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公开(公告)号：CN101548324A
公开(公告)日：2009-09-30
申请号：CN200880000927.8
申请日：2008-04-10
Applicant: 索尼碟片数位解决方案股份有限公司 , 株式会社神户制钢所 , 克贝鲁可科研股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种包括反射膜的只读光学信息记录介质，该反射膜具有高反射率，并且在被保持在高温高湿环境中时的耐环境性以及在被保持在高强度光照射环境中时的耐光性和对于重复再生试验的重复再生耐用性方面都很优良。在基板上顺序层压了至少一层反射膜和至少一层透光层的只读光学信息记录介质中，所述反射膜由包括0.01at％～1.0at％的Bi和0.1at％～13.0at％的Cu的Ag基合金构成。
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公开(公告)号：CN100334239C
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：CN200410100020.2
申请日：2004-11-30
Applicant: 株式会社神户制钢所
CPC classification number: C22C5/06 , C23C14/185 , C23C14/3414 , Y10T428/12896
Abstract: 本发明提供一种兼有低电阻率、高耐热性的FPD用Ag基合金配线电极膜、以及用于形成该Ag基合金配线电极膜的FPD用Ag基合金溅射靶、以及具备该Ag基合金配线电极膜的FPD。本发明的FPD用Ag基合金配线电极膜，在有源型FPD的情况下，构成连接到用于使其驱动的TFT2上的配线电极膜(3)、(4)、(5)、(6)、(7)。所述配线电极膜，由含有0.1～4.0at%的Nd、和/或0.01～1.5at%的Bi、剩余部分实质上由Ag构成的Ag基合金形成。除了Nd之外，所述Ag基合金还可以含有合计0.01～1.5at%的选自由Cu、Au、Pd构成的物质组中的一种或者两种以上元素。
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公开(公告)号：CN1331138C
公开(公告)日：2007-08-08
申请号：CN200510066665.3
申请日：2005-04-21
Applicant: 株式会社神户制钢所
CPC classification number: G11B7/258 , G11B7/2533 , G11B7/2534 , G11B7/259 , Y10T428/21
Abstract: 考虑到这种情况，完成了本发明，且本发明的一个目的是发现显示通过纯Ag或通过常规Ag合金没有实现的水平的高耐内聚性、高耐光性、高耐热性、高反射率、高透射率、低吸光率，和高热传导率的Ag基合金，和在这种合金的基础上，提供一种具有优异写/读性能和长期使用可靠性的光学信息记录介质用半反射膜和反射膜；在沉积这种半反射膜和反射膜中使用的光学信息记录介质用溅射靶材；和一种配备有这种半反膜或反射膜的光学信息记录介质。光学信息记录介质用半反射膜或反射膜，其包含Ag基合金，其中Ag基合金包含0.005至0.40%(原子%，除非另外注明)的Bi和总量为0.05至5%的选自Zn、Al、Ga、In、Si、Ge和Sn中的至少一种元素。
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公开(公告)号：CN1303437C
公开(公告)日：2007-03-07
申请号：CN200410063217.3
申请日：2004-06-30
Applicant: 株式会社神户制钢所
CPC classification number: C23C14/024 , C23C14/185 , C23C14/3414 , C23C14/541 , G02B5/08 , Y10T428/12472 , Y10T428/12993
Abstract: 一种反射器用银合金反射膜及反射器，(1)是以表面粗糙度Ra在2.0nm以下为特征的反射器用银合金反射膜，(2)在上述银合金反射膜中含有合计0.1%～3.0原子%的稀土类元素(Nd等)，或者是进一步含有合计0.5%～5.0原子%的Au、Pd、Cu、Pt中的一种以上的反射器用银合金反射膜，(3)在基体上形成上述银合金反射膜的反射器等。该反射器用银合金反射膜和反射器，即使在加热环境下表面平滑性也优良、显示高反射率。
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公开(公告)号：CN1734606A
公开(公告)日：2006-02-15
申请号：CN200510083393.8
申请日：2005-07-14
Applicant: 株式会社神户制钢所
Abstract: 一种用于光学信息记录介质的Ag合金反射膜，其含有Ag作为主要组分，还含有总量大于3.0atom％且小于或等于10atom％的选自Nd、Sn、Gd和In的至少一种元素。该反射膜还可以含有0.01－3atom％的Bi和Sb中的至少一种，和/或还可以含有20atom％或更少的选自Mn、Cu、La和Zn的至少一种元素。一种光学信息记录介质，其包括该Ag合金反射膜，可以进行激光标示。一种Ag合金溅射目标，具有与Ag合金反射膜类似的组成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1576892A
