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公开(公告)号：CN119824522A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202411948565.2
申请日：2024-12-26
Applicant: 内蒙古中环领先半导体材料有限公司 , 中环领先半导体科技股份有限公司
Abstract: 本申请提供一种控制单晶氧含量的制备方法，在整个晶体生长过程中，横向磁场可随石英坩埚的上升而上升，且横向磁场的最强高斯面所在位置始终位于石英坩埚底部的上方。本申请一种控制单晶氧含量的制备方法，使磁场可随熔硅液位进行上下移动，实现磁场强度的精准控制，从而可获得对单晶氧含量的极限控制，实现磁场对溶体对流抑制的最大化，保证低氧硅单晶的生长环境，获得单晶质量稳定且合格的产品。
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公开(公告)号：CN119736703A
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN202411917631.X
申请日：2024-12-23
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Inventor： 张志强
Abstract: 本申请提供一种硅熔体中微细固体颗粒的销熔方法及单晶硅生长方法，包括：在单晶炉的坩埚中放置硅料；对坩埚进行加热，以使硅料熔化为硅熔体；在硅料熔化完成后，向硅熔体的表面区域施加第一磁场，以消除硅熔体中的微细固体颗粒。本申请在硅料熔化完成后，向硅熔体的表面区域施加磁场，抑制硅熔体对流，促使硅熔体中的微细固体颗粒与硅熔体反应，形成可挥发物体挥发至硅熔体外，使得后续单晶硅生长过程更稳定，降低了微细固体颗粒导致单晶硅断棱的风险，提高了单晶硅产品的良率。
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公开(公告)号：CN119640410A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202510115272.4
申请日：2025-01-24
Applicant: 索罗曼(常州)合金新材料有限公司 , 广州众山精密科技有限公司
Abstract: 本发明的实施例提供了一种提拉法晶体生长装置及调控方法，涉及晶体生长技术领域。提拉法晶体生长装置包括炉体、坩埚、第一磁场装置、籽晶杆以及第二磁场装置；坩埚设置于炉体内，第一磁场装置环绕设置于坩埚的外侧，且位于炉体内；籽晶杆设置于炉体内，且与坩埚间隔设置；第二磁场装置设置于籽晶杆，且位于炉体内；其中，第一磁场装置用于产生磁场，并作用于坩埚内的熔体；第二磁场装置用于产生磁场，并作用于熔体的生长界面。该提拉法晶体生长装置能够有效抑制熔体的对流，使溶质分布均匀，减少了晶体缺陷；并且能够优化晶体结构，实现溶质的精准调控，从而在整体上提高了晶体的质量和性能。
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公开(公告)号：CN119222474A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202411756543.6
申请日：2024-12-03
Applicant: 江西联创光电超导应用有限公司
IPC: F16M13/02 , G01R33/02 , C30B15/20 , F16M11/38 , F16M11/20 , F16M11/04 , F16M11/18 , F16H19/06 , F16H35/18 , C30B29/06 , C30B30/04
Abstract: 本申请涉及单晶硅生长炉技术领域，尤其涉及一种磁场测量装置，磁场测量装置，包括支撑部件、传动机构和测量组件，支撑部件用于与待测磁体连接；传动机构设置于支撑部件上；测量组件设置于支撑部件上，与传动机构连接，测量组件在传动机构的带动下能够沿预设路径移动以测量待测磁体周围的磁场。本申请的磁场测量装置能够准确地找到单晶硅生长炉磁场中的各个位置点，并分别测量预设位置各个位置点的磁场，为单晶硅生长工艺提供准确可靠的磁场参数，有利于提高测量机构的测量准确率和测量效率。
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公开(公告)号：CN118407113A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202410743519.2
申请日：2024-06-11
Applicant: 广东先导微电子科技有限公司
Abstract: 本发明属于半导体材料技术领域，公开了一种半绝缘砷化镓单晶的生长方法，通过垂直梯度冷凝法制备半绝缘砷化镓单晶，在制备过程中，向石英管内通入CO作为碳源掺杂C元素，取代传统的碳帽作为掺杂物，气体碳源可以使碳元素更均匀分布在液态砷化镓中，同时可以精准控制CO的用量，以确保半绝缘砷化镓的电性能稳定性。此外，本发明还公开了上述生长方法制得的半绝缘砷化镓单晶和半绝缘砷化镓单晶的生长装置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118360672A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410282971.3
