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公开(公告)号：CN112768521A
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN201911001601.3
申请日：2019-10-21
Applicant: 东南大学 , 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L29/78
Abstract: 本发明涉及一种横向双扩散金属氧化物半导体器件包括：漂移区，具有第一导电类型；第一体区，设于所述漂移区上，具有第二导电类型；所述第一导电类型和第二导电类型为相反的导电类型；第一导电类型区，设于所述第一体区内；第二体区，设于所述第一导电类型区内，具有第二导电类型；源极区，设于所述第二体区内，具有第一导电类型；接触区，设于所述第一体区内，具有第二导电类型。本发明解决了LDMOS的体二极管在反向恢复期间，因寄生NPN开启导致的反向恢复失效问题，并且不需要设置沟槽隔离结构。
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公开(公告)号：CN107395040B
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201710440952.9
申请日：2017-06-13
Applicant: 东南大学
IPC: H02M7/48
Abstract: 本发明公开了一种并网变流器复矢量PI控制器解耦与延时补偿方法，以被控对象的矢量模型为基础，直接将控制器的零点设置在被控对象的极点处，得到复系数电流控制器模型；针对数字控制的一拍延时以及变流器固有的零阶保持特性，计算得到系统延时传递函数，通过在复矢量PI控制器后串联延时补偿项实现电流环的延时补偿。本发明为并网变流器的电流环设计提供了一种简便有效的方法，最大程度地抑制电流环d、q轴电流耦合问题，通过延时补偿增大系统的相角裕度，提高电流环的稳定性并改善动态响应性能。
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公开(公告)号：CN109995303A
公开(公告)日：2019-07-09
申请号：CN201711473986.4
申请日：2017-12-29
Applicant: 东南大学 , 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H02P25/098
Abstract: 本发明公开了一种基于调节电流斩波限降低开关磁阻电机噪声的方法，该方法在低速电流斩波控制(CCC)模式下，使用伪随机方法为每相电流斩波限引入随机偏移量，使得各相电流斩波的上、下限不同，破坏激励的周期性，进而破坏径向电磁力的周期性，避免其频率与电机定子固有频率一致，从而通过破坏共振，达到降低开关磁阻电机噪声的目的。本发明的特点是无需硬件电路辅助，应用成本低廉，易于实现。
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公开(公告)号：CN105515366B
公开(公告)日：2018-01-12
申请号：CN201610003348.5
申请日：2016-01-04
Applicant: 东南大学
IPC: H02M3/00
Abstract: 本发明公开了一种用于LCC谐振DC‑DC变换器的混合控制方法，通过采集变换器的输入电压Vi、输出电压Vo和输出电流io获得反馈信号：当变换器的目标输出电压小于额定输出电压VoN的一半时，变换器采用定频移相控制模式进行控制；否则，变换器采用定频不对称电压控制模式进行控制；其中，额定输出电压VoN取决于LCC谐振DC‑DC变换器的输入电压Vi和负载情况。本发明采用定频控制，输出滤波器设计简单，EMI性能好。对输入电压进行采样反馈提高了谐振变换器应对输入电压变化的适应性能。采用混合控制模式相对于普通移相控制使得谐振变换器可以以较低的开关频率实现软开关，提高了转换效率。
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公开(公告)号：CN104916674B
公开(公告)日：2017-10-31
申请号：CN201510181744.2
申请日：2015-04-17
Applicant: 东南大学 , 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L29/08
Abstract: 一种电流增强型横向绝缘栅双极型晶体管，在维持闩锁能力不变的前提下，提高电流密度和关断速率。该半导体具备：在P型衬底上设有埋氧，埋氧上设有N型漂移区，其上设有P型体区和N型缓冲区，N型缓冲区内设有P型集电极区，P型集电极区上连接有阳极金属，在N型漂移区的上方设有场氧层，在P型体区内设有P型阱区，P型阱区内设有P型发射极区和发射极区，上述4区域的内侧边界同步内陷形成方形凹槽，发射极区围绕凹槽依次定义为第一P型发射极区、第二三四N型发射极区、第五P型发射极区，N型漂移区外凸并充满方形凹槽，P型体区表面设有栅氧化层，在栅氧化层表面设有多晶硅层，在多晶硅层上连接有栅金属。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114884035B
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202210625849.2
申请日：2022-06-02
Applicant: 东南大学