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN200410063217.3
申请日：2004-06-30
Applicant: 株式会社神户制钢所
CPC classification number: C23C14/024 , C23C14/185 , C23C14/3414 , C23C14/541 , G02B5/08 , Y10T428/12472 , Y10T428/12993
Abstract: 一种反射器用银合金反射膜及反射器，(1)是以表面粗糙度Ra在2.0nm以下为特征的反射器用银合金反射膜，(2)在上述银合金反射膜中含有合计0.1％～3.0原子％的稀土类元素(Nd等)，或者是进一步含有合计0.5％～5.0原子％的Au、Pd、Cu、Pt中的一种以上的反射器用银合金反射膜，(3)在基体上形成上述银合金反射膜的反射器等。该反射器用银合金反射膜和反射器，即使在加热环境下表面平滑性也优良、显示高反射率。
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公开(公告)号：CN111788631B
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN201980013291.9
申请日：2019-05-08
Applicant: 株式会社神户制钢所
Inventor： 田内裕基
IPC: G11B7/2433 , C23C14/08 , C23C14/34 , G11B7/24035 , G11B7/2578 , G11B7/26
Abstract: 本发明为一种光信息记录媒体用记录层、光信息记录媒体以及溅镀靶。光信息记录媒体用记录层为可通过激光的照射来记录信息信号的光信息记录媒体用记录层，其具有包括Mn氧化物、W氧化物及Sn氧化物的金属氧化物。此外，相对于构成所述金属氧化物的金属元素的合计原子数，Mn的原子数比例为3atm％以上且40atm％以下。
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公开(公告)号：CN110337693B
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN201880012085.1
申请日：2018-01-15
Applicant: 株式会社神户制钢所
Inventor： 田内裕基
IPC: G11B7/2578 , G11B7/243 , G11B7/26 , C23C14/08 , C23C14/34
Abstract: 本发明的目的在于提供在直接层叠的氧化物系记录层中可进行良好的信息记录且无需预防健康问题的措施、耐久性高的电介质层、光记录媒体、溅镀靶材及氧化物。本发明的电介质层由含有Sn元素、以及Zn元素、Zr元素、Si元素及Ga元素中的至少一种元素的氧化物形成，在相对于氧化物的氧以外的所有元素而将Sn元素的含有率设为a摩尔％、Zn元素的含有率设为b摩尔％、Zr元素的含有率设为c摩尔％、Si元素的含有率设为d摩尔％、及Ga元素的含有率设为e摩尔％的情况下，满足下述式(1)～式(7)。0≦b/(a+b)≦0.6···(1)0≦(c+d)/(a+b+c+d+e)≦0.5···(2)0≦b≦50···(3)0≦c≦40···(4)0≦d≦45···(5)0≦e≦40···(6)20≦b+c+d+e≦80···(7)。
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公开(公告)号：CN110603590B
公开(公告)日：2021-02-12
申请号：CN201880030084.X
申请日：2018-04-24
Applicant: 株式会社神户制钢所
Inventor： 田内裕基
IPC: G11B7/258 , C23C14/06 , C23C14/08 , C23C14/34 , G11B7/24056 , G11B7/24085 , G11B7/26
Abstract: 本发明涉及在基板上依次层叠有反射膜和透光层至少各一层，由蓝色激光进行信息的再生的只读的光信息记录介质，反射膜由含有Sn和Zn的金属氧化物或含有In的金属氧化物形成，并且，反射膜的膜厚为20nm以上、70nm以下。根据本发明，能够提供因高反射率和低抖动(再生信号在时间轴上的摆动少)而再生稳定性优异，并且耐久性也良好的只读光信息记录介质。
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公开(公告)号：CN112018260A
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN202010453857.4
申请日：2020-05-26
Applicant: 株式会社神户制钢所
Inventor： 田内裕基
Abstract: 本发明涉及一种即便使作为反射膜的Al合金膜与氧化物导电膜直接接触，也可确保低接触电阻与高反射率，且耐热性也优异的反射阳极电极，其用于有机EL显示器，且所述反射阳极电极具有层叠结构，所述层叠结构包含Al合金膜及氧化物导电膜，在所述Al合金膜及所述氧化物导电膜的接触界面介隔存在以氧化铝为主成分的层，所述Al合金膜包含Si及稀土类元素，当将所述Si的含量设为a(原子％)，将所述稀土类元素的合计含量设为b(原子％)时，满足0.62＜{a/(a+b)}、0.2＜a＜3及0.1＜b的关系，且所述以氧化铝为主成分的层包含Si。另外，还涉及一种薄膜晶体管基板、有机EL显示器、以及溅镀靶材。
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