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公开(公告)号：CN119420149A
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202411542188.2
申请日：2024-10-31
Applicant: 广东电网有限责任公司电力科学研究院 , 华中科技大学
IPC: H02M1/00 , H02M1/12 , H02M7/483 , H02M7/5387
Abstract: 本发明公开了一种SiC MMC子模块电容电压波动抑制方法及系统，属于电子电力技术领域；根据针对SiC MMC子模块的最优宽频谐波环流注入边界和次数的分析结果，确定了同时注入2次、4次和8次谐波环流和3次谐波电压的子模块电容电压波动优化模型，能够充分利用SiC MMC具有更高控制带宽的特性；通过求解子模块电容电压波动优化模型，确定需要注入的2次、4次和8次谐波环流参考值的幅值和相位及相应3次谐波电压的幅值和相位，进而通过注入2次、4次和8次谐波环流，并联合3次谐波电压注入实现宽频谐波联合注入，减小了子模块电容电压波动，实现了针对SiC MMC子模块的电容电压波动抑制方法，具有较高的抑制效果。
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公开(公告)号：CN119315815A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202410787854.2
申请日：2024-06-18
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于并网变换器技术领域，公开了一种下垂控制逆变器限流控制方法及系统，本发明通过相量分析准确得出了故障电流等于限流值时的虚拟阻抗大小和有功参考值约束条件，考虑对限流最严重的情况设计了虚拟阻抗‑电流差比例系数和有功参考值‑电流差比例系数，故障时自适应电流的变化成比例增大虚拟阻抗和减小有功参考值，可满足不同深度电网电压跌落下的限流要求。本发明提出的限流控制方法自适应故障电流，无需故障检测装置，因有功参考值的减小故障时逆变器的暂态稳定性得以增强，且通过虚拟阻抗和有功参考值的调整间接限制故障电流，保留了下垂控制逆变器的电压源特性，系统故障穿越能力显著增强。
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公开(公告)号：CN117849566B
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202311720624.6
申请日：2023-12-13
Applicant: 广东电网有限责任公司电力科学研究院 , 华中科技大学
Abstract: 本发明属于故障检测技术领域，尤其涉及一种SiC MOSFET栅极开路故障检测方法及系统，包括：S1：提取开通脉冲和关断脉冲；S2：提取实际内部栅极状态信号；S3：检查驱动信号与实际内部栅极状态的不一致性；S4：对信号进行低通滤波；S5：锁存故障信号；S6：生成最终驱动信号。本发明结构简单、成本低，只需要通用运算放大器、二极管、逻辑器件等成本低廉的元器件，无需高性能的微控制器，大大降低了总体成本。本发明设计步骤简单、使用方便、原理巧妙，设计过程简单，无需复杂的电路参数设计过程。本发明检测速度快，由于使用的都是模拟电路器件和逻辑电路器件，无需微控制器等复杂的检测或控制单元，所以检测速度很快。
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公开(公告)号：CN118539507A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202410633941.2
申请日：2024-05-21
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于阻抗模拟的负序有功无功自动解耦控制方法及系统，该方法将控制对象由基于绝对相角的负序电流转化为基于相对相角的负序模拟阻抗。该方法可以实现负序有功、无功自动解耦控制，从而消除对负序锁相环的依赖。为了应对不同的使用场景，该方法包含两种控制，即导纳电流控制和阻抗电压控制。两种控制在阻抗和导纳有限的场景下可以互相替换使用；在阻抗为0(即导纳无穷大)的场景下，阻抗电压控制优先；在导纳为0(即阻抗无穷大)的场景下，导纳电流控制优先。
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公开(公告)号：CN116190330B
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202310142336.0
申请日：2023-02-21
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L23/367 , H01L23/467 , H01L23/473
Abstract: 本发明涉及电子设备散热技术领域，且公开了基于热点区域定向优化的歧管微通道散热器，包括功率模块，还包括散热基板、冷源装置和分流歧管；散热基板设置于功率模块上，散热基板远离功率模块一侧且位于功率模块发热区域的背面设置有微通道，用于承载功率模块并对功率模块进行散热。该基于热点区域定向优化的歧管微通道散热器，可通过优化散热基板上的微通道，初步改变功率模块的局部散热性能，避免多热源系统散热温度均匀性差的情况发生，再通过分流歧管配合冷源装置，基于热源布局特点改变微通道内部冷流的流入位置及流出位置，能够进一步实现定向强化冷却效果，达到基于热点区域的定向强化冷却且散热效率高的效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117350215B