申请日：2024-03-12
Applicant: 内蒙古中环领先半导体材料有限公司 , 中环领先半导体科技股份有限公司
Abstract: 本申请公开一种硅单晶的生产方法及其生产装置，属于硅单晶技术领域，包括：将初始原料放入坩埚组件中。通过加热器对坩埚组件进行加热，初始原料熔化形成硅熔体。控制导流筒的至少部分延伸至坩埚组件内，用于调节硅熔体表面的气体流速。通过磁场产生机构对硅熔体施加磁场，并在低于硅熔体液面的位置形成最大高斯面。通过晶体驱动机构从硅熔体提拉形成硅单晶。其中，磁场产生机构产生的磁场强度为B T，最大高斯面与硅熔体的液面之间具有最大尺寸h mm，导流筒沿坩埚组件的轴线方向延伸至坩埚组件内的最大尺寸为H mm，满足：2≤H/(B×h)≤2.572，从而可以有效降低硅单晶内部的氧含量，提高硅单晶质量，实现低氧硅单晶的生产。
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公开(公告)号：CN118028968A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410142145.9
申请日：2024-02-01
Applicant: 南京邮电大学 , 镇江南京邮电大学研究院
Abstract: 本申请公开了一种激光诱导无光刻沉积单晶硅周期性点阵的方法，属于半导体工艺技术领域，在沉积薄膜时，将激光照射在衬底表面，激光干涉产生点状的光强分布，导致衬底上各位置的热梯度分布呈点阵状，因而点阵处薄膜沉积速率更快，从而诱导沉积单晶硅周期性点阵结构。与传统制备周期性微纳结构的方法相比，本申请具有工艺简单、成本低、快速、无杂质、无需光刻胶等优点。通过本发明制备的周期性结构可以具有发光，滤波，双极性晶体管特性，可广泛用于表面增强拉曼散射、传感器、探测器、光电显示和微纳晶体管制造等领域。
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公开(公告)号：CN115058767B
公开(公告)日：2024-04-23
申请号：CN202210603691.9
申请日：2022-05-30
Applicant: 宁夏中晶半导体材料有限公司
Abstract: 本发明公开了一种用于MCZ法拉制重掺锑单晶的加掺方法和装置，该方法包括以下步骤：事先在连杆的底部分别套设上单晶硅片和下单晶硅片，限位凸起对下单晶硅片和上单晶硅片的底部进行支撑，在将钟罩套设在连杆上，上单晶硅片和下单晶硅片对钟罩的底部进行封闭，使锑金属原料能够储存在储存腔的内腔，单晶硅在坩埚内部融化后，根据单晶硅液的量，来对需要添加的锑金属重量进行计算。本发明具备便于加料进行掺杂的优点，解决了目前的锑单晶加掺方法在伞盖上部铺设金属小料来进行加掺，但是籽晶在坩埚内生长为伞盖状耗时较长，生长过程中容易产生埚内结晶现象，伞盖太小无法完全盛放掺杂金属的问题。
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公开(公告)号：CN116926671A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202310872247.1
申请日：2023-07-17
Applicant: 天合光能股份有限公司 , 天合光能(青海)晶硅有限公司
Abstract: 本公开实施例中提供单晶炉，其包括：位于炉腔(10a)内的坩埚(11)及设置于坩埚(11)外周侧的第一加热装置(12)；磁场生成装置(13)，设置于炉腔(10a)内，位于第一加热装置(12)远离坩埚(11)的一侧，并与炉体(10)安装；围绕磁场生成装置(13)设置的冷却结构(14)。在拉晶过程中，冷却结构(14)对磁场生成装置(13)进行冷却，避免磁场生成装置(13)因距离坩埚(11)较近而产生高温消磁的问题，从而能够抑制拉晶过程的熔体内强对流。因此，本实施例将磁场生成装置(13)内置于单晶炉内具有较强可行性，从而能够做到减小拉晶设备尺寸。
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公开(公告)号：CN116759188A
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202311020677.7
申请日：2023-08-15
Applicant: 苏州八匹马超导科技有限公司
Abstract: 本申请实施例涉及一种超导磁体，涉及磁体技术领域。超导磁体包括：超导线圈和低温容器；低温容器用于提供使超导线圈处于超导状态的超低温真空环境；低温容器的形状为环形；低温容器设有让位部，用于提供连通环形的内部和外部的通道；环形的内部具有用于容纳单晶半导体材料生长炉的空间；通道用于容纳单晶半导体材料生长炉旁的辅助装置。本申请实施例解决了在单晶半导体材料生长炉上加装超导磁体时会产生干涉的问题，降低了改装成本。
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