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公开(公告)号：CN100365815C
公开(公告)日：2008-01-30
申请号：CN200480000648.3
申请日：2004-05-07
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C13/0004 , G11C14/009 , H01L27/1104 , H01L27/24 , H01L45/04 , H01L45/145
Abstract: 一种非易失性存储器，包括：第一基板(100)和第二基板(110)，所述第一基板(100)具有多个排列成矩阵的开关元件(4)和多个连接在所述开关元件(4)的第一电极(18)，所述第二基板(110)具有导电膜(32)，和通过提供电脉冲改变阻值的记录层(34)，其中，所述多个第一电极(18)被所述记录层(34)完整地覆盖，该记录层(34)由此位于所述多个第一电极(18)和所述导电膜(32)之间；所述第一基板(100)还包括第二电极(22)，和所述第二电极(22)与所述导电膜(32)电联接，当给所述记录层(34)施加电流时，所述第二电极(22)的电压保持在一定的水平上。该非易失性存储器以低成本获得高集成度。
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公开(公告)号：CN1311553C
公开(公告)日：2007-04-18
申请号：CN02824786.8
申请日：2002-12-04
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/1273 , H01L45/144 , H01L45/16 , H01L45/1625
Abstract: 一种非易失性存储器(1)，包括：具有贯通表背面的多个第一电极(15)的绝缘基板(11)；在绝缘基板(11)的一方面侧形成的第二电极(12)；和夹持在第一电极(15)与第二电极(12)之间，通过在第一电极(15)与第二电极(12)之间加上电脉冲，改变电阻值的记录层(14)，在构成单一的存储单元(MC)的区域中，使多个第一电极(15)与记录层(14)电连接。如果利用该非易失性存储器(1)，则可以减少消耗功率，能够得到高的设计自由度和可靠性。
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公开(公告)号：CN1698204A
公开(公告)日：2005-11-16
申请号：CN200480000648.3
申请日：2004-05-07
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C13/0004 , G11C14/009 , H01L27/1104 , H01L27/24 , H01L45/04 , H01L45/145
Abstract: 一种非易失性存储器，包括：第一基板(100)和第二基板(110)，所述第一基板(100)具有多个排列成矩阵的开关元件(4)和多个连接在所述开关元件(4)的第一电极(18)，所述第二基板(110)具有导电膜(32)，和通过提供电脉冲改变阻值的记录层(34)，其中，所述多个第一电极(18)被所述记录层(34)完整地覆盖，该记录层(34)由此位于所述多个第一电极(18)和所述导电膜(32)之间；所述第一基板(100)还包括第二电极(22)，和所述第二电极(22)与所述导电膜(32)电联接，当给所述记录层(34)施加电流时，所述第二电极(22)的电压保持在一定的水平上。该非易失性存储器以低成本获得高集成度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1639867A
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN03804919.8
申请日：2003-07-01
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C13/0004 , H01L27/0814 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/1273 , H01L45/144 , H01L45/1625 , H01L45/1666 , H01L45/1675
Abstract: 本发明涉及一种非易失性存储器，包括第一电极(11)及第二电极(12)、和夹持于上述第一电极(11)和第二电极(12)之间并在上述第一电极(11)及第二电极(12)之间施加电脉冲从而使电阻值进行变化的相变化记录体(14)，上述第一电极(11)及第二电极(12)的至少一方含有钌、铑或锇中的至少一种以上作为主成分，上述相变化记录体(14)由含有硫族元素的相变化材料构成。根据该非易失性存储器，就可以抑制因通电的特性恶化(即，电极和相变化记录体的不纯物相互扩散)并可以提高耐久性及可靠性。
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公开(公告)号：CN1602550A
公开(公告)日：2005-03-30
申请号：CN02824786.8
申请日：2002-12-04
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/1273 , H01L45/144 , H01L45/16 , H01L45/1625
Abstract: 一种非易失性存储器(1)，包括：具有贯通表背面的多个第一电极(15)的绝缘基板(11)；在绝缘基板(11)的一方面侧形成的第二电极(12)；和夹持在第一电极(15)与第二电极(12)之间，通过在第一电极(15)与第二电极(12)之间加上电脉冲，改变电阻值的记录层(14)，在构成单一的存储单元(MC)的区域中，使多个第一电极(15)与记录层(14)电连接。如果利用该非易失性存储器(1)，则可以减少消耗功率，能够得到高的设计自由度和可靠性。
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公开(公告)号：CN100337333C
公开(公告)日：2007-09-12
申请号：CN03808090.7
申请日：2003-04-02
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L27/11 , H01L29/788 , H03K3/356 , G11C11/40
CPC classification number: G11C14/0072 , G11C8/16 , G11C13/0004 , G11C14/009 , H01L21/28291 , H01L27/101 , H01L27/11 , H03K3/356008
Abstract: 本发明的非易失性触发器，包括：触发器部(4)，其具有一对用于存储一对逆逻辑的数据的存储结点(5、6)；一对非易失性电阻变化元件(11、12)，其借助开关元件(9，10)分别与上述一对存储结点(5、6)连接，其电阻以可保存的方式变化，该非易失性触发器的结构为：在存储动作中，可以根据上述一对存储结点(5、6)的各自的电位改变上述一对非易失性电阻变化元件(11、12)的电阻，在检索动作中，可以将上述一对存储结点(5、6)的每一个设定为与上述一对非易失性电阻变化元件(11、12)的电阻差对应的电位。
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公开(公告)号：CN1647279A
公开(公告)日：2005-07-27
申请号：CN03808090.7
申请日：2003-04-02
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L27/11 , H01L29/788 , H03K3/356 , G11C11/40
CPC classification number: G11C14/0072 , G11C8/16 , G11C13/0004 , G11C14/009 , H01L21/28291 , H01L27/101 , H01L27/11 , H03K3/356008
Abstract: 本发明的非易失性触发器，包括：触发器部(4)，其具有一对用于存储一对逆逻辑的数据的存储结点(5、6)；一对非易失性电阻变化元件(11、12)，其借助开关元件(9，10)分别与上述一对存储结点(5、6)连接，其电阻以可保存的方式变化，该非易失性触发器的结构为：在存储动作中，可以根据上述一对存储结点(5、6)的各自的电位改变上述一对非易失性电阻变化元件(11、12)的电阻，在检索动作中，可以将上述一对存储结点(5、6)的每一个设定为与上述一对非易失性电阻变化元件(11、12)的电阻差对应的电位。
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公开(公告)号：CN1639868A
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN03804920.1
申请日：2003-03-31
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C13/0004 , B82Y10/00 , G11B9/04 , G11B9/14 , G11B9/1409 , G11B9/1418 , G11B9/1463 , G11B9/149 , G11C11/22 , H01L27/101 , H01L27/2472 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/1273 , H01L45/144 , H01L45/16
Abstract: 本发明涉及一种非易失性存储器，包括：具有贯通正反面的第一电极(18)的绝缘基板(11)；在绝缘基板(11)的一面侧上形成的第二电极(13)；以及夹持在第一电极(18)与第二电极(13)之间、通过对第一电极(18)与第二电极(13)之间施加电脉冲而改变电阻值的记录层(12)。绝缘基板(11)包括：有机介电体薄膜(112)与厚度小于有机介电体薄膜(112)的无机介电体薄膜(111)的叠层结构，在形成无机介电体层(111)的一侧形成记录层(12)。采用该非易失性存储器，能够省电力，同时能够增大数据可改写(更新)次数。
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