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公开(公告)号：CN106795648A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201580054987.8
申请日：2015-10-07
IPC: C30B29/36 , C30B19/10 , C30B30/04 , H01L21/208
CPC classification number: C30B15/14 , C30B9/06 , C30B15/20 , C30B15/30 , C30B15/305 , C30B17/00 , C30B19/04 , C30B19/062 , C30B19/067 , C30B19/08 , C30B19/10 , C30B29/36 , C30B30/04
Abstract: 本发明提供能够使台阶流动的方向和SiC溶液在晶体生长界面的附近流动的方向为相反方向的SiC单晶的制造装置和SiC单晶的制造方法。坩埚由石墨形成，用于容纳SiC溶液。第1感应加热线圈和第2感应加热线圈卷绕在坩埚的周围。第1感应加热线圈配置于比SiC溶液的表面靠上方的位置。第2感应加热线圈配置于第1感应加热线圈的下方。电源用于向第1感应加热线圈供给第1交变电流且向第2感应加热线圈供给第2交变电流，该第2交变电流具有与第1交变电流相同的频率且向与第1交变电流相反的方向流动。自坩埚所具有的侧壁中的与SiC溶液相接触的部分的、因电源向第1感应加热线圈供给第1交变电流且向第2感应加热线圈供给第2交变电流而产生的磁场的强度达到最大的位置到SiC溶液的表面为止的距离满足预定的式子。
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公开(公告)号：CN104884683B
公开(公告)日：2017-05-03
申请号：CN201380068222.0
申请日：2013-11-11
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: C30B29/36
CPC classification number: C30B30/04 , C30B17/00 , C30B19/04 , C30B19/062 , C30B19/067 , C30B19/068 , C30B19/10 , C30B19/12 , C30B29/36
Abstract: 抑制每个制造批次的晶种的溶液接触位置的偏差，得到重复性好的高质量的SiC单晶。SiC单晶的制造方法，其是使由支持棒支持的SiC晶种与高频加热的溶液接触从而使SiC单晶生长的SiC单晶的制造方法，其中，在施加于所述溶液的磁场的存在下，使所述支持棒下降，使SiC晶种与所述溶液接触，随后停止所述磁场的施加而使SiC单晶生长。
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公开(公告)号：CN103562443B
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201180069491.X
申请日：2011-07-27
CPC classification number: C30B15/22 , C30B17/00 , C30B19/04 , C30B19/061 , C30B19/12 , C30B29/36 , Y10T117/1032
Abstract: 一种SiC单晶的制造方法，一边在石墨坩埚内的Si熔液内维持从内部到熔液面温度降低的温度梯度、一边以接触该熔液面的SiC籽晶为起点使SiC单晶生长，其中，在使成为SiC单晶的生长起点的SiC籽晶的结晶生长面接触上述熔液面时，将熔液向SiC籽晶的侧面的润升高度设定为从结晶生长面生长了的SiC单晶和从侧面生长了的SiC单晶作为一体的SiC单晶而生长的范围内。一种SiC单晶的制造装置，具有：石墨坩埚；用于将上述坩埚内的原料加热熔化从而形成上述原料熔液并且维持SiC单晶的生长所需的温度梯度的加热单元；在下端保持籽晶的支持棒；和保持机构，其维持上述保持以使得熔液向SiC籽晶的侧面的润升高度处于从结晶生长面生长了的SiC单晶和从侧面生长了的SiC单晶作为一体的SiC单晶而生长的范围内。
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公开(公告)号：CN104884683A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201380068222.0
申请日：2013-11-11
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: C30B29/36
CPC classification number: C30B30/04 , C30B17/00 , C30B19/04 , C30B19/062 , C30B19/067 , C30B19/068 , C30B19/10 , C30B19/12 , C30B29/36
Abstract: 抑制每个制造批次的晶种的溶液接触位置的偏差，得到重复性好的高质量的SiC单晶。SiC单晶的制造方法，其是使由支持棒支持的SiC晶种与高频加热的溶液接触从而使SiC单晶生长的SiC单晶的制造方法，其中，在施加于所述溶液的磁场的存在下，使所述支持棒下降，使SiC晶种与所述溶液接触，随后停止所述磁场的施加而使SiC单晶生长。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104471118A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201380037691.6
申请日：2013-05-08
