公开(公告)号：CN103326345A

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：CN201310285468.5

申请日：2013-07-08

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  赵明平 ,  钱钦松 ,  王永平 ,  刁龙 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H02H9/04

Abstract: 一种直流过压保护电路，包括输入滤波电路、过压检测电路、可变阻抗电子开关驱动电路、可变阻抗电子开关电路、稳压电路、降低饱和压降电路、输出滤波稳压电路及负载；输入滤波电路的输入端连接输入信号，输入滤波电路的输出端分别连接过压检测电路及降低饱和压降电路，过压检测电路的输出连接可变阻抗电子开关驱动电路，可变阻抗电子开关驱动电路的输出连接可变阻抗电子开关电路，可变阻抗电子开关电路的输出连接稳压电路，稳压电路的输出连接降低饱和压降电路，降低饱和压降电路的输出连接输出滤波稳压电路，输出滤波稳压电路的输出连接负载。

公开(公告)号：CN102208450B

公开(公告)日：2013-04-24

申请号：CN201110139625.2

申请日：2011-05-27

Applicant: 东南大学

Inventor： 钱钦松 ,  祝靖 ,  韩佃香 ,  孙伟锋 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L27/06

Abstract: 一种用于高压驱动电路的隔离结构，包括：P形衬底，在P形衬底上设有P型外延层，在P型外延层上设有高压区、低压区、高低压结终端区、第一P型结隔离区和半环形P型结隔离区且半环形P型结隔离区的两端与第一P型结隔离区连接，其特征在于，所述的半环形P型结隔离区由半环形P型埋层及半环形P型阱区组成，半环形P型阱区位于半环形P型埋层上方，在半环形P型埋层的两端与第一P型结隔离区之间分别设有第一间隙和第二间隙，所述P形衬底和P型外延层向第一间隙和第二间隙延伸并填实。本发明专利解决了P型埋层引入造成的高低压结终端区中发局部击穿问题，使得LDMOS与周围部分有效隔离。

公开(公告)号：CN102956636A

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN201210343012.5

申请日：2012-09-14

Applicant: 东南大学

Inventor： 刘斯扬 ,  徐安安 ,  黄栋 ,  钱钦松 ,  孙伟锋 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L27/06 ,  H01L29/739

CPC classification number: H01L29/7394 ,  H01L27/0623 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/404

Abstract: 一种大电流N型绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管，包括：P型衬底，在P型衬底上设有埋氧层，在埋氧层上设有N型外延层，在N型外延层内部设有N型缓冲阱区、P型体区和N型中心缓冲阱区，在N型缓冲阱区内设有P型漏区，在P型体区中设有N型源区和P型体接触区，在N型中心缓冲阱区内设有N型基区和P型发射区，在N型外延层的表面设有栅氧化层和场氧化层，在栅氧化层的表面设有多晶硅栅，晶体管表面一定范围内还设有钝化层和金属层，其特征在于，晶体管为对称型结构，P型漏区上的漏极金属分别与对应的N型基区上的基极金属通过金属层连通，并从P型发射区输出，这种结构可以在不增加晶体管面积的基础上有效提高电流密度。

公开(公告)号：CN102938421A

公开(公告)日：2013-02-20

申请号：CN201210455201.1

申请日：2012-11-14

Applicant: 东南大学

Inventor： 刘斯扬 ,  杨超 ,  张春伟 ,  钱钦松 ,  孙伟锋 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/872

Abstract: 一种梯形终端的碳化硅结势垒肖特基二极管器件，所述梯形终端的碳化硅结势垒肖特基二极管器件为对称结构，包括：N+型衬底，在N+型衬底上设有N型过渡外延层，在N型过渡外延层上设有N-型外延层，在N-型外延层的内部上方设有2个P型结终端和4个等间距的P+型体区，且2个P型结终端的内边与邻近的2个P+型体区的外边相抵，在N-型外延层的上表面设有2个场氧化层和金属层，所述2个P型结终端的内边界分别与2个场氧化层的内边界对齐，金属层的2个边界分别与2个场氧化层的内边界相抵，所述P型结终端采用梯形结构，且外边长于内边。这种结构可以优化高场区的电场强度分布，从而有效地改善器件反向特性，并提高器件可靠性。

公开(公告)号：CN102904220A

公开(公告)日：2013-01-30

申请号：CN201210441310.8

申请日：2012-11-07

Applicant: 东南大学

Inventor： 祝靖 ,  张允武 ,  张翠云 ,  钱钦松 ,  孙伟锋 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H02H7/20 ,  H02M1/08

Abstract: 本发明公开了高压半桥驱动芯片的欠压保护方法及高压半桥电路，方法为：当低端电源电压VCC发生欠压时，欠压保护电路封锁高端和低端信号通道，若低侧电源电压VCC高于低侧欠压阈值VCCU，且高侧电源电压VBS低于高侧欠压阈值VBSU，则强制高压半桥驱动芯片的高侧通道输出低电平，低侧通道输出高电平，关闭上功率管，开通下功率管，使低侧电压源VCC通过外部二极管给自举电容CB充电，直到高侧电压源VBS大于高侧欠压阈值VBSU，高低侧电源电压高于高低侧欠压阈值，高压半桥驱动芯片正常工作。电路包括：高压半桥驱动电路、上功率管M1及下功率管M2、二极管DB及自举电容CB。

