。

公开(公告)号：CN104081507B

公开(公告)日：2017-03-22

申请号：CN201380007575.X

申请日：2013-01-24

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 宫本忠芳 ,  伊东一笃 ,  森重恭 ,  宫本光伸 ,  小川康行 ,  中泽淳 ,  内田诚一 ,  松尾拓哉

IPC: H01L21/336 ,  G09F9/00 ,  G09F9/30 ,  H01L27/32 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/4908 ,  H01L21/441 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/127 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869

Abstract: 半导体装置(100A)包括：基板(2)；在基板体层(5)电连接的源极电极(6s)和漏极电极(6d)；与漏极电极(6d)电连接的第一透明电极(7)；在源极电极(6s)和漏极电极(6d)上形成的电介质层(8)；和在电介质层(8)上形成的第二透明电极(9)。第一透明电极(7)的上表面和下表面中的至少一个与具有将氧化物半导体层(5)所含的氧化物半导体还原的性质的还原绝缘层(8a)接触。第二透明电极(9)的至少一部分隔着电介质层(8)与第一透明电极(7)重叠，氧化物半导体层(5)和第一透明电极(7)由相同的氧化物膜形成。(2)上形成的氧化物半导体层(5)；与氧化物半导

公开(公告)号：CN104094386A

公开(公告)日：2014-10-08

申请号：CN201380007483.1

申请日：2013-01-24

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 宫本忠芳 ,  伊东一笃 ,  森重恭 ,  宫本光伸 ,  小川康行 ,  中泽淳 ,  松尾拓哉 ,  内田诚一

IPC: H01L21/336 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/66969 ,  G02F1/136213 ,  G02F2001/134372 ,  G02F2201/40 ,  G02F2201/50 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/44 ,  H01L23/564 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/127 ,  H01L29/45 ,  H01L29/7869 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78693

Abstract: 半导体装置(100A)包括：基板(2)；在基板(2)上形成的栅极电极(3)；在栅极电极(3)上形成的栅极绝缘层(4)；在栅极绝缘层(4)上形成的氧化物半导体层(5)；与氧化物半导体层(5)电连接的源极电极(6s)和漏极电极(6d)；与漏极电极(6d)电连接的第一透明电极(7)；包括在源极电极(6s)和漏极电极(6d)上形成的电介质层(8a)的层间绝缘层(8)；和在层间绝缘层(8)上形成的第二透明电极(9)，第二透明电极(9)的至少一部分隔着电介质层(8a)与第一透明电极(7)重叠，氧化物半导体层(5)和第一透明电极(7)由相同的氧化物膜形成。

公开(公告)号：CN102884632A

公开(公告)日：2013-01-16

申请号：CN201180022718.5

申请日：2011-04-27

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 中泽淳

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1255 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78618

Abstract: 本发明提供一种在基板（3）上设置的TFT（17）。TFT（17）具备栅极电极（31）、栅极绝缘膜（32）、半导体（33）、源极电极（34）、漏极电极（35）和保护膜（36）。半导体（33）包含金属氧化物半导体，具有与源极电极（34）连接的源极部（33a）、与漏极电极（35）连接的漏极部（33b）、从源极电极（34）和漏极电极（35）露出的沟道部（33c）。在源极部（33a）和漏极部（33b）分别形成有电阻相对较小的导电层（37）。沟道部（33c）中导电层（37）被除去。