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公开(公告)号：CN1578561A
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN200410059001.X
申请日：2004-07-29
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L51/5012 , H01L51/5048 , H01L51/5237
Abstract: 本发明涉及一种含有UV稳定剂的有机电致发光显示装置，并且通过提供一种有机电致发光显示装置，其含有底物、底物上形成的第一电极、第一电极上形成的发光层以及发光层上部形成的第二电极，其中，发光层掺杂有UV稳定剂，并且UV稳定剂的吸收范围为420nm或小于420nm，来提供一种即使被暴露在太阳光下其特性也没有被紫外线所降低的有机电致发光显示装置。
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公开(公告)号：CN1510973A
公开(公告)日：2004-07-07
申请号：CN200310120585.2
申请日：2003-12-15
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L51/0013 , H01L51/005 , H01L51/0059 , H01L51/0062 , H01L51/0077 , H01L51/0078 , H01L51/0081 , H01L51/0084 , H01L51/0085 , H01L51/0089
Abstract: 本发明公开了一种低分子量全色有机电致发光设备和一种制造低分子量全色有机电致发光设备的方法，通过提供低分子量全色有机电致发光设备的供体膜，能够放大和批量生产具有高分辨率的有机电致发光设备，所述供体膜包括：基材膜；在基材膜的上部形成的光热转化层；和在光热转化层的上部形成且由低分子量材料形成的转移层。通过激光照射和加热的一部分转移层根据转移层与光热转化层的粘附力的变化而从光热转化层上分离，而没有被激光照射的转移层部分被固定至光热转化层上。
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公开(公告)号：CN1484476A
公开(公告)日：2004-03-24
申请号：CN03124310.X
申请日：2003-04-30
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L51/5096 , H01L27/3244 , H01L51/0037 , H01L51/005 , H01L51/0053 , H01L51/0062 , H01L51/007 , H01L51/0081 , H01L51/5048 , H01L51/5221 , H01L51/56 , Y10T428/26 , Y10T428/31678
Abstract: 一种有机场致发光(EL)器件，它包括：衬底，设置在衬底上的第一电极；设置在第一电极上的包含聚合物的发射层；在发射层上形成的第二电极；以及在发射层和第二电极之间形成的金属渗透保护层，用来防止第二电极形成金属渗透到发射层中。制造方法包括制备所述场致发光器件的操作。
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公开(公告)号：CN1469692A
公开(公告)日：2004-01-21
申请号：CN03148788.2
申请日：2003-06-26
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: C09K11/06 , C09K2211/10 , C09K2211/1003 , C09K2211/1018 , C09K2211/14 , C09K2211/1408 , C09K2211/1441 , H01L51/0013 , H01L51/0037 , H01L51/0059 , H01L51/0062 , H01L51/5012 , H05B33/14 , Y10S428/917
Abstract: 本发明公开了一种有机EL装置，其中通过提供一种包括第一电极，空穴迁移层，发光层，和第二电极的有机EL装置而改进发光效率、颜色纯度和激光诱导的热成像特性，其中发光层使用光学活性低分子电荷迁移材料和高分子发光物质的混合物。
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公开(公告)号：CN100448055C
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：CN200410089749.4
申请日：2004-11-05
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L27/3246 , H01L27/1248 , H01L27/3248 , H01L27/3258 , H01L51/0013 , H01L51/5206 , H01L51/5221 , H01L2251/5315 , H01L2251/5323 , H01L2251/558
