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公开(公告)号：CN108707865A
公开(公告)日：2018-10-26
申请号：CN201810560536.7
申请日：2018-06-04
Applicant: 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司
Abstract: 本发明公开一种钨掺杂类金刚石薄膜的制备方法，包括以下步骤：S1、清洗衬底,去除衬底表面的油污和杂质；S2、采用连通的离子束沉积设备与线性离子源沉积设备，离子束沉积设备采用钨靶为掺杂源，线性离子源沉积设备采用甲烷为碳源；将衬底置于离子束沉积设备的真空腔室中，开启离子束沉积设备，使氩离子轰击钨靶，同时开启线性离子源沉积设备，进行碳源的注入，钨与碳相反应得到钨掺杂类金刚石薄膜；整个过程中离子束沉积设备与线性离子源沉积设备都是单独工作，不相互干扰，工艺参数各自设定；整个过程碳与钨简单的进行反应，无其它离子存在，工艺简单，可控性较强。
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公开(公告)号：CN106784089B
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：CN201611188428.9
申请日：2016-12-21
Applicant: 蚌埠玻璃工业设计研究院 , 中国建材国际工程集团有限公司
IPC: H01L31/048 , H01L31/0236
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 本发明公开一种自陷光ZnO基透明导电玻璃的制备方法，包括以下步骤：S1、采用磁控溅射工艺，在玻璃衬底表面溅射生长下ZnO基薄膜；S2、采用液相法，在下ZnO基薄膜表面制备单层离散分布的SiO2小球模板层；S3、采用磁控溅射工艺，在SiO2小球模板层上溅射生长上ZnO基薄膜，上ZnO基薄膜的厚度小于SiO2小球的直径，得到表面形貌呈凹凸织构化结构的自陷光ZnO基透明导电玻璃；结合磁控溅射与液相法镀膜的固有优点，在制备时，SiO2小球表面微结构可根据需要进行调整，使得上ZnO基薄膜的表面微结构容易控制，形成均匀性优良的表面微结构，实现高透过率、低电阻，制备工艺简单，降低成本，利于推广应用。
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公开(公告)号：CN107502868A
公开(公告)日：2017-12-22
申请号：CN201710795449.5
申请日：2017-09-06
Applicant: 蚌埠玻璃工业设计研究院
Abstract: 本发明公开了一种高透、高阻W掺杂CN薄膜的制备方法，包括以下步骤：1）选用超白高透玻璃作为衬底材料，并进行超声波清洗，达到去除衬底表面油污和灰尘的目的；2）清洗后的衬底材料置于样品架上，送入溅射腔室，通入Ar气，使C靶起辉，进行预溅射以去除表面的氧化物和杂质，预溅射完毕，通入N2气，通过与C靶的反应在衬底材料上制备出第一层CN薄膜，断开N2气，样品架转向W靶，W靶起辉溅射、镀膜，在第一层CN薄膜上制备出一层金属W膜，而后重复上述第一层CN薄膜的工艺进行第二次CN薄膜的制备，镀膜完成后得到高透、高阻W掺杂CN薄膜。本发明工艺参数简单，可变参数较少，重复性好，W的掺入进一步提高了CN薄膜的润滑性，使CN薄膜的应用领域进一步扩大。
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公开(公告)号：CN107425124A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201710796096.0
申请日：2017-09-06
Applicant: 蚌埠玻璃工业设计研究院
Abstract: 本发明公开一种柔性多层透明导电氧化物薄膜，包括由下至上依次设置在柔性基底的下SiO2膜层、Ag膜层与上SiO2膜层，所述上、下SiO2膜层的厚度均为15～60nm，所述Ag膜层的厚度为6～20nm；所述柔性基底为聚乙烯醇薄膜、聚酰亚胺薄膜或聚酯薄膜；Ag薄膜在可见光区具有优异的反射性能，利用诱导透射原理，通过合理的SiO2匹配可以在一定的光谱范围内实现很好的增透效果，成为SiO2/Ag/SiO2透明导电复合薄膜，且成本低廉，适于柔性基底使用。
