用于图像采集的方法和装置
    43.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119946402A

    公开(公告)日:2025-05-06

    申请号:CN202411538990.4

    申请日:2024-10-31

    Abstract: 提供了用于图像采集的方法和装置。所述用于图像采集的方法包括:通过在连续拍摄期间执行快门关闭,来经由传感器获取包括与快门关闭对应的快门关闭帧的图像帧;获取与目标图像帧对应的测量信号;基于与目标图像帧对应的目标快门关闭帧,从与快门关闭时段帧对应的测量信号去除与目标快门关闭帧对应的第一剩余信号,快门关闭时段帧包括目标图像帧与目标快门关闭帧之间的图像帧;以及基于被去除第一剩余信号的快门关闭时段帧中的一个或多个来生成被去除第二剩余信号的目标图像帧。

    传感器嵌入式显示面板和电子设备

    公开(公告)号:CN118076181A

    公开(公告)日:2024-05-24

    申请号:CN202311558071.9

    申请日:2023-11-21

    Abstract: 公开传感器嵌入式显示面板和电子设备。所述传感器嵌入式显示面板包括光发射元件和传感器,所述光发射元件和传感器包括包含空穴传输材料的第一公共辅助层和包含电子传输材料的第二公共辅助层的单独的部分。所述传感器包括第一和第二半导体层,所述第一和第二半导体层分别接近于所述第一和第二公共辅助层,并且分别包括p‑型半导体和具有比所述电子传输材料的LUMO能级深的LUMO能级的非富勒烯n‑型半导体。在所述第二半导体层和所述第二公共辅助层之间的插入层包括金属、金属化合物、或其任意组合。所述金属的功函或所述金属化合物的LUMO能级分别比所述非富勒烯n‑型半导体的LUMO能级和所述电子传输材料的LUMO能级的每一个深了或浅了在小于约1.3eV的范围内的值。

    图像传感器和电子设备
    45.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117812925A

    公开(公告)日:2024-04-02

    申请号:CN202311271827.1

    申请日:2023-09-28

    Abstract: 本发明涉及图像传感器和电子设备。图像传感器包括其中集成多个光感测元件的半导体基板、在所述半导体基板上的有机活性层、在所述有机活性层和所述半导体基板之间的中间层、以及任选地在所述有机活性层上的滤色器层。所述有机活性层包括单线态裂分材料。所述中间层包括选自氧化物、氮化物、氧氮化物、氟化物、氟氧化物、及其任意组合的电介质。

    传感器嵌入式显示面板、图像传感器和显示装置

    公开(公告)号:CN115483254A

    公开(公告)日:2022-12-16

    申请号:CN202210608250.8

    申请日:2022-05-31

    Abstract: 公开了传感器嵌入式显示面板、图像传感器和显示装置。该传感器嵌入式显示面板包括基板、在基板上并包括发射层的发光元件、以及在基板上的光电元件。光电元件包括光吸收层。光吸收层在平行于基板的上表面延伸的水平方向上至少部分地与发射层重叠。发光元件和光电元件各自包括:第一公共辅助层的单独部分,第一公共辅助层在发射层的顶部和光吸收层的顶部延伸;以及第二公共辅助层的单独部分,第二公共辅助层在发射层的底部和光吸收层的底部延伸。光电元件进一步包括辅助层,该辅助层具有与红色波长光谱、绿色波长光谱和蓝色波长光谱之一对应的厚度。

    传感器、操作其的方法、照相机和电子设备

    公开(公告)号:CN113644196A

    公开(公告)日:2021-11-12

    申请号:CN202110504080.4

    申请日:2021-05-10

    Abstract: 本发明涉及传感器、操作其的方法、照相机和电子设备。传感器包括第一电极和第二电极、以及在第一电极和第二电极之间的光活性层。光活性层包括被配置为与第一电极形成肖特基结的光吸收半导体。光活性层具有载流子捕获位点,所述载流子捕获位点被配置为俘获基于吸收至少在邻近第一电极的位置处进入光活性层的入射光的光吸收半导体产生的光生载流子。传感器被配置为具有基于在第一电极和第二电极之间施加的电压偏压调节的外量子效率(EQE)。

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