公开(公告)号：CN106029959A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201580008068.7

申请日：2015-02-12

Applicant: 新日铁住金株式会社 ,  丰田自动车株式会社

Inventor： 楠一彦 ,  龟井一人 ,  大黑宽典 ,  坂元秀光

IPC: C30B29/36 ,  C30B19/04

CPC classification number: C30B19/04 ,  C30B9/06 ,  C30B9/12 ,  C30B19/062 ,  C30B29/36

Abstract: 本发明提供在籽晶与Si‑C溶液之间气泡难以进入的SiC单晶的制造方法。SiC单晶的制造方法为：利用将籽晶(10)的主表面(10a)朝向下方并使其与Si‑C溶液(11)接触而在主表面(10a)上使SiC单晶生长的溶液生长法得到SiC单晶的制造方法。主表面(10a)平坦。该制造方法包括：接触工序A、接触工序B和生长工序。接触工序A中，使主表面(10a)的一部分区域与贮存的Si‑C溶液(11)接触。接触工序B中，以在接触工序A中接触的一部分区域即初始接触区域作为起始点，通过润湿现象来扩大主表面(10a)与贮存的Si‑C溶液(11)的接触区域。生长工序中，使SiC单晶在与贮存的Si‑C溶液(11)接触的主表面(10a)上生长。

公开(公告)号：CN104471117B

公开(公告)日：2016-10-05

申请号：CN201380035985.5

申请日：2013-07-10

Applicant: 新日铁住金株式会社 ,  丰田自动车株式会社

Inventor： 冈田信宏 ,  龟井一人 ,  楠一彦 ,  矢代将齐 ,  森口晃治 ,  大黑宽典 ,  加渡幹尚 ,  坂元秀光

IPC: C30B29/36 ,  C30B19/06

CPC classification number: C30B15/32 ,  C30B9/06 ,  C30B15/30 ,  C30B19/068 ,  C30B29/36 ,  Y10T117/1024 ,  Y10T117/1032

Abstract: SiC单晶体的制造装置(10)用于溶液生长法。SiC单晶体的制造装置(10)包括晶种轴(28)和坩埚(14)。晶种轴(28)具有供SiC晶种(32)安装的下端面(28S)。坩埚(14)用于收纳Si－C溶液(15)。晶种轴(28)包括筒部(28A)、底部(28B)和低导热性构件(28C)。底部(28B)配置于筒部(28A)的下端，且具有下端面(28S)。低导热性构件(28C)配置于底部(28B)的上表面，且具有比底部(28B)的热传导率低的热传导率。利用该制造装置，能够使SiC晶种的结晶生长面内的温度不易出现偏差。

公开(公告)号：CN105463571A

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：CN201510615809.X

申请日：2015-09-24

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 旦野克典 ,  大黑宽典 ,  土井雅善 ,  楠一彦

IPC: C30B29/36 ,  C30B11/00

CPC classification number: C30B29/36 ,  C30B19/04 ,  C30B19/08

Abstract: 本发明涉及SiC单晶的制造方法。提供了与以往相比可抑制夹杂物的产生以生长更均匀的晶体的SiC单晶的制造方法。SiC单晶的制造方法，其是使保持于晶种保持轴12的晶种基板14与容纳于坩埚内的具有从内部向表面温度降低的温度梯度的Si-C溶液24接触以使SiC单晶晶体生长的基于溶液法的SiC单晶的制造方法，其中，在坩埚的侧面部的周围配置有高频线圈22，坩埚具有包括中坩埚101和以包围中坩埚101的方式配置的一个以上的外坩埚102的多层结构，该制造方法包括如下工序：在使SiC单晶生长时，以对Si-C溶液24的液面与高频线圈22的中心部的垂直方向的相对位置变化进行控制的方式，仅使中坩埚101沿垂直方向向上移动。

公开(公告)号：CN105264126A

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201480032742.0

申请日：2014-04-09

Applicant: 新日铁住金株式会社 ,  丰田自动车株式会社

Inventor： 楠一彦 ,  龟井一人 ,  大黑宽典 ,  坂元秀光 ,  加渡干尚

IPC: C30B29/36 ,  C30B19/10 ,  H01L21/208

CPC classification number: C30B19/10 ,  C30B15/22 ,  C30B19/04 ,  C30B19/062 ,  C30B19/12 ,  C30B29/36