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公开(公告)号：CN106784060A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611188429.3
申请日：2016-12-21
Applicant: 蚌埠玻璃工业设计研究院 , 中国建材国际工程集团有限公司
IPC: H01L31/0236
CPC classification number: Y02E10/50 , H01L31/02366
Abstract: 本发明公开一种具有自陷光功能的ZnO基透明导电玻璃，包括玻璃基底，玻璃基底顶面由下至上依次设有下ZnO基薄膜、微结构增透膜系与上ZnO基薄膜；所述微结构增透膜系为单层离散分布的SiO2小球，所述上ZnO基薄膜的厚度小于SiO2小球的直径，在微结构增透膜系上形成凹凸的织构化结构；采用离散分布的SiO2小球作为微结构增透膜系，其上方的上ZnO基薄膜以微结构增透膜系为模板，自然地形成凹凸的织构化结构；在制备时，SiO2小球表面微结构可根据需要进行调整，使得上ZnO基薄膜的表面微结构容易控制，形成均匀性优良的表面微结构，实现高透过率、低电阻，制备工艺简单，降低成本，利于产业化推广应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105369206A
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201510876661.5
申请日：2015-12-03
Applicant: 凯盛光伏材料有限公司 , 中国建筑材料科学研究总院 , 蚌埠玻璃工业设计研究院
IPC: C23C14/35
Abstract: 本发明公开一种制备柔性衬底薄膜的磁控溅射装置，包括基片与靶材，所述靶材包括上靶材与下靶材，两个靶材上下相对设置；上靶材的上部与下靶材的下部设有在两个靶材之间形成磁场的磁体，磁场方向与靶材垂直；所述基片垂直设置于两个靶材的外侧；溅射过程中，二次电子飞出靶面后，被靶材阴极的电场加速，电子受磁场束缚向阳极运动，并被有效的封闭在两个靶极之间作洛仑兹运动，形成柱状等离子体，电子能量耗尽后，最终沉积在基片上；由于该电子的能量很低，基片温升较低并且使得薄膜有效避免了离子损伤，同时，薄膜是由靶材离子散射和热分解沉积得到，因此薄膜在室温中沉积，避免柔性衬底在传统磁控溅射过程中烧糊，变形等损坏，保证薄膜质量。
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公开(公告)号：CN114594127A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202210144351.4
申请日：2022-02-17
Applicant: 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司
Inventor： 彭寿 , 张冲 , 单传丽 , 杨勇 , 石丽芬 , 柯震坤 , 李常青 , 李金威 , 周刚 , 曹欣 , 倪嘉 , 崔介东 , 赵凤阳 , 仲召进 , 王萍萍 , 高强 , 王巍巍 , 韩娜
Abstract: 本申请提供了一种耐热玻璃的长短期抗力的测试装置及利用该装置的测试方法，其包括：加热炉，其用于对耐热玻璃进行加热；温度传感器，其用于测量加热炉内的温度；重量传感器，其用于测量耐热玻璃的重量；样品夹，通过重量传感器下端的承重杆与重量传感器相连；摄像装置，其用于采集加热炉内的耐热玻璃的图像；计算机，其连接到加热炉、摄像装置、温度传感器和重量传感器。重量传感器和摄像装置能够实时监测耐热玻璃在长短期抗力的测试中产生的裂纹、破损、重量变化及变形变色，能够确定耐热玻璃裂纹、破损、重量变化及变形变色是在哪次循环发生的，提高测试结果的准确性。
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公开(公告)号：CN113121119A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202110446122.3
申请日：2021-04-25
Applicant: 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司 , 玻璃新材料创新中心(安徽)有限公司