公开(公告)号：CN102903746A

公开(公告)日：2013-01-30

申请号：CN201210442085.X

申请日：2012-11-07

Applicant: 东南大学

Inventor： 祝靖 ,  曹鲁 ,  钱钦松 ,  孙伟锋 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7394 ,  H01L23/528 ,  H01L29/0611 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0808 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1008 ,  H01L29/4916 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种大电流密度的横向超薄绝缘栅双极型晶体管，包括P型衬底，在P型衬底上设有埋氧层，在埋氧层上设有N型外延层，在N型外延层内设有N型阱区及P型基区，在P型基区内设有第一P型接触区和N型源区，在N型阱区内设有N型缓冲区，在N型阱区上设有场氧化层，在N型缓冲区内设有P型漏区，在N型外延层内设有由P型环形基区构成的P型基区阵列，所述P型基区阵列位于N型阱区与P型基区之间，在所述P型环形基区内设有第二P型接触区和N型环形源区，第二P型接触区位于N型环形源区内，本发明大大的增加了横向超薄绝缘栅双极型晶体管的电流密度，可以极大的提高智能功率模块的性能。

公开(公告)号：CN101834158B

公开(公告)日：2012-02-01

申请号：CN201010146508.4

申请日：2010-04-13

Applicant: 东南大学

Inventor： 钱钦松 ,  朱奎英 ,  孙伟锋 ,  孙俊 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L21/762

Abstract: 绝缘体上硅深硅槽隔离结构的制备工艺，包括：a、在半导体衬底上设有埋氧化层，在埋氧化层上设有N型顶层单晶硅，在N型顶层单晶硅上生成表面氧化层，在表面氧化层表面涂光刻胶，在光刻胶上刻蚀出深硅槽大小的窗口；b、腐蚀裸露出的表面氧化层并露出要刻蚀的N型顶层单晶硅；c、利用表面氧化层作为刻蚀N型顶层单晶硅的掩蔽层，采用各向异性等离子干法刻蚀工艺，刻蚀出纵横比为7∶1.2至7∶3的深硅槽；紧接着完全腐蚀掉表面氧化层，同时腐蚀埋氧化层，使深硅槽的底部位置的下移深度为埋氧化层的厚度的15％-25％；d、采用湿氧法在深硅槽的侧壁上生长隔离氧化层；e、采用无掺杂的多晶硅来进行填充深硅槽。

公开(公告)号：CN102307001A

公开(公告)日：2012-01-04

申请号：CN201110242927.2

申请日：2011-08-23

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  钱钦松 ,  毛宁 ,  刘少鹏 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H02M1/08

Abstract: 本发明提供一种可抗共模电源噪声干扰的高压栅驱动电路模块，主要包括抗共模电源噪声干扰电路，高压电平移位电路，脉冲滤波电路，RS触发器，输出驱动电路，其中抗共模电源噪声干扰电路可以把由电源信号波动而在电平移位电路输出端产生的共模噪声脉冲宽度减小，高压电平移位电路主要用来将低压的输入脉冲信号转换成高压脉冲信号，脉冲滤波电路用来把电平移位电路输出的脉冲信号中一定宽度以下的干扰脉冲信号都滤除掉，只留下正常工作的脉冲信号。抗共模电源噪声干扰电路由简单的电阻、电容、齐纳二极管、场效应管组成，可以用很少的电路元件来有效的避免电源信号波动产生的共模电源噪声信号通过高压栅驱动电路对功率管造成的误触发。

公开(公告)号：CN102280472A

公开(公告)日：2011-12-14

申请号：CN201110224198.8

申请日：2011-08-07

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  刘斯扬 ,  魏守明 ,  钱钦松 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: 一种高维持电压N型静电防护半导体器件，包括：半导体衬底，在半导体衬底上面设置有埋置氧化层，埋置氧化层上面是N型的掺杂半导体漂移区，P阱区设置在N型的掺杂半导体漂移区上方，而场氧化层，金属层，栅氧化层，多晶硅栅以及氧化层设置在所述器件的上表面，N型源区和P型接触区设置在P阱中，其特征是：在于在P阱内还设有P型掺杂半导体区，且P型掺杂半导体区位于N型源区和栅氧化层的下方。该器件可以有效地提高静电防护过程中的维持电压，因此该器件具有更好的抗闩锁能力。

公开(公告)号：CN102222884A

公开(公告)日：2011-10-19

申请号：CN201110142457.2

申请日：2011-05-30

Applicant: 东南大学

Inventor： 钱钦松 ,  刘斯扬 ,  霍昌隆 ,  崔其晖 ,  孙伟锋 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H02H7/20 ,  H02H3/08

Abstract: 一种两步探测绝缘栅双极型器件短路自保护电路及其保护方法，电路包括电流变化探测电路，电流探测电路，软关断保护电路和降栅压保护电路，电流变化探测电路与电流探测电路用于探测绝缘栅双极型器件短路信号，软关断保护电路与降栅压保护电路在接受到反馈信号后，采取两步关断的方式保护绝缘栅双极型器件。本发明电流探测电路并不常开，采用电流变化探测电路反馈信号来启动电流探测电路，避免了不必要的功耗；电流探测电路有两路反馈信号，分别反馈至软关断电路与降栅压电路，只需要简单的电阻、电感、场效应管、二极管、齐纳管就能实现，使的短路保护结构非常简单，且不引入工艺复杂的器件，响应及时、可靠，大大降低了成本，便于集成。