公开(公告)号：CN1669146A

公开(公告)日：2005-09-14

申请号：CN03816316.0

申请日：2003-07-15

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 丰田健治 ,  大塚隆

IPC: H01L27/105 ,  H01L29/866

CPC classification number: G11C11/22

Abstract: 铁电门器件包含铁电电容器(1)、根据施加电压起着电阻或电容器功能的开关元件(2)、具有源极、漏极和门极的场效应晶体管(6)，铁电电容器(1)的一端具有输入端子(IN)，铁电电容器(1)的另一端与开关元件(2)的一端连接，开关元件(2)的另一端和场效应晶体管(6)的门极连接，通过在输入端子上施加电压，在铁电体的电容器(1)上施加上铁电电容器(1)具有的铁电体的矫顽电压(Vc)以上的电压时，开关元件(2)作为电阻工作，通过在输入端子上施加电压，在铁电电容器(1)上施加上比铁电电容器(1)具有的铁电体的矫顽电压(Vc)小的电压时，开关元件(2)作为电容器工作。

公开(公告)号：CN1643679A

公开(公告)日：2005-07-20

申请号：CN03807123.1

申请日：2003-03-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 西川孝司 ,  大塚隆

IPC: H01L21/8247 ,  H01L27/105 ,  H01L29/788

CPC classification number: H01L21/28291 ,  H01L21/28273 ,  H01L29/78391

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置，其特征在于：具有半导体基板(11)、在该半导体基板(11)上通过夹持沟道区域(14)而形成的源极区域(12)和漏极区域(13)、在所述沟道区域(14)中通过门绝缘膜(151)而形成的浮栅电极(152)、在浮栅电极(152)上形成的铁电体膜(154)、及在铁电体膜(154)上形成的控制门电极(156)。在浮栅电极(152)和铁电体膜(154)之间、及铁电体膜(154)与控制门电极(156)之间的至少一方形成有中间绝缘膜(153、155)，各中间绝缘膜(153、155)是由含有氮原子的铪氧化物所形成。

公开(公告)号：CN1639867A

公开(公告)日：2005-07-13

申请号：CN03804919.8

申请日：2003-07-01

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 森本廉 ,  田中英行 ,  大塚隆 ,  宫本明人

IPC: H01L27/10 ,  H01L45/00 ,  G11C13/00

CPC classification number: G11C13/0004 ,  H01L27/0814 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/1273 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1666 ,  H01L45/1675

Abstract: 本发明涉及一种非易失性存储器，包括第一电极(11)及第二电极(12)、和夹持于上述第一电极(11)和第二电极(12)之间并在上述第一电极(11)及第二电极(12)之间施加电脉冲从而使电阻值进行变化的相变化记录体(14)，上述第一电极(11)及第二电极(12)的至少一方含有钌、铑或锇中的至少一种以上作为主成分，上述相变化记录体(14)由含有硫族元素的相变化材料构成。根据该非易失性存储器，就可以抑制因通电的特性恶化(即，电极和相变化记录体的不纯物相互扩散)并可以提高耐久性及可靠性。

公开(公告)号：CN1602550A

公开(公告)日：2005-03-30

申请号：CN02824786.8

申请日：2002-12-04

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 田中英行 ,  大塚隆 ,  森田清之 ,  森本廉

IPC: H01L27/10 ,  H01L45/00

CPC classification number: H01L27/2463 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1273 ,  H01L45/144 ,  H01L45/16 ,  H01L45/1625

Abstract: 一种非易失性存储器(1)，包括：具有贯通表背面的多个第一电极(15)的绝缘基板(11)；在绝缘基板(11)的一方面侧形成的第二电极(12)；和夹持在第一电极(15)与第二电极(12)之间，通过在第一电极(15)与第二电极(12)之间加上电脉冲，改变电阻值的记录层(14)，在构成单一的存储单元(MC)的区域中，使多个第一电极(15)与记录层(14)电连接。如果利用该非易失性存储器(1)，则可以减少消耗功率，能够得到高的设计自由度和可靠性。

公开(公告)号：CN1491441A

公开(公告)日：2004-04-21

申请号：CN02805017.7

申请日：2002-06-21

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 上田路人 ,  大塚隆 ,  森田清之

IPC: H01L27/105 ,  H01L29/788 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L27/11502 ,  G11C11/22 ,  G11C11/223 ,  G11C11/54 ,  G11C11/5657 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11507 ,  H01L29/7881

Abstract: 本发明的半导体器件及其驱动方法，是提供一种多值存储器或类神经电脑的类神经元件所能使用的能够保持多值信息的半导体器件及其驱动方法。此半导体器件具有：控制电压供应部分(110)；及MOS晶体管，其具有栅极电极(109)、漏极区域(103a)和源极区域(103b)；及电介质电容器(104)和电阻元件(106)，它们是设置于栅极电极(109)和控制电压供应部分(110)之间，且相互并联。根据此构成，当施加电压并储存电荷于电介质电容器(104)的中间电极和栅极电极(109)，即能改变MOS晶体管的阈值。所以，就能将输入信号的经历予以存储而作成MOS晶体管的漏极电流的变化状态，并能保持多值信息。