Inventor： 彭寿 , 张冲 , 王巍巍 , 李常青 , 李金威 , 杨小菲 , 周刚 , 柯震坤 , 曹欣 , 单传丽 , 倪嘉 , 崔介东 , 赵凤阳 , 仲召进 , 王萍萍 , 高强 , 韩娜 , 石丽芬 , 杨勇
Abstract: 本发明涉及一种微型射频玻璃绝缘子用低介电封接玻璃粉，其特征在于由以摩尔百分比表示的原料制成：SiO2：70.5~74.0%，B2O3：20.5~23.5%，Ga2O3：0.5~2.0%，P2O5：0.25~2.0%，Li2O：0.4~6.0%，K2O：0.1~1.5%，LaB6：0.05~1.0%，NaCl：0.03~0.3%。本发明的优点：原材料组分简单，制备方法简便易行；制得的玻璃粉介电常数和介电损耗较低、熔制成形温度较低，便于大规模工业化生产；玻璃粉的熔制成形温度为1320~1360℃，制得的玻璃在频率为1MHz时介电常数为3.8~4.1，介电损耗为4×10‑4~10×10‑4，封接温度900‑950℃。
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公开(公告)号：CN112547228A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN202011421284.3
申请日：2020-12-08
Applicant: 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司 , 玻璃新材料创新中心(安徽)有限公司
IPC: B02C17/10 , B02C17/14 , B02C17/24 , B02C23/14 , B02C23/16 , B07B1/28 , B07B1/46 , F26B9/06 , C03B1/00
Abstract: 本发明公开一种玻璃化工原料前处理装置，包括壳体，壳体内部设有一体分层工作室，一体分层工作室顶部设置有顶盖，所述顶盖下部设置有碾碎室，所述碾碎室下层设有加热室，所述加热室下层设有粗筛分网框、中筛分网框和细筛分网框，所述细筛分网框下层设有托盘，所述托盘的下方设置有固定板，所述固定板的下方设置有横向滑轮和滑轮槽，所述固定板的右侧通过连接杆和活动杆连接转盘，所述转盘转轴下部固定连接有电机。本发明操作简单，密封隔音好，不会产生粉尘污染和噪音污染，内有可抽取筛分网框和托盘，便于清理打扫，不会污染化工原料及引入其他元素物质，可根据不同玻璃化工原料的需求，更换不同目数筛分网，便于最后配合料的混合均匀。
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公开(公告)号：CN112499963A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN202011587663.X
申请日：2020-12-29
Applicant: 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司
Inventor： 彭寿 , 马立云 , 李常青 , 曹欣 , 王萍萍 , 高强 , 王巍巍 , 赵凤阳 , 杨勇 , 崔介东 , 石丽芬 , 单传丽 , 仲召进 , 单发勇 , 秦旭升 , 王雷萌 , 李金威 , 郝志云
Abstract: 本发明涉及一种自洁净TFT‑LCD基板玻璃及制备方法，其特征在于由以下质量百分比的原料制成：59～63%SiO2、16～18.5%Al2O3、0.5～1.5%P2O5、3.5～5.5CaO、6～7.5%B2O3、1.5～4MgO、6～7%SrO、0～0.2%ZrO2、0.01～0.08％CaX2，SiO2+P2O5值为60%～63%，SiO2+Al2O3+ZrO2值为75.5～77%；（1）按上述配比混合各原料，1580‑1630℃熔制，1380‑1180℃浮法成型，退火制得TFT‑LCD基板玻璃；（2）将TFT‑LCD基板玻璃浸入熔融银盐中，350‑420℃进行离子交换4‑20h，在玻璃表面形成Ag/AgX膜。本发明优点：所述玻璃应变点高于650℃，熔化温度低于1630℃，成型温度区间高于150℃；使用离子交换法在玻璃表面制备得Ag/AgX膜，工艺简单，成本低廉；在可见光范围吸收强，太阳光利用率高，分解污染物性能优异。
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