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公开(公告)号：CN110336281B
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN201910489567.2
申请日：2019-06-06
IPC: H02J3/01
Abstract: 本发明公开了一种基于多重cPCI控制器的谐波电流分次补偿方法，对负载电流谐波检测计算谐波电流；将基波电流值和补偿的谐波电流相加，cPCI电流控制器控制主电路开断。控制器采用多个cPCI控制器并联，补偿指定次谐波电流。当单次谐波电流不平衡时，其控制频率的cPCI控制器配置为双边型，同时实现对正序和负序分量的调节；当单次谐波电流平衡时，其控制频率的cPCI控制器配置为单边型，仅需控制正序或负序分量。相较于PR、VPI控制器，控制不平衡谐波时两者性能相当；在控制平衡单次谐波时，计算量减少一半，电流环带宽增加一倍，显著提高了电流环的动态响应速度，被用于储能、风力发电、光伏发电等分布式新能源并网系统中。
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公开(公告)号：CN119967861A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202311477718.5
申请日：2023-11-07
Applicant: 东南大学 , 无锡华润上华科技有限公司
Abstract: 本申请涉及一种横向扩散金属氧化物半导体器件，包括：基底；体区和漂移区，沿第一方向排布于基底内；漂移区内设有漏区，体区内设有源区；第一方向垂直于基底的厚度方向；第一介质层，设于基底上，且至少覆盖部分体区和部分漂移区；第一场板，设于第一介质层远离基底的一侧，第一场板在基底上的正投影位于体区和漏区之间，且覆盖部分漂移区；第一高K介质层，设于第一介质层远离基底的一侧，且与第一场板靠近漏区的一端连接，第一高K介质层在基底上的正投影覆盖部分漂移区。本申请提供的横向扩散金属氧化物半导体器件一方面可以提升器件耐压，另一方面在相同击穿电压下，可以实现更小的导通电阻。
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公开(公告)号：CN119156119A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202310714220.X
申请日：2023-06-15
Applicant: 东南大学 , 无锡华润上华科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种霍尔传感器及其制造方法，所述霍尔传感器包括：衬底，具有第二导电类型；埋藏区，位于所述衬底中，具有第一导电类型；所述第一导电类型和第二导电类型为相反的导电类型；多个第一导电类型阱区，位于所述埋藏区上，各所述第一导电类型阱区的底部与所述埋藏区直接接触，相邻的第一导电类型阱区之间被所述衬底隔开。本发明可以促使载流子经由埋藏区从器件内部流过，这样就优化了电流路径，降低器件的表面效应与噪声对霍尔器件性能的影响，提高霍尔器件的灵敏度。
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公开(公告)号：CN119153489A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202310715151.4
申请日：2023-06-15
Applicant: 东南大学 , 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/205 , H01L21/335 , H01L29/778
Abstract: 本发明涉及一种氮化镓功率器件及其制备方法，所述器件包括耐压区，耐压区包括第一导电类型掺杂区、第二导电类型掺杂区、多个电阻结构、多个导电结构、漏极掺杂区及第一漏电极。第一导电类型掺杂区和第二导电类型掺杂区设于衬底中，各电阻结构设于衬底上；每个导电结构的两端各连接一电阻结构，从而将各电阻结构串联连接；一导电结构的底部与第二导电类型掺杂区电性连接，其余电阻结构的底部与所述第一导电类型掺杂区电性连接。漏极掺杂区，设于衬底中，第一导电类型掺杂区位于第二导电类型掺杂区与漏极掺杂区之间；第一漏电极设于漏极掺杂区上，第一漏电极的底部与漏极掺杂区电性连接。本发明极大地提高了器件的雪崩能力，消除了衬偏效应。
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公开(公告)号：CN117995534A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202211333545.5
申请日：2022-10-28
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司 , 东南大学
Abstract: 本发明涉及一种隔离变压器及半导体器件，所述隔离变压器包括：下线圈；主介质层，覆盖所述下线圈；氮氧化硅层，位于所述主介质层上；上线圈，位于所述氮氧化硅层上。本发明在主介质层和上线圈之间设置氮氧化硅层，在确保器件耐压的同时，能够减小高压区域对低压区域的影响，提升器件总体的寿命。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117650558A
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN202311623734.0
