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公开(公告)号：CN116126692A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202211607704.6
申请日：2022-12-14
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06F11/36
Abstract: 本发明公开了一种基于python的算法工具自动化测试系统和方法，使用python语言实现，系统采用三层结构，包括脚本层、执行层和案例层。脚本层和用户的输入信息进行交互，并对系统的自动化测试流程进行脚本管理、调度，包括解析输入信息及输出自动化测试结果。执行层根据脚本层的解析结果调用案例层对应的测试案例集及测试工具执行测试案例。案例层是描述不同特性的测试案例的集合。本发明中测试案例自动化生成；不同待测算法工具、测试案例集的调用、测试案例集与测试工具、待测算法工具的关联更新均通过调整配置文件的配置实现；三层结构设计之间相互分离，耦合性低，可扩展性强，用户使用门槛低，测试效率高，能大幅度降低人力成本。
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公开(公告)号：CN109308395B
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN201811161427.4
申请日：2018-09-30
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于LOF‑KNN算法的晶圆级空间测量参数异常识别方法，主要解决现有异常识别方法无法准确识别晶圆级空间测量参数中单个数据的可靠性隐患异常问题。其实施方案是：1、采集样本；2、根据K最近邻KNN算法，获得样本的空间变化统计量；3、根据局部异常因子LOF算法，获得样本的局部离群因子；4、获得局部离群因子的上控制限；5、对待检测数据的异常状态进行判断，将待检测数据的局部离群因子与上控制线比较，根据待测数据的局部离群因子是否超过控制限来判断待测数据是否为异常数据。本发明可准确识别晶圆级空间测量参数中单个数据的异常状况，且稳定性好、应用范围广，可用于芯片的制作。
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公开(公告)号：CN115391975A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202210790508.0
申请日：2022-07-05
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06F30/20 , G06F119/02
Abstract: 本发明公开一种基于TCAD的NBTI效应恢复阶段仿真方法，其实现步骤为：在TCAD仿真软件中生成目标器件结构并定义模型，对目标器件进行退化仿真，对退化后的目标器件进行恢复仿真，分别计算退化后的目标器件以及不同恢复时刻的目标器件在沟道区域和栅极氧化层界面处ABDWT模型带电状态比率的平均值，计算每个恢复时刻带电状态比率的比值，最终与退化后的目标器件的阈值电压退化量相乘得到每个恢复时刻的阈值电压退化量。本发明具有完全基于TCAD仿真工具开发，操作及计算简便，能反应微观粒子真实行为，数据误差小的优点。
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公开(公告)号：CN112349840A
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN202010974472.2
申请日：2020-09-16
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种钙钛矿光电探测器及其制备方法，其中，所述钙钛矿光电探测器自下而上依次包括：衬底、TCO层、半导体层、钙钛矿层以及电极，其中，所述半导体层为超宽禁带半导体。本发明通过在钙钛矿光电探测器中引入超宽禁带半导体层，可以阻挡空穴进入电子传输层，并且可以钝化钙钛矿表面，获得更好钙钛矿光电探测器的响应，扩大了器件应用范围。
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公开(公告)号：CN111190088A
公开(公告)日：2020-05-22
申请号：CN201911389455.6
申请日：2019-12-30
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明提出了一种IGBT性能退化特征参数的提取方法，旨在提高对IGBT退化在线监测的精度，实现步骤为：(1)采集IGBT性能退化的检测数据；(2)计算拖尾电流的拟合系数和栅极漏电流的拟合系数；(3)构建IGBT的特征矩阵；(4)对特征矩阵进行核主成分分析；(5)构建样本集和健康样本集；(6)获取IGBT的性能退化特征参数。通过对漏电流拟合系数、拖尾电流拟合系数和饱和开态电压三种退化特征进行核主成分分析，剔除了冗余信息，同时使用贡献率作为加权马氏距离的权重参考，通过加权马氏距离得到了IGBT性能退化特征参数，提高了IGBT性能退化特征参数的准确性，本发明可应用于对IGBT性能退化进行在线监测。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105676817A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201610023611.7
申请日：2016-01-14
