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公开(公告)号：CN108132580B
公开(公告)日：2020-12-25
申请号：CN201711394075.2
申请日：2017-12-21
Applicant: 上海华力微电子有限公司
IPC: G03F1/36
Abstract: 本发明提供的去除斜边凸起的方法，包括：输入初始目标图形；选择长度小于第一预设值的短边，所述短边与坐标轴平行或垂直；选择与短边相邻的边为斜边，所述斜边与所述短边成135°；收缩所述斜边，形成目标多边形，且所述目标多边形与所述短边共边；选择与所述目标多边形接触的边为扩展边，所述扩展边延伸并向内扩展第二预设值形成覆盖区域；将所述目标多边形与所述覆盖去除进行非逻辑运算，形成移除图形；将所述初始目标图形与所述移除图形进行非逻辑运算，得到处理后的图形。本发明中，在OPC之前对初始目标图形进行预处理，去除斜边上的凸起，能够减少斜边上凸起对OPC结果的影响，提高OPC结果的一致性。
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公开(公告)号：CN111929981A
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN202010891829.0
申请日：2020-08-28
Applicant: 上海华力微电子有限公司
IPC: G03F1/36
Abstract: 本发明提供了一种接触孔光刻工艺热点的光学邻近修正方法，包括：提供OPC图形，所述OPC图形上具有接触孔区域；在所述接触孔区域的空白区域添加亚分辨率辅助图形；步进移动所述亚分辨率辅助图形以改善所述接触孔的边缘误差。本发明的接触孔光刻工艺热点的光学邻近修正方法，通过移动亚分辨率辅助图形，以改变亚分辨率辅助图对接触孔区域的光线散射作用，进一步的调节接触孔区域的光强分布，强化边角轮廓和増加曝光焦深，使得接触孔的边缘误差得到改善，如此，改善了OPC图形中因接触孔边缘误差所导致的工艺热点。
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公开(公告)号：CN104166305B
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN201410428712.3
申请日：2014-08-27
Applicant: 上海华力微电子有限公司
IPC: G03F1/36
Abstract: 本发明提供了一种减少修正迭代次数的OPC方法，包括：执行OPC过程，经过原始迭代次数，得到原始OPC修正图形；对原始OPC修正图形进行验证；找出原始OPC修正图形与目标图形的差距为原始OPC修正量，并设定原始OPC修正的临界值；将原始OPC修正图形中原始OPC修正量超过原始OPC修正的临界值的目标图形进行标记；设定新的迭代次数，执行新的OPC迭代过程，并在第一次迭代中，将原始OPC修正量赋值于标记的目标图形；得到并验证新的OPC修正图形；判断新的OPC修正图形的验证结果是否在误差标准内；是，则新的迭代次数为新的OPC的迭代次数；否则，使新的迭代次数再加1，并重新执行新的OPC过程，直至新的OPC的验证结果在误差标准内。从而保证了OPC精度和节约了时间。
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公开(公告)号：CN108062010B
公开(公告)日：2020-04-24
申请号：CN201711219183.6
申请日：2017-11-28
Applicant: 上海华力微电子有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明提供了一种基于光学临近效应修正减少栅极波动的方法，应用于光刻工艺中，其中，提供一目标图形，并对目标图形的图形边进行分割以形成可移动的图形片段；包括以下步骤：步骤S1、对目标图形进行模拟曝光以获得目标图形的边缘误差；步骤S2、根据边缘误差移动图形片段，并在移动后的目标图形达到一预定值时执行步骤S3；步骤S3、停止移动图形片段，判断移动的图形片段是否为间隔终端，并在为间隔终端时执行步骤S4；步骤S4、根据当前的图形片段与栅极之间的距离，对移动之后的间隔终端进行追加移动；步骤S5、固定当前的图形片段，以形成最终的修正图形。其技术方案的有益效果在于，在修正过程中可有效减小栅极尺寸波动，可提产品性能。
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公开(公告)号：CN105759561B
公开(公告)日：2019-09-17
申请号：CN201610326182.0
申请日：2016-05-17
Applicant: 上海华力微电子有限公司
IPC: G03F1/36