申请日：2023-11-30
Applicant: 东南大学 , 国网江苏省电力有限公司电力科学研究院 , 国网江苏省电力有限公司 , 国家电网有限公司
Abstract: 本发明涉及一种电力系统应用技术领域，公开了一种面向暂态稳定性提升的构网型储能自适应控制方法，所述控制方法在传统构网型储能系统控制结构中的虚拟同步机模块引入储能自适应暂态支撑环路以控制储能系统注入功率实时改变为系统提供暂态稳定性支撑。本发明发布的运行方案控制结构简单，参数调节方便，引入储能自适应暂态支撑环路的构网型储能系统可以在系统发生暂态大信号扰动，保证系统在故障条件下稳定运行，避免因系统暂态失稳、新能源变流器同步失稳引发的新能源大规模脱网问题。并且可以有针对性地选择对新能源场站暂态支撑效果最好的储能系统承担主导支撑作用，节约储能系统充放电成本，提高经济效益。
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公开(公告)号：CN113328707B
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202110623688.9
申请日：2021-06-04
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种射频放大器中的静电能和热能收集及自供电。在射频放大器中，输入端口Input或输出端口Output的PAD上出现静电时，静电电荷通过高频扼流圈传输到MEMS悬臂梁上，使悬臂梁与下方电荷存储器上极板出现电势差，悬臂梁被静电力拉下，静电电荷由此传输到电荷存储器上极板，电荷存储器将静电能转换为电能，向能量收集及其电源管理电路输出直流电压，完成静电能的收集。射频放大器工作时，所述的放置于MOS管源极和漏极周围的热电偶，用于收集射频放大器工作时产生的热能，并将热能转换为电能，输出至能量收集及其电源管理电路。
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公开(公告)号：CN113242025B
公开(公告)日：2022-10-28
申请号：CN202110622889.7
申请日：2021-06-04
Applicant: 东南大学
IPC: H03F3/189
Abstract: 本发明公开了一种面向物联网绿色通信的单片集成自供电射频放大器，在本发明中，输入端口或输出端口的PAD上出现静电时，静电电荷通过高频扼流圈传输到MEMS悬臂梁上，使悬臂梁与下方电荷存储器上极板出现电势差，悬臂梁被静电力拉下，静电电荷由此传输到电荷存储器上极板，电荷存储器将静电能转换为电能，完成静电能的收集；当ESD保护二极管接收光照时，光生载流子通过ESD保护二极管将光能转换为电能传输至能量收集及其电源管理电路，完成静电能和光能的集成收集；射频放大器工作时，的放置于MOS管源极和漏极周围的热电偶，用于收集射频放大器工作时产生的热能，并将热能转换为电能，输出至能量收集及其电源管理电路。
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公开(公告)号：CN114884035A
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202210625849.2
申请日：2022-06-02
Applicant: 东南大学
IPC: H02H7/26 , H02H7/28 , G06F30/27 , G06N3/00 , G06F111/04 , G06F111/06 , G06F113/04
Abstract: 本发明公开了一种多端电网限流设备参数离散型分级优化方法，涉及电力系统继电保护技术领域，包括：根据电网中换流器与电网耦合程度，提出区域划分原则及相应区域典型限流方案；分析限流设备参数对故障电流影响规律，结合电感参数误差范围，提出限流设备参数离散化设计原则；判断电网是否具有低耦合区域，若有，依据单端系统故障电流解析式确定该区域限流设备参数；对高耦合区域，结合限流设备离散参数，建立优化模型，对该区域设备参数进行离散优化，通过分级优化，同时缩小优化空间，使得原本连续的限流设备参数在有限离散点里取值，提高优化计算效率；在满足限流需求时，减少限流设备定制成本，更符合实际工程设备规格化和标准化需求。
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公开(公告)号：CN113176474B
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202110502230.8
申请日：2021-05-08
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开基于电流自适应控制的双端直流配电网故障定位方法，其特征在于，所述故障定位方法包括以下步骤：步骤S1：构建双端柔性直流配电网模型；步骤S2：故障检测和应对措施；步骤S3：系统采样；步骤S4：获取计算公式；步骤S5：计算最终故障距离。本发明故障定位方法利用双端法消去过渡电阻，具有较高的耐过渡电阻干扰能力，采用故障电流自适应控制，提取切换控制模式时刻的故障实际电流为参考信号的峰值，参考信号过零点仍然不变，可以大大缩小P I的调节时间，提高电流主动控制的准确度，对传统双端法故障定位的分子分母一元线性回归分析，能够有效降低不同采样点之间的误差，大大提高故障定位精度。
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