IPC: H02H7/26 , H02H7/28 , G06F30/27 , G06N3/006 , G06F111/04 , G06F111/06 , G06F113/04
Abstract: 本发明公开了一种多端电网限流设备参数离散型分级优化方法，涉及电力系统继电保护技术领域，包括：根据电网中换流器与电网耦合程度，提出区域划分原则及相应区域典型限流方案；分析限流设备参数对故障电流影响规律，结合电感参数误差范围，提出限流设备参数离散化设计原则；判断电网是否具有低耦合区域，若有，依据单端系统故障电流解析式确定该区域限流设备参数；对高耦合区域，结合限流设备离散参数，建立优化模型，对该区域设备参数进行离散优化，通过分级优化，同时缩小优化空间，使得原本连续的限流设备参数在有限离散点里取值，提高优化计算效率；在满足限流需求时，减少限流设备定制成本，更符合实际工程设备规格化和标准化需求。
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公开(公告)号：CN119153488A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202310714329.3
申请日：2023-06-15
Applicant: 东南大学 , 无锡华润上华科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种隔离结构，包括：结终端，包括多个结终端浮空场板；隔离环，与所述结终端连接；横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管，包括源极区、漏极区、栅极、漂移区、场区绝缘层及LDMOS浮空场板，所述漂移区的至少部分区域位于所述源极区和漏极区之间，所述场区绝缘层位于所述漂移区上，所述栅极的一侧靠近所述源极区、另一侧靠近所述漏极区，所述LDMOS浮空场板的数量与所述结终端浮空场板相同，各所述LDMOS浮空场板与各所述结终端浮空场板一一对应电性连接；各所述LDMOS浮空场板包括靠近所述源极区设置的第一场板、靠近所述漏极区设置的第二场板及位于所述第一场板和第二场板之间的若干第三场板。本发明能够提升隔离结构中LDMOS的击穿电压。
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公开(公告)号：CN112768521B
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN201911001601.3
申请日：2019-10-21
Applicant: 东南大学 , 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L29/78
Abstract: 本发明涉及一种横向双扩散金属氧化物半导体器件包括：漂移区，具有第一导电类型；第一体区，设于所述漂移区上，具有第二导电类型；所述第一导电类型和第二导电类型为相反的导电类型；第一导电类型区，设于所述第一体区内；第二体区，设于所述第一导电类型区内，具有第二导电类型；源极区，设于所述第二体区内，具有第一导电类型；接触区，设于所述第一体区内，具有第二导电类型。本发明解决了LDMOS的体二极管在反向恢复期间，因寄生NPN开启导致的反向恢复失效问题，并且不需要设置沟槽隔离结构。
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公开(公告)号：CN113964826A
公开(公告)日：2022-01-21
申请号：CN202111233164.5
申请日：2021-10-22
Applicant: 东南大学 , 国网辽宁省电力有限公司电力科学研究院 , 国网辽宁省电力有限公司 , 国家电网有限公司
IPC: H02J3/00 , H02J3/38 , H02M7/5387
Abstract: 本发明公开了一种适用于光伏逆变器的双向故障穿越控制策略，所述双向故障穿越控制策略同时具备应对交流电网三相电压跌落故障与应对直流侧极间短路故障穿越能力，且采用混合调制技术，根据不同工况的运行需要切换不同的工作模式。本发明所述光伏逆变器采用子模块混合型MMC而非纯全桥结构，在保证系统运行需求条件下降低了成本；创造性地基于“虚拟半桥”视角进行全桥子模块拓扑解析，奠定了混合调制技术的基础；交流电网电压跌落故障时可以实现交流故障电流抑制和维持母线电压稳定，直流侧发生双极短路故障时可主动限制短路电流为零，实现直流故障穿越；混合调制技术保障系统实现各工况下功率传输、故障穿越需求。
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公开(公告)号：CN113328707A
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN202110623688.9
申请日：2021-06-04
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种射频放大器中的静电能和热能收集及自供电。在射频放大器中，输入端口Input或输出端口Output的PAD上出现静电时，静电电荷通过高频扼流圈传输到MEMS悬臂梁上，使悬臂梁与下方电荷存储器上极板出现电势差，悬臂梁被静电力拉下，静电电荷由此传输到电荷存储器上极板，电荷存储器将静电能转换为电能，向能量收集及其电源管理电路输出直流电压，完成静电能的收集。射频放大器工作时，所述的放置于MOS管源极和漏极周围的热电偶，用于收集射频放大器工作时产生的热能，并将热能转换为电能，输出至能量收集及其电源管理电路。
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