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公开(公告)号：CN103311323B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201310249039.2
申请日：2013-06-21
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/068 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种石墨烯/硅太阳电池及其制造方法，该石墨烯/硅太阳电池自下而上依次有背面电极、p型硅层、n型硅层、n型掺杂的石墨烯层和正面电极，石墨烯掺杂载流子浓度不低于1012cm-2。其制造包括：先将p型硅片浸入化学制绒液中，使其表面形成绒面结构；然后将制绒后的样品通过磷扩散或磷离子注入进行磷掺杂形成n型硅层；再将n型掺杂的石墨烯转移至磷掺杂n型硅层上；在p型硅层上制作背面电极；在n型掺杂的石墨烯上制作正面电极。本发明的石墨烯/硅太阳电池利用石墨烯材料能提高太阳电池的开路电压，且可以降低太阳电池的串联电阻，提高输出功率。
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公开(公告)号：CN104916777A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201510229169.9
申请日：2015-05-08
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开一种锂离子掺杂石墨烯忆阻器，自下而上依次有绝缘衬底、锂离子掺杂的石墨烯层及两个金属电极，或者自下而上依次有绝缘衬底、两个金属电极和锂离子掺杂的石墨烯层。其制备方法如下：1）将石墨烯转移至洁净的绝缘衬底上，再在石墨烯上制作金属电极，或者在洁净的绝缘衬底上先制作金属电极，再将石墨烯转移至绝缘衬底上，获得石墨烯电阻器；2）通过给锂离子电池充电的方式，将锂离子掺入石墨烯层中，获得锂离子掺杂石墨烯忆阻器。本发明的锂离子掺杂石墨烯忆阻器利用石墨烯材料的大比表面积与高载流子率，并利用其表面的缺陷及多层石墨烯与锂离子形成的亚稳定结构，有利于在低成本及简单工艺的基础上制备具有优良电学性能的忆阻器。
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公开(公告)号：CN104600147A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201510021250.8
申请日：2015-01-16
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L31/074 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/074 , H01L31/028 , H01L31/0296 , H01L31/18 , H01L31/20
Abstract: 本发明涉及一种石墨烯/碲化镉太阳电池及其制备方法，该石墨烯/碲化镉太阳电池由衬底材料、石墨烯、碲化镉以及电极构成。光生载流子主要在碲化镉层中产生，石墨烯层与碲化镉层构成的肖特基结收集光生载流子。本发明的太阳电池利用低成本的碲化镉作为光吸收材料，工艺简单，并可以制作成为柔性电池和双面电池，扩大应用领域及提高实际发电量。
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公开(公告)号：CN104600131A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201510021263.5
申请日：2015-01-16
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L31/0216 , H01L31/09 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/02161 , H01L31/09 , H01L31/1868
Abstract: 本发明公开了一种界面钝化的石墨烯/硅光电探测器，自下而上依次有背面电极、硅片、氧化铝层、石墨烯层以及正面电极；其制备方法为：首先在洁净的硅片一面生长厚度为0.2~10nm的氧化铝层，将石墨烯转移至氧化铝层上，然后在石墨烯以及硅片另一面上分别制作正面电极和背面电极。本发明在硅片与石墨烯之间加入氧化铝界面钝化层，采用这样的特殊结构可以提高光电探测器的光生电压，同时可以提高其开关比，本发明的方法工艺简单，成本低廉，便于推广。
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公开(公告)号：CN104591168A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201510021264.X
申请日：2015-01-16
Applicant: 浙江大学
IPC: C01B31/04
Abstract: 本发明公开了一种硅掺杂石墨烯材料的制备方法，步骤如下：先将石墨烯置于炉管内，抽真空至真空度为10-5-105Pa；通入保护气氛，再以1℃/min-300℃/min的速率升温至600℃-2300℃；再以1-1000sccm的流量向炉管内通入硅烷，反应1-2880min；冷却至室温后，收集反应产物，得到硅掺杂石墨烯材料。本发明以硅烷为硅源，通过和石墨烯在一定条件下反应得到硅掺杂石墨烯，相比于石墨烯材料的零禁带缺点，硅掺杂石墨烯能够打开石墨烯的能带，能够更广泛的应用于微纳器件、材料制备等技术领域，本发明的方法简单、易于实施。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103681837A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310580317.2
