公开(公告)号：CN102956636B

公开(公告)日：2015-02-04

申请号：CN201210343012.5

申请日：2012-09-14

Applicant: 东南大学

Inventor： 刘斯扬 ,  徐安安 ,  黄栋 ,  钱钦松 ,  孙伟锋 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L27/06 ,  H01L29/739

CPC classification number: H01L29/7394 ,  H01L27/0623 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/404

Abstract: 一种大电流N型绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管，包括：P型衬底，在P型衬底上设有埋氧层，在埋氧层上设有N型外延层，在N型外延层内部设有N型缓冲阱区、P型体区和N型中心缓冲阱区，在N型缓冲阱区内设有P型漏区，在P型体区中设有N型源区和P型体接触区，在N型中心缓冲阱区内设有N型基区和P型发射区，在N型外延层的表面设有栅氧化层和场氧化层，在栅氧化层的表面设有多晶硅栅，晶体管表面一定范围内还设有钝化层和金属层，其特征在于，晶体管为对称型结构，P型漏区上的漏极金属分别与对应的N型基区上的基极金属通过金属层连通，并从P型发射区输出，这种结构可以在不增加晶体管面积的基础上有效提高电流密度。

公开(公告)号：CN102956636A

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN201210343012.5

申请日：2012-09-14

Applicant: 东南大学

Inventor： 刘斯扬 ,  徐安安 ,  黄栋 ,  钱钦松 ,  孙伟锋 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L27/06 ,  H01L29/739

CPC classification number: H01L29/7394 ,  H01L27/0623 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/404

Abstract: 一种大电流N型绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管，包括：P型衬底，在P型衬底上设有埋氧层，在埋氧层上设有N型外延层，在N型外延层内部设有N型缓冲阱区、P型体区和N型中心缓冲阱区，在N型缓冲阱区内设有P型漏区，在P型体区中设有N型源区和P型体接触区，在N型中心缓冲阱区内设有N型基区和P型发射区，在N型外延层的表面设有栅氧化层和场氧化层，在栅氧化层的表面设有多晶硅栅，晶体管表面一定范围内还设有钝化层和金属层，其特征在于，晶体管为对称型结构，P型漏区上的漏极金属分别与对应的N型基区上的基极金属通过金属层连通，并从P型发射区输出，这种结构可以在不增加晶体管面积的基础上有效提高电流密度。