公开(公告)号：CN100559595C

公开(公告)日：2009-11-11

申请号：CN200810158354.3

申请日：2008-10-31

Applicant: 济南大学

Inventor： 胡广达 ,  闫静 ,  陈雪梅 ,  杨长红 ,  武卫兵 ,  殷在梅 ,  程玲 ,  王金翠

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/02 ,  H01L21/8247

Abstract: 本发明涉及一种用于铁电存储器的BiFeO3-基三明治结构薄膜及其制备方法，属于微电子新材料技术领域。所述的BiFeO3-基三明治结构薄膜的上、下表层组分均为BiFe1-xHxO3，H为掺杂的四价及四价以上的高价离子，中间层组分为BiFe1-xLxO3，L为掺杂的三价及三价以下的离子；其制备方法为采用化学溶液法结合层层退火工艺，用旋转涂膜法将前驱体溶液沉积在不同材料的表层制得。本发明通过采用特殊的三明治结构，极大的降低了薄膜的漏电流，同时有效的降低矫顽场，明显的提高电荷保持力，在500℃～600℃的退火温度下得到了具有低漏电流、大剩余极化、低矫顽场，很好的电荷保持力的铁电薄膜，在未来的铁电存储器中具有良好的实用前景。

公开(公告)号：CN101388395A

公开(公告)日：2009-03-18

申请号：CN200810158354.3

申请日：2008-10-31

Applicant: 济南大学

Inventor： 胡广达 ,  闫静 ,  陈雪梅 ,  杨长红 ,  武卫兵 ,  殷在梅 ,  程玲 ,  王金翠

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/02 ,  H01L21/8247

Abstract: 本发明涉及一种用于铁电存储器的BiFeO3－基三明治结构薄膜及其制备方法，属于微电子新材料技术领域。所述的BiFeO3－基三明治结构薄膜的上、下表层组分均为BiFe1－xHxO3，H为掺杂的四价及四价以上的高价离子，中间层组分为BiFe1－xLxO3，L为掺杂的三价及三价以下的离子；其制备方法为采用化学溶液法结合层层退火工艺，用旋转涂膜法将前驱体溶液沉积在不同材料的表层制得。本发明通过采用特殊的三明治结构，极大的降低了薄膜的漏电流，同时有效的降低矫顽场，明显的提高电荷保持力，在500℃～600℃的退火温度下得到了具有低漏电流、大剩余极化、低矫顽场，很好的电荷保持力的铁电薄膜，在未来的铁电存储器中具有良好的实用前景。

公开(公告)号：CN101367671A

公开(公告)日：2009-02-18

申请号：CN200810140200.1

申请日：2008-09-12

Applicant: 济南大学

Inventor： 胡广达 ,  闫静 ,  武卫兵 ,  杨长红 ,  程玲 ,  殷在梅 ,  王金翠

IPC: C04B41/52

Abstract: 本发明属于铁电复合薄膜材料技术领域，具体涉及一种用于高温压电器件的无铅双层铁电复合薄膜材料及其制备方法。本发明采用化学溶液法结合层层快速退火工艺，制备在衬底材料上生长作为底层的高(110)－或(111)－取向的BiFeO3薄膜和作为表层的高居里点铋系层状钙钛矿薄膜，其中高(110)－或(111)－取向的BiFeO3薄膜，厚度为0.1μm～1μm，高居里点铋系层状钙钛矿薄膜，厚度为10nm～60nm。本发明在500℃～600℃的退火温度下得到了具有大剩余极化、低漏电流、抗疲劳性能好和高压电常数的无铅双层铁电复合薄膜，在未来的高温压电器件中具有良好的实用前景。