Abstract: 提供即使形成弯液面、进行晶体生长的情况下，也可以提高单晶的品质的SiC单晶的制造方法。本实施方式的制造方法中的生长工序包含形成工序和第一维持工序。形成工序中，在SiC单晶的生长界面与Si-C溶液的液面之间形成弯液面。第一维持工序中，使籽晶轴和坩埚中的至少一者相对于另一者在高度方向相对移动，由此将弯液面的高度的变动幅度维持于规定范围内。

公开(公告)号：CN104662213A

公开(公告)日：2015-05-27

申请号：CN201380046179.8

申请日：2013-09-02

Applicant: 新日铁住金株式会社 ,  丰田自动车株式会社

Inventor： 楠一彦 ,  龟井一人 ,  矢代将齐 ,  冈田信宏 ,  森口晃治 ,  加渡干尚 ,  大黑宽典 ,  坂元秀光

IPC: C30B29/36 ,  C30B19/06

CPC classification number: C30B19/04 ,  C30B9/00 ,  C30B19/068 ,  C30B29/36 ,  C30B19/06 ,  C30B19/064

Abstract: SiC单晶的制造装置(10)被用于利用溶液生长法制造SiC单晶，该SiC单晶的制造装置(10)包括：晶种轴(22A)，其具有用于安装SiC晶种(32)的下端面(22S)；坩埚(14)，其用于收纳Si－C溶液(15)；搅拌构件(24A)，其被浸渍于Si－C溶液(15)；驱动源(20B、24D)，其使坩埚(14)和搅拌构件(24A)中的任一者相对于另一者相对旋转。搅拌构件(24A)的下端配置为比安装于晶种轴(22A)的下端面(22S)的SiC晶种(32)的下端(32a)低。

公开(公告)号：CN103282558A

公开(公告)日：2013-09-04

申请号：CN201180062911.1

申请日：2011-12-26

Applicant: 新日铁住金株式会社 ,  丰田自动车株式会社

Inventor： 龟井一人 ,  楠一彦 ,  矢代将齐 ,  冈田信宏 ,  加渡干尚 ,  坂元秀光 ,  大黑宽典

IPC: C30B29/36 ,  C30B19/06

CPC classification number: C30B15/32 ,  C30B19/06 ,  C30B29/36 ,  Y10T117/1032 ,  Y10T117/1072

Abstract: 本发明提供一种能够抑制多晶体的生成的SiC单晶体的制造装置。在腔室（1）内容纳有夹具（41）和坩埚（6）。在坩埚（6）内容纳有SiC溶液（8）。夹具（41）包括晶种轴（411）和盖构件（412）。晶种轴（411）能够升降，在晶种轴（411）的下表面安装SiC晶种（9）。盖构件（412）配置在晶种轴（411）的下端部。盖构件（412）是下端敞开的壳体，且在内部配置晶种轴（411）的下端部。在制造SiC单晶体时，SiC晶种（9）浸渍在SiC溶液（8）中。进而，盖构件（412）的下端浸渍在SiC溶液（8）中。因此，盖构件（412）覆盖SiC溶液（8）中的、SiC单晶体周边的部分并进行保温。

公开(公告)号：CN103210127A

公开(公告)日：2013-07-17

申请号：CN201180054125.7

申请日：2011-11-04

Applicant: 新日铁住金株式会社 ,  丰田自动车株式会社

Inventor： 楠一彦 ,  龟井一人 ,  矢代将齐 ,  森口晃治 ,  冈田信宏 ,  旦野克典 ,  大黑宽典

IPC: C30B29/36 ,  C30B19/00

CPC classification number: C30B15/20 ,  C30B15/10 ,  C30B15/30 ,  C30B15/36 ,  C30B17/00 ,  C30B19/02 ,  C30B29/36

Abstract: 本发明提供一种n型SiC单晶的制造方法，其能够抑制所制造的多个n型SiC单晶锭间的氮浓度的偏差。本实施方式的n型SiC单晶的制造方法包括：准备具备腔室(1)的制造装置(100)的工序，所述腔室(1)具有配置坩埚(7)的区域；将配置坩埚(7)的区域加热，并且将腔室(1)内的气体真空排气的工序；在真空排气后，将含有稀有气体和氮气的混合气体填充到腔室(1)内的工序；利用加热使配置于区域的坩埚(7)中容纳的原料熔融，生成含有硅和碳的SiC熔液(8)的工序；以及，在混合气体气氛下，将SiC晶种浸渍于SiC熔液，在SiC晶种上培养n型SiC单晶的工序。