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公开(公告)号：CN113659827A
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN202110961698.3
申请日：2021-08-20
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于电力电子技术领域，公开了一种消隐时间自适应去饱和保护改进电路、设计方法及应用，适用于SiC MOSFET的消隐时间自适应去饱和保护改进电路的构成为：在典型去饱和保护电路拓扑再加上一条从MOSFET漏极额外引出的充电支路。本发明通过利用开关器件的电压在“正常工作”与“发生短路故障”这两种不同工况下时的差异性，对去饱和检测电路进行简要改动，以此实现仅仅针对故障状况的保护加速，无需使用额外的数字处理器和逻辑器件，实现简单且成本低，快速而可靠；几乎不影响正常工作时电路的抗干扰性，即不容易误触发保护；保护的加速效果具备一定的自适应性，工作电压越高，短路时的保护触发越迅速。
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公开(公告)号：CN119337713A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202411373731.0
申请日：2024-09-29
Applicant: 华中科技大学
IPC: G06F30/27 , H02J3/48 , H02J3/50 , H02J3/46 , G06F111/06 , G06F113/04
Abstract: 本发明属于电力电子系统技术领域，公开了一种基于改进FCM算法的分布式光伏集群建模方法及系统，测量光伏单元出口电压Vt与PCC点电压VPCC及二者间的相角差θ，推导辐射式结构下光伏单元出口处到PCC点的等效电气距离的计算公式，进而计算链式结构及复杂网络拓扑结构下的等效电气距离，进而计算线路阻抗等效系数；测量光伏单元输出有功功率P、无功功率Q及端口电压Vt，提出表征光伏电压支撑功能的指标值；综合考虑等效电气距离、光伏容量及电压支撑功能，建立准确表征分布式光伏发电系统特点的综合聚类指标；以粒子群聚类算法所得最优解为初始聚类中心，利用FCM算法计算最优聚类结果，利用参数等值计算等值模型。
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公开(公告)号：CN117849565B
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202311720609.1
申请日：2023-12-13
Applicant: 广东电网有限责任公司电力科学研究院 , 华中科技大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明属于智能监测装置技术领域，公开了一种SiC MOSFET栅极氧化物健康状态在线监测方法，借助电流传感器判断负载电流方向，当负载电流反向流过待测器件且待测器件导通时，触发在线监测程序；使用电流源抽取待测器件输入电容的电荷，使待测器件栅极电压在恒定电流作用下不断降低，同时使用运算放大器构成微分运算电路实时测量dVgs/dt；比较器的参考值设置为Vref，当Ciss降低至Cref时，Vdif(dVgs/dt)增大至Vref，比较器输出电压Vcmp拉高，RS锁存器输出信号Q拉低，关断N‑MOSFET S2，切断电流源输出，使得待测器件Vgs锁存在Vref；RS锁存器的反向输出nQ拉高，触发ADC对Vgs进行采样，将此时的Vref采集进入微控制器进行记录，通过和过去值的对比，判断栅极氧化物的健康状态。
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公开(公告)号：CN117350223B
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202311185660.7
申请日：2023-09-13
Applicant: 广东电网有限责任公司电力科学研究院 , 华中科技大学
IPC: G06F30/373 , H02M7/5387 , H02M1/088 , H02M1/00 , G06N3/126 , G06F111/04 , G06F111/06 , G06F119/06
Abstract: 本发明公开了一种基于SiC MOSFET的模块化多电平换流器多目标优化参数设计方法，属于换流器参数设计领域，该方法首先求取桥臂电感和子模块电容等无源器件的限值范围，再结合损耗特性在限值范围内优化取值，可以避免工程中片面取值导致SiC的优势不能充分利用的问题；充分考虑SiC器件开关损耗特性较优，导通损耗特性较劣的情况，通过在MMC换流器的参数设计中考虑开关频率的影响，以系统稳定为基本要求，将换流器损耗和功率密度作为多目标优化的目标函数，以开关频率、无源元器件为决策变量，从而在不增加损耗的前提下增大功率密度，优化MMC的体积占用。
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公开(公告)号：CN117849566A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202311720624.6
申请日：2023-12-13
Applicant: 广东电网有限责任公司电力科学研究院 , 华中科技大学
Abstract: 本发明属于故障检测技术领域，尤其涉及一种SiC MOSFET栅极开路故障检测方法及系统，包括：S1：提取开通脉冲和关断脉冲；S2：提取实际内部栅极状态信号；S3：检查驱动信号与实际内部栅极状态的不一致性；S4：对信号进行低通滤波；S5：锁存故障信号；S6：生成最终驱动信号。本发明结构简单、成本低，只需要通用运算放大器、二极管、逻辑器件等成本低廉的元器件，无需高性能的微控制器，大大降低了总体成本。本发明设计步骤简单、使用方便、原理巧妙，设计过程简单，无需复杂的电路参数设计过程。本发明检测速度快，由于使用的都是模拟电路器件和逻辑电路器件，无需微控制器等复杂的检测或控制单元，所以检测速度很快。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117642035A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311751724.5