公开(公告)号：CN119804134A

公开(公告)日：2025-04-11

申请号：CN202510300485.4

申请日：2025-03-14

Applicant: 济南大学

Inventor： 王果果 ,  李子豪 ,  黄世峰 ,  侯鹏坤 ,  杨长红 ,  程新

IPC: G01N3/08 ,  G01N3/02 ,  G01B11/30 ,  G01N21/88

Abstract: 本发明属于水泥性能检测技术领域，尤其是一种硫铝酸钙水泥抗压性能检测装置及方法，针对抗压性能检测时会因水泥块的表面问题导致受力不均，影响检测结果准确性的问题，现提出以下方案，包括检测箱，所述检测箱的旁侧设置有底座，底座的上侧固定连接有自检台，且自检台上设置有平整度自检模组。本发明公开的一种硫铝酸钙水泥抗压性能检测装置及方法，利用平整度自检模组能够在抗压性能检测前对待检测水泥块的外壁进行检测，避免因水泥块的外壁破损或凹缺影响后续检测结果的准确性；利用抗压检测模组能够在抗压检测过程中，保证装置的施力与水泥块的外壁始终处于垂直状态，避免因水泥块外壁水平不足而导致受力不均，影响检测结果。

公开(公告)号：CN118317681A

公开(公告)日：2024-07-09

申请号：CN202410440861.5

申请日：2024-04-12

Applicant: 济南大学

Inventor： 杨长红 ,  刘通 ,  黄世峰 ,  李成龙 ,  程新

IPC: H10N30/06 ,  H01L21/027 ,  B81C1/00 ,  B06B1/06

Abstract: 本发明公开了一种基于三张光刻版解决电极短路问题的压电MEMS换能器制备方法，包括以下步骤：在硅晶圆的上表面由下至上依次制备下电极层、压电薄膜层和上电极层；在硅晶圆的下表面生长绝缘层；分别对硅晶圆上表面、下表面使用光刻板进行第一轮光刻，暴露出上电极和下电极；分别在硅晶圆上、下表面生长Au，镀在上电极表面和下电极表面；分别在硅晶圆上、下表面使用光刻板进行第二轮光刻，上表面刻蚀至压电薄膜层，下表面刻蚀至下电极层。本发明将上下电极分别设置于硅晶圆的上下表面，从根本上避免了器件短路的问题，极大的提高了成品率。同时本发明仅用3张光刻版，整个工艺流程简洁，降低了时间成本及工艺难度，提供了生产效率。

公开(公告)号：CN118119262A

公开(公告)日：2024-05-31

申请号：CN202410045559.X

申请日：2024-01-12

Applicant: 济南大学

Inventor： 杨长红 ,  李春刚 ,  刘通 ,  李成龙 ,  司景翔 ,  师庆宇 ,  林秀娟 ,  黄世峰

IPC: H10N30/078 ,  H10N30/04 ,  H10N30/853 ,  B81C1/00

Abstract: 本申请公开一种6英寸铁酸铋基梯度薄膜和MEMS芯片的制备方法，涉及功能薄膜材料及微加工工艺器件技术领域，得到的6英寸的大面积薄膜的制备工艺为：配置不同Gd掺杂浓度的BGFO溶胶；将制得的BGFO溶胶，依次旋涂在SOI晶圆衬底上，得到BGFO薄膜；Gd掺杂浓度沿厚度方向等比例递增；将制得的BGFO薄膜放入快速退火炉或热台中进行干燥，在快速退火炉热解和退火，经过层层退火制得所述铁酸铋基薄膜。本发明薄膜结构致密，表面起伏较小，具有良好的压电铁电性能，并且未加电场极化就具有特定的自极化方向。同时提供了MEMS芯片的制备工艺。本发明的MEMS芯片在微型化电子元器件应用方面具有很大的潜力。