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G05B19/418
CPC classification number: Y02P90/02 , G05B19/41875
Abstract: 本发明公开了一种不同大小样本均值-标准偏差控制图的统计过程控制方法，主要解决现有控制图无法对样本大小不同时实施统计过程控制的问题。其实施步骤是：1、获取产品样本；2、计算得到每组样本的均值和标准偏差；3、获得母体均值和标准偏差；4、计算均值-标准偏差控制图中两个控制图各自相应的特征值，获得均值-标准偏差控制图中两个控制图各自相应的控制线；5、按照休哈特控制图的绘制方法，将特征值和控制线绘制成对应的控制图；6应用判断过程异常准则对步骤5的控制图进行判断，得出生产过程是否处于受控状态的结果。本发明适用范围广，母体的均值和标准偏差计算精度高，可用于样本大小相同或不同的统计过程控制。
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公开(公告)号：CN104451607A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410719525.0
申请日：2014-12-01
Applicant: 西安电子科技大学 , 中国电子科技集团公司第四十四研究所
Abstract: 本发明公开了一种提高LPCVD沉积BPSG薄膜均匀性的工艺优化方法，主要解决现有技术成本高，实验周期长，难于寻找工艺优化参数组合的问题。其实施步骤是：(1)确定实验因子及其取值范围；(2)根据实验设计原理及实验因子的取值范围设计并进行预实验，之后，采集数据并保存；(3)计算每组预实验对应的均匀性和沉积速率；(4)建立均匀性和沉积速率关于实验因子的数学式；(5)根据数学式和实际情况，获得工艺优化参数组合；(6)对工艺优化参数组合进行实验和分析，确定最终工艺优化组合参数。本发明成本低，实验周期短，易于寻找工艺优化参数组合，用于提高不同LPCVD设备沉积BPSG薄膜的均匀性。
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公开(公告)号：CN102982234A
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201210433122.0
申请日：2012-10-26
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06F19/00
Abstract: 本发明公开了一种多变量工序能力指数的计算方法，首先分析了单变量情况下成品率与工序能力指数之间的关系，基于6σ设计的思想对实际工序能力指数Cpk的计算方法进行了改进。改进后的工序能力指数ECpk与实际工艺成品率之间具有一一对应关系。然后将单变量工序能力指数计算思想延伸至多变量工艺，并引出了多变量工序能力指数MECpk。MECpk指数同时适用于有双侧规范要求和单侧规范要求的工艺。本文同时分析了协方差矩阵对工艺成品率的影响，并提出了基于协方差矩阵提高工艺成品率的解决思路。实例分析结果表明MECpk指数能够真实反映生产过程的实际工序能力。
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公开(公告)号：CN118263318A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202410209465.1
申请日：2024-02-26
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种降低泄漏电流的堆叠纳米片晶体管及其制备方法，晶体管包括：衬底结构、若干沟道层、源极、漏极、栅极、第一间隔层和第二间隔层，其中，若干沟道层沿垂直于衬底结构第一表面的方向依次分布且相互平行，每个沟道层的侧面设置有至少一个凹部；源极位于衬底结构的第一表面上，且与每个沟道层的一端接触；漏极位于衬底结构的第一表面上，且与每个沟道层的另一端接触；栅极位于衬底结构的第一表面上，围绕凹部。本发明通过在沟道层上设置凹部，使得沟道长度小于延伸区长度，从而使得高漏电压下的沟道与延伸区交界处的边缘电场在延伸区一侧分散，降低了沟道与延伸区交界处的边缘电场峰值，有效降低了泄漏电流。
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公开(公告)号：CN114692542B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202210444048.6
申请日：2022-04-25
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06F30/367 , G06F17/10 , G06F119/02 , G06F119/12
Abstract: 本发明公开了一种基于动态步长的模拟电路可靠性仿真方法，主要解决现有技术不能贴合器件实际退化情况，仿真精度和速度不能兼顾的问题。其实现方案是：从电路仿真输入文件中读取设定的退化时间T及s个步长；计算初始步长时间t0＝T/s,并将其赋值给各步长；输入器件退化模型函数，计算其随时间的退化速率函数f(t)；通过器件退化函数在不同时刻的退化速率f(t)对s个值为t0的步长进行放缩计算，得到一组动态步长；使用动态步长进行电路可靠性仿真，得到电路特征指标的退化结果。本发明提高了可靠性仿真精度，并通过设置仿真的步长数量，使得可靠性仿真时间变得预算可控，可用于预测电路性能随时间的退化关系及电路的寿命。
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