CPC classification number: C30B19/10 , C30B9/06 , C30B17/00 , C30B19/04 , C30B19/062 , C30B19/068 , C30B29/36 , Y10T117/1008 , Y10T428/21 , Y10T428/24488 , C30B15/32
Abstract: 提供抑制了夹杂物的产生的高质量SiC单晶锭、以及这样的SiC单晶锭的制造方法。本发明涉及SiC单晶锭，其是包含晶种基板及以所述晶种基板为基点采用溶液法成长的SiC成长结晶的SiC单晶锭，其中，所述成长结晶具有凹形状的结晶成长面并且不含有夹杂物。
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公开(公告)号：CN103930601A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201180074036.9
申请日：2011-12-09
Abstract: 提供一种SiC单晶的制造方法，该制造方法在采用熔液法使SiC单晶生长时，能够维持均匀的单晶生长能持续的平坦生长，并且实现为实现高的生产率所需的生长速度的提高。所述SiC单晶的制造方法，是在坩埚内从C的Si熔液使SiC单晶生长的方法，其特征在于，使高过饱和度生长期和低过饱和度生长期交替反复，所述高过饱和度生长期是将正在生长的SiC单晶与Si熔液的生长界面处的Si熔液中的C的过饱和度维持得比能够维持平坦生长的上限的临界值高来进行生长的生长期；所述低过饱和度生长期是将所述过饱和度维持得比所述临界值低来进行生长的生长期。
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公开(公告)号：CN103597129A
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN201280027616.7
申请日：2012-06-11
CPC classification number: C30B15/10 , C30B17/00 , C30B19/02 , C30B19/08 , C30B29/36 , C30B35/00 , Y10T117/1032
Abstract: 一种SiC单晶体的制造装置既抑制SiC溶液的周边区域的温度不均匀，同时又冷却SiC种结晶的附近区域。该SiC单晶体的制造装置包括籽晶轴（30）以及坩埚（14）。籽晶轴（30）具有供SiC种结晶（36）安装的下端面（34）。坩埚（14）用于容纳SiC溶液（16）。坩埚（14）包括主体（140）、中盖（42）和上盖（44）。主体（140）包括第1筒部（38）和配置于第1筒部（38）的下端部的底部（40）。中盖（42）配置于主体（140）内的SiC溶液（16）的液面的上方、且是第1筒部（38）内。中盖（42）具有使籽晶轴（30）穿过的第1通孔（48）。上盖（44）配置于中盖（42）的上方。上盖（44）具有使籽晶轴（30）穿过的第2通孔（52）。
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公开(公告)号：CN103562443A
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：CN201180069491.X
申请日：2011-07-27
CPC classification number: C30B15/22 , C30B17/00 , C30B19/04 , C30B19/061 , C30B19/12 , C30B29/36 , Y10T117/1032
Abstract: 一种SiC单晶的制造方法，一边在石墨坩埚内的Si熔液内维持从内部到熔液面温度降低的温度梯度、一边以接触该熔液面的SiC籽晶为起点使SiC单晶生长，其中，在使成为SiC单晶的生长起点的SiC籽晶的结晶生长面接触上述熔液面时，将熔液向SiC籽晶的侧面的润升高度设定为从结晶生长面生长了的SiC单晶和从侧面生长了的SiC单晶作为一体的SiC单晶而生长的范围内。一种SiC单晶的制造装置，具有：石墨坩埚；用于将上述坩埚内的原料加热熔化从而形成上述原料熔液并且维持SiC单晶的生长所需的温度梯度的加热单元；在下端保持籽晶的支持棒；和保持机构，其维持上述保持以使得熔液向SiC籽晶的侧面的润升高度处于从结晶生长面生长了的SiC单晶和从侧面生长了的SiC单晶作为一体的SiC单晶而生长的范围内。
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公开(公告)号：CN102264955A
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN201080003461.4
申请日：2010-03-11
Applicant: 丰田自动车株式会社
CPC classification number: C30B29/36 , C30B9/06 , C30B9/10 , C30B15/10 , C30B15/30 , C30B15/305 , C30B15/32 , C30B17/00 , C30B19/04
Abstract: 在制造SiC单晶的方法中，通过使SiC晶种与溶液接触从而在所述SiC晶种上生长SiC单晶，所述SiC晶种被固定至可旋转的晶种固定轴，所述溶液通过在可旋转的坩埚内将碳溶于含硅的熔融液中而制得。所述方法包括：开始晶种固定轴的旋转，并在预定的延迟时间(Td)之后开始坩埚的旋转；然后同时停止该晶种固定轴的旋转和该坩埚的旋转；然后将该晶种固定轴和该坩埚停止预定的停止时间(Ts)；并重复旋转/停止循环。
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