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公开(公告)号：CN112635663B
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN201910955015.6
申请日：2019-10-09
Applicant: 黑龙江大学
Abstract: 一种基于大豆蛋白的阻变存储器及其制备方法和应用，属于电子技术以及存储器器件技术领域。本发明为了解决现有阻变存储器无法实现存算一体逻辑门的构建问题。本发明将大豆蛋白薄膜作为阻变存储器的活性层，溅射有氧化铟锡薄膜的聚对苯二甲酸乙二醇酯作为衬底，镁作为上电极，获得大豆蛋白阻变存储器。本发明制得的阻变存储器的阻变特性是初始态就处于高导态，当外加电压不断增大，到达一定值后，电流发生两次突然地降低，表现出负阻效应，且阻态的跃变发生了两次，这种阻变特性为逻辑门的构建提供基础。该阻变存储器不仅能够存储数据，还能够处理数据。与传统的的冯诺依曼体系相比，本发明不仅可以作为信息存储的单元，还可以作为逻辑门处理数据。
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公开(公告)号：CN114823843A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202110402723.4
申请日：2021-04-14
Applicant: 黑龙江大学
IPC: H01L29/06 , H01L21/335 , H01L29/73 , G01R33/02
Abstract: 本发明公开了一种全介质隔离硅磁敏三极管及其制作工艺，所述全介质隔离硅磁敏三极管包括SOI硅磁敏三极管和介质隔离环，所述SOI硅磁敏三极管包括器件硅(1)、衬底硅(2)和埋层二氧化硅(3)，在器件硅(1)上设置有硅磁敏三极管，介质隔离环与埋层二氧化硅(3)形成全介质隔离结构。本发明公开的全介质隔离硅磁敏三极管被介质层包裹，有效实现元器件间隔离，同时限定了载流子在磁场作用下的偏转程度，改善了硅磁敏三极管的磁灵敏度和温度特性。此外，本发明还公开了融合微机电系统技术和SOI工艺制备得到的硅磁敏三极管，实现了小型化和集成化，为高性能硅磁敏三极管的批量生产奠定了基础。
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公开(公告)号：CN114639777A
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202210182692.0
申请日：2022-02-25
Applicant: 黑龙江大学
IPC: H01L43/12 , H01L43/02 , H01L29/73 , H01L29/423 , H01L29/417
Abstract: 本发明提供了一种平面化电极结构的立体硅磁敏三极管及其制作工艺方法，该结构包括SOI器件硅层内引线、SiO2介质隔离环和磁敏感区等，通过器件硅层内引线将发射极E从器件硅层的下表面引至器件硅层的上表面，使基极B、集电极C和发射极E均位于器件硅层的上表面，同时通过SiO2介质隔离环进行内引线区和磁敏感区的隔离，抑制内引线区杂质横向扩散对磁敏感区的影响。通过采用SOI工艺和CMOS工艺相结合，实现了立体硅磁敏感三极管的三个电极(E、B和C)平面化，突破了该器件发射区内引线制作工艺难点，为器件的集成化、小型化和批量化生产奠定基础，同时进一步提高了立体结构磁敏三极管在磁场测量中的准确度。
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公开(公告)号：CN113985329A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202111117431.2
申请日：2021-09-23
Applicant: 黑龙江大学
IPC: G01R33/032
Abstract: 本发明公开了一种空间磁场发生器装置以及采用其的空间磁场产生方法，该装置包括磁场发生器单元(1)、360°角度转盘单元(2)和待测芯片测试台(3)，所述磁场发生器单元(1)、360°角度转盘单元(2)和待测芯片测试台(3)均由控制单元控制，以实现对待测芯片施加空间磁场。本发明提供的空间磁场发生器装置结构简单，操作方便，能够在xy平面、xz平面、yz平面和任意平面内对待测芯片进行固定磁场加载。通过控制单元可实现磁场发生器单元产生的磁场大小和旋转平台旋转角度自动化控制，精度高、误差小。
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公开(公告)号：CN111880130A
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN202010657902.8
申请日：2020-07-09
Applicant: 黑龙江大学
Abstract: 本发明公开了一种空间磁场矢量传感器及其制作工艺方法，所述传感器包括第一磁敏感结构和第二磁敏感结构，第二磁敏感结构设置在第一磁敏感结构中，二者的磁敏感方向正交且磁敏感中心重合。其中，所述第一磁敏感结构由磁敏三极管及负载电阻构成的两对差分结构组成，形成x轴、y轴磁敏感单元，可实现xy平面内磁场分量测量；所述第二磁敏感结构由磁敏三极管及负载电阻构成的一对差分结构组成，形成z轴磁敏感单元，可实现z方向磁场分量测量。本发明公开的传感器制作工艺方法，包括制备第一磁敏感结构和第二磁敏感结构，并将第二磁敏感结构嵌入第一磁敏感结构中。该方法可实现空间磁场矢量传感器芯片制作，具有各磁敏感方向磁敏特性一致性好等特点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111238714A
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN202010103197.7
申请日：2020-02-19
Applicant: 黑龙江大学
Abstract: 本发明公开了一种微压传感器及其制作工艺方法，所述微压传感器包括SOI衬底，在所述SOI衬底上设置有弹性元件和敏感元件，以实现对外加微压的测量；其中，弹性元件包括弹性硅膜和四个梯形梁结构，敏感元件为梯形梁结构上四个压敏电阻构成的惠斯通电桥结构。本发明通过微电子机械加工技术在SOI晶圆上制作弹性硅膜、四个梯形梁结构和四个压敏电阻，具有集成化和小型化的特点，构成的微压传感器能够实现对外加压力的检测且能实现微压测量。
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公开(公告)号：CN108226236A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201810085260.1
申请日：2018-01-29
Applicant: 黑龙江大学
IPC: G01N27/22
Abstract: 本发明公开了一种集成化湿度传感器及其制作工艺，所述湿度传感器以C型硅杯(1)为衬底，在所述C型硅杯(1)的上表面生长有二氧化硅层(2)，在所述二氧化硅层(2)的上表面设置有叉指电极(3)，在所述二氧化硅层(2)的下表面设置有加热电阻(7)，在所述叉指电极(3)上设置有感湿层(4)，在所述二氧化硅层(2)的上表面、感湿层(4)周围设置有加磁线圈(5)；所述湿度传感器采用集成化工艺制备，具有集成化程度高、体积小的优点，并且，同时具有湿度检测的稳定性好、灵敏度高、响应时间快和线性度好等优点。
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公开(公告)号：CN102243126A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN201110093983.4
申请日：2011-04-14
Applicant: 黑龙江大学
Abstract: 纳米硅薄膜晶体管压力传感器，属于传感器技术领域。它解决了现有压力传感器存在零点漂移的问题。它由第一纳米硅薄膜晶体管、第二纳米硅薄膜晶体管、第三纳米硅薄膜晶体管、第四纳米硅薄膜晶体管和单晶硅衬底组成，第一纳米硅薄膜晶体管的漏极连接电源VDD，第四纳米硅薄膜晶体管的源极接地GND；第二纳米硅薄膜晶体管的源极引出端作为第一输出电压端VOUT1，第一纳米硅薄膜晶体管的源极引出端作为第二输出电压端VOUT2；四个纳米硅薄膜晶体管均设置在单晶硅衬底上，单晶硅衬底的背面为C型硅杯结构，四个纳米硅薄膜晶体管沟道电阻构成惠斯通电桥结构。本发明用于压力检测。
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