公开(公告)号：CN115121795A

公开(公告)日：2022-09-30

申请号：CN202210606151.6

申请日：2022-05-31

Applicant: 烟台南山学院

Inventor： 赵俊凤 ,  戴菡 ,  毕旭 ,  余鑫祥 ,  郭晓彤 ,  董晓燕 ,  孙有政

IPC: B22F1/17

Abstract: 本发明涉及功能材料领域，具体为一种能驱动金属镓滴移动的壳层结构及其制备方法和应用方法，壳层结构包括泡沫镍片和与泡沫镍片粘接在一起铜箔片，铜箔片与泡沫镍片的外接直径之比为1:1至1:2。与现有技术相比，本发明利用铜与镓表面常温接触迅速形成铜镓合金产生强粘附而泡沫镍与镓不浸润的特性，设计铜箔@泡沫镍壳层结构用以液态金属镓，该结构对静磁场响应十分显著，通过静磁场可以驱动金属镓液滴的移动。同时该结构内侧与液态金属镓表面具有强粘附力，但外侧与镓完全不浸润，可以有效的避免液态金属镓液滴之间在酸/碱性溶液的聚合。

公开(公告)号：CN114150197B

公开(公告)日：2022-09-13

申请号：CN202111333056.5

申请日：2021-11-11

Applicant: 烟台南山学院

Inventor： 戴菡 ,  赵俊凤 ,  王政

IPC: C22C28/00 ,  C09K9/00 ,  C22C1/10

Abstract: 本发明属于功能材料技术领域，特别涉及一种物理接触快速可逆变色的液态金属复合材料及其制备方法和应用，这一种物理接触快速可逆变色的液态金属复合材料，包括镓和石墨。本发明无需外部激励源，仅通过物理接触就可以实现快速可逆变色。该材料为液态金属机器人的表面颜色伪装提供了新的有效技术手段，为低功耗液态金属显色材料的开发及产业化应用提供了新思路。本发明专利用简单的材料合成工艺，无特殊条件要求、操作容易、设备要求简单，易于规模化生产。

公开(公告)号：CN106834986B

公开(公告)日：2018-12-18

申请号：CN201710130046.9

申请日：2017-03-07

Applicant: 烟台南山学院

Inventor： 房洪杰 ,  史春丽 ,  孙杰 ,  初晋华 ,  戴菡 ,  孙伟力 ,  张倩 ,  赵俊凤

IPC: C22F1/053 ,  C22C21/10

Abstract: 本发明公开了一种航空用7系铝合金均匀化热处理工艺，其采用三级均匀化热处理方法，第一级能够消除铸锭内应力，使低熔点相消失，将最终的均匀化温度提高到略高于T相熔点，可使铸锭在不过烧的情况下实现高温均匀化，均匀化过程中总时间减少，提高均匀化效果，同时采取金属定温，提高升温速率的方法，能够提高生产效率，实现节能效果。

公开(公告)号：CN106904570B

公开(公告)日：2018-12-04

申请号：CN201710130047.3

申请日：2017-03-07

Applicant: 烟台南山学院

Inventor： 戴菡 ,  黄同瑊 ,  房洪杰 ,  赵俊凤 ,  孙杰 ,  张涛 ,  刘慧 ,  王美春

IPC: B82B3/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种基于等离子激元效应电场辅助金属Ag纳米线自身形貌修复方法，采用了Ag纳米线表面施加光照结合电场的工艺过程，利用简单的流体铺展工艺，通过原子力显微镜探针拨动，将Ag纳米线置于在银膜电极间，通过同时施加光照与电场对置于在银膜电极间的Ag纳米线样品进行表面修复，采用该技术可以修复位于银纳米表面深度达到10 nm左右的缺陷，修复后的Ag纳米线的表面形貌接近或达到原始形貌，为提高金属纳米结构缺陷修复精度与效率提供新的技术手段。

公开(公告)号：CN107302040B

公开(公告)日：2018-11-20

申请号：CN201710480910.8

申请日：2017-06-22

Applicant: 烟台南山学院

Inventor： 戴菡 ,  房洪杰 ,  孙杰 ,  余鑫祥 ,  赵俊凤 ,  黄同瑊 ,  吕正风

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0236

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及基于湿法刻蚀硅表面镶嵌Ag纳米线陷光结构的制备方法，本发明采用低功率超声分散的手段，在乙醇溶液中对Ag纳米线进行有效的分散；将分散好的Ag纳米线通过旋涂的方式均匀涂布于硅片的表面；通过退火的方式，提高Ag纳米线与硅片之间的接触。通过刻蚀液刻蚀，将Ag纳米线镶嵌入硅表面，制备出新型复合陷光降阻增效结构。该结构显著的增大Ag纳米线与硅表面的接触面积，同时在可见光频谱范围内极大的提升Ag纳米线在硅内的陷光能力。本发明的设计与制备工艺为提高硅薄膜太阳能电池与LED等器件的效率提供新的技术手段。

公开(公告)号：CN107159830A

公开(公告)日：2017-09-15

申请号：CN201710594342.4

申请日：2017-07-20

Applicant: 山东南山铝业股份有限公司 ,  烟台南山学院

Inventor： 程仁策 ,  吕正风 ,  王雪强 ,  罗顺成 ,  何星星 ,  韩兆玉 ,  黄少鹏 ,  张成江 ,  程志远 ,  赵俊凤 ,  戴菡

IPC: B21J5/00 ,  C21D8/00

CPC classification number: Y02P10/212 ,  B21J5/00 ,  C21D8/00

Abstract: 本发明提供一种锻造方法，涉及合金加工技术领域，锻造方法包括以下步骤：锻造步骤：将坯料锻造成型，在锻造成型的过程中包括至少四次镦粗以及至少一次拔长；淬火步骤：对锻造成型的锻板进行淬火；双级时效步骤：对锻板进行双级时效处理。锻造成型的过程用于将坯料锻造成锻板，并且在锻造成型的过程中包括至少四次镦粗以及至少一次拔长，能够防止锻板开裂，使锻板锻透，提高锻板的组织性能，随后对锻板进行淬火，有效地提高锻板的表面硬度，再对锻板进行冷变形，降低锻板内应力，最后对锻板进行双级时效处理，稳定组织，改善锻板的机械性能，进而提高锻板的表面硬度。