申请日：2013-11-19
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L29/778 , H01L21/335 , H01L29/06
CPC classification number: H01L31/08 , H01L31/0296 , H01L31/1828
Abstract: 本发明公开的二硫化钼-硒化镉量子点混合场效应光晶体管自下而上依次有Si层和SiO2层的Si/SiO2复合晶片、n层二硫化钼层，n=1-4、两块在同一水平面上彼此相隔的金电极、在两块金电极之间有CdSe量子点层，CdSe量子点层中的CdSe量子点的直径为3-8nm。其制造步骤包括：将用胶带从二硫化钼晶体上剥离的二硫化钼层黏贴到清洗干净的Si/SiO2复合晶片上；在二硫化钼层上旋涂聚甲基丙烯酸甲酯，用电子束曝光法在涂层上刻蚀出金电极；用电子束蒸发方法在电极上依次沉积Ni和Au作为源极和漏极，制备CdSe量子点溶液；将CdSe量子点溶液涂覆到二块金电极之间的二硫化钼层上。本发明为场效应光晶体管提供了一种新品种。
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公开(公告)号：CN118014033A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202410041965.9
申请日：2024-01-11
Applicant: 浙江大学
IPC: G06N3/067 , G06N3/06 , G06N5/04 , H01L25/075
Abstract: 本发明公开了一种基于液体基光电探测器的水计算芯片及其制备方法，包括LED阵列、液体基光电探测器阵列及液态水，液体基光电探测器阵列对应设于LED阵列下，每个液体基光电探测器由顶部材料/液态水/基底材料构成，不同液体基光电探测器之间通过液态水相互连接。相比于传统固体基神经网络硬件结构，本发明创造性的提出通过水自身极化传递效应构建神经元的非线性激活，自驱动地实现加法和乘法的计算，并能在学习获得LED阵列的光场分布后，自驱动地完成神经网络的推理过程，极大地解决芯片的能耗问题。能够模拟真实神经元的生存环境，为类脑计算迈出重要一步。同时，本发明构建的水计算芯片结构简单，制作便捷，对大规模生产神经计算芯片具有重要意义。
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公开(公告)号：CN110137295B
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN201910305472.0
申请日：2019-04-16
IPC: H01L31/0725 , H01L31/0352 , H01L31/0336 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种二硫化钼/镓铟氮或铝镓砷多结异质太阳能电池，自底而上依次是背电极层、多结半导体衬底层、二硫化钼/镓铟氮或铝镓砷层、量子点层，此外还设置有正面电极；所述的多结半导体衬底层包括多结电池，并在多结电池顶部设置有隧穿层，镓铟氮或铝镓砷设于上述隧穿层上，量子点层设置于二硫化钼上。本发明的多结异质太阳能电池利用二硫化钼和半导体镓铟氮或铝镓砷形成异质结可以在无需外加电源的情况下完成光电转化，同时镓铟氮、铝镓砷等半导体禁带宽度大，可以吸收更短的太阳光波长，进一步提升多结太阳能电池效率。本发明的二硫化钼/镓铟氮(铝镓砷)多结异质太阳能电池的转化效率高，工艺较简单，有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN114551497A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202210168767.X
申请日：2022-02-23
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L27/20 , H01L41/312
Abstract: 本发明公开了一种基于垂直结构石墨烯‑半导体动态二极管高性能发电机及其制备方法。该发电机主要由压电薄膜层、石墨烯层和半导体层构成，石墨烯和半导体之间在垂直方向上不断进行接触和分离，过程中产生的界面内建电场将反弹耗尽层中的扩散电荷产生高能热载流子，利用石墨烯和半导体的超快界面载流子分离实现载流子收集利用，即可得到有效的电信号输出；同时在压电薄膜的作用下，感应电荷对石墨烯薄膜有效掺杂，进一步提升载流子浓度与输出性能。本发电机无需大体积线圈和复杂外部电路，且可以快速有效收集更多界面产生的热载流子，从而输出高电压高电流信号。本发电机结构和工艺简单、可柔性便携、可集成、且轻质化，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN110932590B
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN201911127554.7
申请日：2019-11-18
Applicant: 浙江大学
IPC: H02N1/04
Abstract: 本发明涉及新型绿色可再生能源获取技术领域，公开了一种基于有机半导体薄膜柔性直流发电机，主要由柔性衬底上的两种有机半导体薄膜组成，因两种薄膜费米能级不同，在相互接触时，空间电荷充电形成耗尽层，相对滑动时，结区内扩散电流和漂移电流平衡被打破，耗尽层被破坏结区电荷放电，电荷在内建电场的作用下加速分离，从而对电子空穴在电极处进行较好收集、积累，输出电流电压，产生持续不断的直流电输出。本发明的基于的有机半导体薄膜为高效空穴或电子传输层，可以有效传输热载流子，从而将机械能转化为高电压与高密度电能输出，直接给各类电子设备和产品供电。
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