公开(公告)号：CN112537955B

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN202011504782.4

申请日：2020-12-18

Applicant: 济南大学

Inventor： 杨长红 ,  黄世峰 ,  冯超 ,  钱进 ,  张晓芳 ,  林秀娟 ,  刘芬 ,  程新

IPC: C04B35/472 ,  C04B35/622 ,  C04B41/88 ,  B06B1/06

Abstract: 本发明公开了一种掺杂改性钪酸铋‑钛酸铅‑铁酸铋三元体系的压电陶瓷，该陶瓷的化学通式为，其中0.30≤x≤0.33，0.05≤y≤0.10，0.02≤a≤0.05，0.01≤b≤0.03，0.01≤c≤0.03，采用金属氧化物为原料，通过固相反应法制备该压电陶瓷。本发明还公开了基于该压电陶瓷的偶极子发射换能器，换能器在空气中的谐振频率约为2~3kHz，可耐200℃的高温及50MPa的高静水压。

公开(公告)号：CN115802863A

公开(公告)日：2023-03-14

申请号：CN202211424358.8

申请日：2022-11-15

Applicant: 济南大学

Inventor： 黄世峰 ,  张晓芳 ,  郭瑞 ,  刘通 ,  林秀娟 ,  杨长红 ,  程新

IPC: H10N30/084 ,  H10N30/02

Abstract: 本发明提供一种定量控制压电陶瓷球壳表面纤维层声阻抗和径向应力的方法，包括通过纤维与纤维粘结剂的种类和体积比确定纤维层的声阻抗，通过纤维粘结剂层的厚度和预应力需求确定热压成型容器中的压力，进而实现预应力的施加与纤维层固化的工艺。本发明可以利用纤维材料包覆压电陶瓷球壳，通过热压成型实现压电陶瓷球壳表面径向预应力的定量控制，具备设备要求低、方法简单、适用范围广等优势。

公开(公告)号：CN113984907A

公开(公告)日：2022-01-28

申请号：CN202111297764.8

申请日：2021-11-04

Applicant: 济南大学

Inventor： 黄世峰 ,  郭瑞 ,  张晓芳 ,  刘芬 ,  林秀娟 ,  杨长红 ,  程新

IPC: G01N29/30 ,  G01N29/14

Abstract: 本发明提供一种声发射传感器动态和静态特性标定方法，包括以下步骤：准备声发射采集仪、声发射传感器、铝板、氧化锆小球、前置放大器和计算机；将铝板平放于光滑桌面上，桌面须进行水平校准；将声发射传感器固定在铝板上，在距离声发射传感器9cm的位置垂直固定一把钢尺；将氧化锆小球在距离铝板1cm距离自由释放，每次释放增加；将氧化锆小球在距离铝板大于等于15 cm距离自由释放，每次释放减小；根据声发射传感器输入‑输出关系间接计算其静态特性和动态特性。该标定方法能够对声发射传感器进行较好的标定，在声发射传感器性能评价和标定等领域具有广泛的应用前景。

公开(公告)号：CN109494076B

公开(公告)日：2020-07-07

申请号：CN201811256156.0

申请日：2018-10-26

Applicant: 济南大学

Inventor： 杨长红 ,  韩亚洁 ,  钱进 ,  吕盼盼 ,  陈乐欣 ,  林秀娟 ,  黄世峰

IPC: H01G4/005 ,  H01G4/12 ,  H01G4/33

Abstract: 本发明属于电子功能材料与器件领域，具体涉及一种高储能特性的柔性钛酸铋钠基薄膜电容器及其制备方法。本发明的薄膜电容器，由柔性云母基片、Pt薄膜底电极、铁电薄膜层和金属Pt或Au顶电极组成。本发明的薄膜电容器，以钛酸铋钠基铁电薄膜作为功能层，其化学通式为0.97(0.94Na0.5Bi0.5TiO3‑0.06BaTiO3)‑0.03BiFeO3‑xCeO2‑yMnO2，其中0≤x≤1%，0≤y≤2%，且y＞x。本发明工艺简单、成本低廉，所制备的柔性钛酸铋钠基薄膜电容器耐弯折、储能密度大、储能效率高、热稳定性好、损耗低，可满足柔性储能元器件的要求。