申请日：2023-12-19
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明提供了一种经单分子自组装膜修饰的介电层材料的制备方法及其应用，通过先在表面含有羟基的介电层基底表面生长单分子自组装膜(SAM)，再将单层二维材料膜转移至SAM的表面，由于SAM是高度有序的可以有效降低介电层粗糙度，另外SAM的尾部官能团部分能够增加二维材料与介电层的结合力，从而有效地增强了二维材料/介电层界面热导。其次，本发明还通过调控形成单分子自组装膜的物质种类和单层二维材料膜的选材，调节介电层材料的界面热导，最终制得界面热导优异的介电层材料，且上述方法具有制备简单、可工业化生产的优势。
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公开(公告)号：CN117182225A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311171272.3
申请日：2023-09-11
Applicant: 华中科技大学 , 广东电网有限责任公司电力科学研究院
IPC: B23K1/00 , B23K1/008 , B23K1/20 , B23K1/19 , B23K103/00
Abstract: 本发明属于石墨活性钎焊技术领域，尤其涉及一种焊接石墨的铜框架活性钎焊的焊接方法及系统，包括以下步骤：S1，将铜箔经过酸、丙酮、乙醇清洗后，在铜箔两侧均匀附着一层极薄的含有活性元素锡基钎料并迅速烘干；S2，将两侧附着活性元素的铜箔两面贴合石墨，依次将石墨母材、铜箔摆放至所需厚度后固定并放入真空钎焊炉中；S3，抽真空低至10‑3Pa时，开始随炉升温，在200‑350℃时，保温10‑30min后进行排胶，将炉升温至钎焊连接温度900‑1050℃后，保温10‑30min并施加500‑1500kg压力，冷却后即可得到石墨块材。本发明采用铜为钎焊焊料的框架，制备的钎焊石墨可实现较好的钎焊连接，接头无裂纹、气孔等缺陷，具有节省焊料，生产效率高，制备过程简单等优点。
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公开(公告)号：CN115714112A
公开(公告)日：2023-02-24
申请号：CN202211428348.1
申请日：2022-11-15
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种多组分有机‑无机灌封膜、制备方法、结构及器件。所述多组分有机‑无机灌封膜包括有机灌封层和无机层；所述有机灌封层为有机硅凝胶、环氧树脂或者聚氟代对二甲苯层；所述无机层为无机氧化物层、无机氮化物层或金属氧化物层；所述有机灌封层能够在空气中200℃温度下至少24小时不分解。本发明提供的有机‑无机薄膜叠加的高温灌封方案，能够实现在200℃以及250℃高温下被灌装器件的正常运行的可靠性目标需求。与常用的仅有机硅凝胶或环氧树脂封装相比，无机层对水氧优良的阻隔性能使得这种灌封材料具有良好的防潮能力，克服了功率器件在受到冷热冲击后水氧渗进器件内部造成的模块失效。
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公开(公告)号：CN113657064A
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN202110963062.2
申请日：2021-08-20
Applicant: 华中科技大学
IPC: G06F30/367 , G06F30/23 , G06F119/08 , G06F119/14
Abstract: 本发明属于功率半导体模块仿真技术领域，公开了一种功率半导体模块多物理场联合仿真方法，功率半导体模块多物理场联合仿真方法包括：采用支持导入器件spice模型的专业电路仿真软件PSpice，通过设计特定协同分析方法并二次开发软件数据交互接口即构建联合仿真的耦合接口，采用间接耦合的方式进行PSpice和COMSOL两个软件的电‑热‑力的联合协同仿真。本发明结合了电路仿真软件PSpice和有限元仿真软件COMSOL两者的优势，实现了场与路的耦合仿真；本发明考虑了电、热、力之间的强耦合关系，实现了电、热、力之间实时的双向耦合，提高了仿真的精度；本发明步长自适应，大大缩短了仿真所需时间，提高了仿真效率。
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公开(公告)号：CN117855162B
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202311729662.8
申请日：2023-12-15
Applicant: 华中科技大学 , 广东电网有限责任公司电力科学研究院
IPC: H01L23/367 , H01L23/473
Abstract: 本发明属于散热结构技术领域，公开了一种带有二次流道的波浪形SiC器件直接液冷散热结构，包括：基板、翅片结构、下冷板、功率半导体模块；基板上方与功率半导体模块焊接，翅片结构位于基板下方，下冷板与基板密封连接。本发明着重于散热结构的创新，在保证简单、高效、易加工的商业应用前提下以更低的泵送功率实现液冷换热性能的提升。本发明的翅片结构沿流动方向呈波浪形形式，并采用交错不连续的布置方式引入二次流动通道，促进主流道间流动工质的流动混合，在翅片之间形成迪恩涡破坏流动边界层，进而提高换热效率。相对于传统散热结构，本发明在增强流体内部扰动的同时并未显著增加流体的压降损耗，能够在整个流动区域内保持较高的换热系数。
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