Abstract: 本发明提供了一种基于掩模板规则限制优化光学临近修正结果的方法，包括：第一步骤：根据通孔与上下层的互连关系选择出单一通孔；第二步骤：在对目标图形进行分段后，选择出互相之间受到掩模板规则限制的密集线端；第三步骤：选择线端对单一通孔包含量小于规定值的线端；第四步骤：根据第二步骤与第三步骤选定的线端进行逻辑运算，得到在光学临近修正处理中被限制的线端；第五步骤：为第四步骤确定的在光学临近修正处理中被限制的线端设定最大修正量；第六步骤：进行基于模型的光学临近修正迭代过程，得到最终光学临近修正结果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106328508B
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：CN201610704771.8
申请日：2016-08-22
Applicant: 上海华力微电子有限公司
IPC: H01L21/28 , H01L29/423
Abstract: 本发明提供了一种改善有源区边界处的栅极拐角的方法，包括：判断栅极区和有源区的交接处是否存在拐角，判断非栅极区的多晶硅与有源区的平行距离是否在所设定的安全范围内；判断非栅极区的多晶硅尺寸是否在所设定的设计规则数值范围之内或小于所设定的设计规则数值范围；选择非栅极区的多晶硅图形为需修正的第二图形；判断需修正的第二图形的远离栅极区的边界到与该边界最近的图形边界的距离是否在所设定的修正空间之内；将需修正的第二图形的远离栅极区的边界向远离栅极区的方向移动；引入控制栅极区边缘圆弧外倾的修正过程，对需修正的第一图形、或者需修正的第一图形和第二图形进行修正；对修正后的图形进行模拟验证。
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公开(公告)号：CN108132580A
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201711394075.2
申请日：2017-12-21
Applicant: 上海华力微电子有限公司
IPC: G03F1/36
CPC classification number: G03F1/36
Abstract: 本发明提供的去除斜边凸起的方法，包括：输入初始目标图形；选择长度小于第一预设值的短边，所述短边与坐标轴平行或垂直；选择与短边相邻的边为斜边，所述斜边与所述短边成135°；收缩所述斜边，形成目标多边形，且所述目标多边形与所述短边共边；选择与所述目标多边形接触的边为扩展边，所述扩展边延伸并向内扩展第二预设值形成覆盖区域；将所述目标多边形与所述覆盖去除进行非逻辑运算，形成移除图形；将所述初始目标图形与所述移除图形进行非逻辑运算，得到处理后的图形。本发明中，在OPC之前对初始目标图形进行预处理，去除斜边上的凸起，能够减少斜边上凸起对OPC结果的影响，提高OPC结果的一致性。
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公开(公告)号：CN107506538A
公开(公告)日：2017-12-22
申请号：CN201710670732.5
申请日：2017-08-08
Applicant: 上海华力微电子有限公司
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明提供一种光学临近修正工艺的预处理方法，属于集成电路设计技术领域，包括：将第一图形边朝图形外侧延伸一第一预设距离以得到一菱形的第一图形；将第二图形边朝图形外侧延伸一第二预设距离以得到一预处理覆盖图形，将预处理覆盖图形沿与第二图形边平行的方向延伸一第三预设距离以得到一覆盖部分第一图形的覆盖图形；对第一图形和覆盖图形进行逻辑“非”处理以得到第二图形；对图形和第二图形进行逻辑“或”处理以得到具有一倒角缺口的第一目标图形；对倒角缺口进行三角填充以得到第二目标图形。本发明的有益效果：提高OPC处理结果的准确性与一致性。
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公开(公告)号：CN105759561A
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：CN201610326182.0
申请日：2016-05-17
Applicant: 上海华力微电子有限公司
IPC: G03F1/36
Abstract: 本发明提供了一种基于掩模板规则限制优化光学临近修正结果的方法，包括：第一步骤：根据通孔与上下层的互连关系选择出单一通孔；第二步骤：在对目标图形进行分段后，选择出互相之间受到掩模板规则限制的密集线端；第三步骤：选择线端对单一通孔包含量小于规定值的线端；第四步骤：根据第二步骤与第三步骤选定的线端进行逻辑运算，得到在光学临近修正处理中被限制的线端；第五步骤：为第四步骤确定的在光学临近修正处理中被限制的线端设定最大修正量；第六步骤：进行基于模型的光学临近修正迭代过程，得到最终光学临近修正结果。
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