Abstract: 提供了一种有机发光显示器，该有机发光显示器可以如下构成：TFT衬底，该TFT衬底包括绝缘衬底和具有至少一个源电极和一个漏电极的TFT；下电极，其形成在TFT衬底上并连接到源/漏电极其中之一；绝缘层，其具有暴露一部分下电极的开口；有机薄膜层，其形成在下电极的暴露部分和绝缘层上；以及上电极，其形成在有机薄膜层上，其中绝缘层在开口的边缘具有小于40°的锥角，并且在下电极与有机薄膜层之间形成小于或等于3000埃的台阶。所述有机发光显示器可以避免器件故障。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100440574C
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN200410011791.4
申请日：2004-09-29
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L27/3244 , H01L51/5209
Abstract: 本发明涉及一种改进的有机电致发光显示装置。在一个实施例中，OLED包括形成在绝缘衬底上非发射区中并还具有源和漏电极的薄膜晶体管。OLED还包括形成在所述绝缘衬底上发射区中并经由接触孔连结到所述源和漏电极中的一个电极的下电极。OLED还包括形成在所述下电极上所述发射区中的有机发射层，和形成在所述有机发射层上的上电极，其中所述下电极具有其角部被圆化的表面，和下电极的下表面的曲率半径大于下电极的上表面的曲率半径。下电极用作像素电极。它的表面具有弄圆的角部，防止了除气造成的短路诱发缺陷。
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公开(公告)号：CN100433398C
公开(公告)日：2008-11-12
申请号：CN03148788.2
申请日：2003-06-26
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: C09K11/06 , C09K2211/10 , C09K2211/1003 , C09K2211/1018 , C09K2211/14 , C09K2211/1408 , C09K2211/1441 , H01L51/0013 , H01L51/0037 , H01L51/0059 , H01L51/0062 , H01L51/5012 , H05B33/14 , Y10S428/917
Abstract: 本发明公开了一种有机EL装置，其中通过提供一种包括第一电极，空穴迁移层、发光层，和第二电极的有机EL装置而改进发光效率、颜色纯度和激光诱导的热成像特性，其中发光层使用光学活性低分子电荷迁移材料和高分子发光物质的混合物。
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公开(公告)号：CN1967865A
公开(公告)日：2007-05-23
申请号：CN200610146556.7
申请日：2006-11-15
Applicant: 三星SDI株式会社
Abstract: 本发明公开了一种激光诱导热成像(LITI)装置和利用该装置制造电子设备的方法。所述LITI装置包括室、基底支撑物、晒版器件和激光源或振荡器。LITI装置将可转印层从膜供体装置转印到中间电子设备的表面上。LITI装置利用磁力来提供可转印层和中间设备的表面之间的紧密接触。通过在LITI装置中的插入可转印层和中间设备表面而分开的两个组件中形成的磁性材料来产生磁力。在LITI装置的两个下面的组件中形成磁体或者磁性材料：1)中间设备和膜供体装置；2)中间设备和晒版器件；3)基底支撑物和膜供体装置；或者4)基底支撑物和晒版器件。
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公开(公告)号：CN1744782A
公开(公告)日：2006-03-08
申请号：CN200410099748.8
申请日：2004-12-31
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L51/0013 , H01L27/3244
Abstract: 提供了一种制造有机发光显示器的方法。该方法包括：准备用于供体基板的基底；清洗基底；在已清洗的基底上形成转印层；以及通过使得供体基板与像素电极形成于其上的基板相对来构图转印层。
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公开(公告)号：CN1744778A
公开(公告)日：2006-03-08
申请号：CN200410095472.6
申请日：2004-12-31
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: B41J2/325 , B41M5/38221 , H01L51/0013 , H01L51/56
Abstract: 本发明提供一种制造有机发光显示器的激光感热成像(LITI)装置。该激光感热成像装置包括：一个布置有基板的平台；一个用于传输施主基板的传输装置；一个叠层该基板与施主基板的叠层器；一个执行LITI的激光光学单元；和提供有一种惰性气体的大气压力的室，前述平台、叠层器和激光光学单元被布置在该室中。根据本发明的LITI装置通过调整惰性气体气氛中氧气和水蒸汽的分压来进行转移工艺，从而可以保护基板上将被转移的有机层和像素电极免受外部空气的影响，从而提高了所制造有机发光显示器的寿命特性。
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