公开(公告)日：2024-10-08
申请号：CN202311180307.X
申请日：2023-09-13
Applicant: 广东电网有限责任公司电力科学研究院 , 华中科技大学
IPC: G06F30/367 , H02M7/219 , H02M1/088 , H02M1/00
Abstract: 本发明公开了一种单桥臂模块化多电平换流器的解析仿真模型和方法，属于电力系统电磁暂态实时解析仿真技术领域，所述解析仿真模型包括：单桥臂模块化多电平换流器等效电路、平均值模型和调制与均压控制模块；通过平均值模型将单桥臂模块化多电平换流器转化为了每相具有两个桥臂的等效电路；每个电压源的输出通过平均值模型计算得到，也即将由大量电子元件组成的桥臂模型转化为了一个由函数控制的可控电压源，提升了仿真的速度，使仿真模型可用于均压控制、损耗计算以及谐波分析等研究，由此解决现有的单桥臂模块化多电平换流器的仿真模型的解析仿真效率低且应用范围有限的技术问题。
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公开(公告)号：CN117316925B
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202311165911.5
申请日：2023-09-11
Applicant: 华中科技大学 , 广东电网有限责任公司电力科学研究院
IPC: H01L23/538 , H01L23/482
Abstract: 本发明属于集成电路技术领域，尤其涉及一种多芯片SiC功率模块动态均流的布局布线优化方法及系统，首先，针对功率模块基板铜图案与芯片布局优化，提出三条设计原则，在DBC基板尺寸、功率/驱动端子尺寸、键合线直径及高度、芯片各电极的并联键合线数量及间距、并联芯片数量均不变的前提下，提出了多芯片SiC功率模块基板铜图案与芯片布局设计流程；然后，以布局优化后的功率模块为研究对象，提出了一种调整芯片键合线连接点位置的布线优化方案，该方案结合响应面建模法和动态均流等式，精确调控并联SiC MOSFET芯片功率源极键合线的长度与角度，提高了布线优化的精度。
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公开(公告)号：CN117334689B
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202311412601.9
申请日：2023-10-26
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明提供了一种高温宽禁带功率模块及其制备方法。本发明的高温宽禁带功率模块，腔体内设有覆盖SiC功率芯片的Parylene‑HT薄膜层，在Parylene‑HT薄膜层表面设有无机薄膜层，无机薄膜层与Parylene‑HT薄膜层复合形成耐高温强绝缘的保型涂层；本发明所用的复合保型涂层热膨胀系数远低于有机硅凝胶，其厚度也远小于有机硅凝胶，使得高温下保型涂层引入的热机械应力远低于有机硅凝胶，延长了键合线寿命，提升了模块的工作稳定性；同时，本发明采用气密密封的方法对外壳密封，气密封装阻挡了外界的水氧和化学污染，缓解了保型涂层热降解的速率，使得保型涂层长期保持高温绝缘能力，进一步提升了模块的工作稳定性。
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公开(公告)号：CN118137512A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410118973.9
申请日：2024-01-29
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于并网变换器技术领域，公开了一种下垂控制逆变器故障穿越控制方法及系统，监测逆变器并网点电压幅值和相角，结合内电势幅值和相角设定值，进而通过内电势幅值控制和相角控制分别调整无功‑电压下垂系数和有功参考值，从而使逆变器内电势相量在故障时以设定值运行，在此基础上，通过虚拟阻抗精准限制故障电流，虚拟阻抗参数由内电势相量设定值和端电压相量差决定。本发明无需获取电网侧故障信息，在不同电网侧阻抗和电网故障下均可以实现内电势相量的恒定和限流要求，此外，因为控制逆变器内电势相角的恒定，在不同故障下均可以实现系统功角稳定。
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公开(公告)号：CN117318513A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311189619.7
申请日：2023-09-14
Applicant: 广东电网有限责任公司电力科学研究院 , 华中科技大学
IPC: H02M7/483 , H02M7/5387
Abstract: 本发明公开了一种SiC MMC优化调制的方法及装置。该方法包括：选择Nt个桥臂子模块计算待优化调制的SiC MMC的桥臂电压的参考波，其中，Nt＝N/2，N为实际的桥臂子模块数量；对各相电压的参考波放大进行补偿，基于桥臂子模块输出电数量压的参考波对应的子模块数量Nt计算得到各相 N*jo；根据各相对应的子模块数量N*jo进行NLM‑PWM调制，分别得到各相对应的上/下桥臂子模块数量；将上/下桥臂子模块数量分别乘以补偿系数2，并进行再调制得到目标上桥臂子模块数量和目标下桥臂子模块数量；根据计算得到的上/下桥臂子模块数量实时控制其对应的桥臂在每一时刻的子模块数量，以使SiC MMC完成优化调制。实现了SiC MMC高频CMV、电能质量与运行效率的综合优化。
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