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公开(公告)号：CN115810672A
公开(公告)日：2023-03-17
申请号：CN202210844301.7
申请日：2022-07-18
Applicant: 爱思开海力士有限公司
IPC: H01L29/792 , H01L21/34
Abstract: 公开了一种具有可变电阻的沟道层的电子器件及制造其的方法。电子器件包括：基础元件；彼此间隔开布置在基础元件上的源电极层以及漏电极层；沟道层，其在基础元件上布置于源电极层和漏电极层之间，并且容纳金属离子；金属离子导电层，其布置在沟道层上；以及栅电极层，其布置在金属离子导电层上。沟道层包括多个单元膜以及多个单元膜之间的沟道空间。多个单元膜被布置成与基本上垂直于基础元件的表面的方向平行。
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公开(公告)号：CN115701895A
公开(公告)日：2023-02-14
申请号：CN202210059822.1
申请日：2022-01-19
Applicant: 爱思开海力士有限公司
Inventor： 韩在贤
Abstract: 本申请公开了电阻式存储器件以及电阻式存储器件的操作方法。该电阻式存储器件包括：交替堆叠的导电层和层间绝缘层；垂直孔，其垂直贯穿导电层和层间绝缘层；栅极绝缘层，其设置在所述垂直孔的内壁之上；电荷俘获层，其设置在栅极绝缘层的内壁之上；沟道层，其设置在电荷俘获层的内壁之上；以及可变电阻层，其设置在沟道层的内壁之上。
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公开(公告)号：CN115206980A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202111588402.4
申请日：2021-12-23
Applicant: 爱思开海力士有限公司
IPC: H01L27/11524 , H01L27/1157 , H01L29/06 , H01L21/8239
Abstract: 本申请涉及半导体存储器装置及半导体存储器装置的制造方法。一种半导体存储器装置包括：沟道层；栅电极，其与沟道层间隔开；阻挡绝缘层，其位于栅电极与沟道层之间；隧道绝缘层，其位于沟道层与阻挡绝缘层之间；以及纳米颗粒，其在隧道绝缘层和阻挡绝缘层之间彼此间隔开。
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公开(公告)号：CN114975773A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202111174452.8
申请日：2021-10-09
Applicant: 爱思开海力士有限公司
IPC: H01L45/00
Abstract: 本公开提供了一种包含阻变沟道层的电子器件。该电子器件包括：衬底；源电极层和漏电极层，它们被设置在衬底上方而彼此间隔开；沟道层，其能够接收氢，并且被设置在衬底上方在源电极层和漏电极层之间；质子传导层，其设置在沟道层上；氢源层，其被设置在质子传导层上；以及栅电极层，其被设置在氢源层上。
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公开(公告)号：CN114863972A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202110986572.1
申请日：2021-08-26
Applicant: 爱思开海力士有限公司
Inventor： 韩在贤
IPC: G11C13/00
Abstract: 提供一种对包括多个存储单元的非易失性存储器件进行编程的方法。多个存储单元中的每个存储单元包括可逆电阻器件。从多个存储单元之中选择目标存储单元。确定用于目标存储单元的可逆电阻器件的目标电阻状态。读取目标存储单元的可逆电阻元件的电阻状态。将所读取的电阻状态与目标电阻状态进行比较。当所读取的电阻状态与目标电阻状态不同时，对目标存储单元的可逆电阻器件执行正编程操作和负编程操作之一。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114447219A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202111174634.5
申请日：2021-10-09
Applicant: 爱思开海力士有限公司
Inventor： 韩在贤
IPC: H01L45/00
Abstract: 本公开提供一种包括阻变层的半导体器件及其制造方法。半导体器件包括衬底和设置在衬底上方的栅极结构。栅极结构包括交替叠置在衬底上方的至少一个栅电极层和至少一个层间绝缘层。该半导体器件包括在衬底上方的穿透栅极结构的孔图案，以及在孔图案内顺序地设置在栅极结构的侧壁表面上的栅极绝缘层、通道层、电阻器层和阻变层。电阻器层和阻变层中的每个基于通道层与栅极绝缘层相对地设置。
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公开(公告)号：CN114078506A
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202110382324.6
申请日：2021-04-09
Applicant: 爱思开海力士有限公司
Inventor： 韩在贤
Abstract: 本文提供的可以是半导体器件。该半导体器件可以包括：包含字线的层叠物，穿透层叠物的位线；全局位线，其被设置在层叠物上方；全局字线，其被设置在层叠物上方；公共选择线，其被设置在层叠物上方；第一接触插塞，其将全局位线和位线彼此耦接并穿透公共选择线；第二接触插塞，其将全局字线和字线分别彼此耦接并穿透公共选择线。
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公开(公告)号：CN113257999A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202010889134.9
申请日：2020-08-28
Applicant: 爱思开海力士有限公司
IPC: H01L45/00
Abstract: 根据实施例的非易失性存储器件包括衬底、设置在衬底上的电阻变化层、设置在电阻变化层上的栅电极层、以及设置在衬底中并接触电阻变化层的不同部分的第一电极图案层和第二电极图案层。电阻变化层包括可移动氧空位和可移动金属离子。
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公开(公告)号：CN113130532A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202010721299.5
申请日：2020-07-24
Applicant: 爱思开海力士有限公司
Abstract: 非易失性存储器件包括具有上表面的衬底和设置在该衬底上方的沟道结构。所述沟道结构包括至少一个沟道层图案和至少一个层间绝缘层图案，二者在垂直于所述上表面的第一方向上交替地层叠，并且所述沟道结构在垂直于第一方向的第二方向上延伸。所述非易失性存储器件包括：电阻变化层，其设置在所述衬底上方并且在所述沟道结构的一个侧壁表面的至少一部分上；栅极绝缘层，其设置在所述衬底上方并且在所述电阻变化层上；以及多个栅极线结构，其设置在所述衬底上方，各自与所述栅极绝缘层的第一表面接触，并且被设置成在第二方向上彼此间隔开。
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公开(公告)号：CN112466903A
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN202010527827.3
申请日：2020-06-11
Applicant: 爱思开海力士有限公司
IPC: H01L27/24 , H01L29/10 , H01L29/417 , H01L29/423
Abstract: 本申请公开了一种具有阻变存储层的非易失性存储器件。根据实施例的非易失性存储器件包括：衬底；源电极结构，其设置在衬底上；沟道结构，其被设置为与源电极结构的侧壁表面接触；阻变存储层，其设置在沟道结构的侧壁表面上；漏电极结构，其被设置为与阻变存储层接触；多个栅极电介质结构，其在第一方向上延伸并被设置为在第二方向上彼此间隔开；以及多个栅电极结构，其被设置为在多个栅极电介质结构中在第一方向上延伸。
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