公开(公告)号：CN110622320B

公开(公告)日：2023-08-08

申请号：CN201880019440.8

申请日：2018-01-26

Applicant: 丰田自动车株式会社 ,  株式会社电装

Inventor： 永冈达司 ,  山下侑佑 ,  浦上泰

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

Abstract: 半导体装置具备：半导体基板，具有上表面和下表面；上表面电极，设置在半导体基板的上表面；及下表面电极，设置在半导体基板的下表面。在俯视观察时，半导体基板具有包含半导体基板的中心的第一范围和位于第一范围与半导体基板的外周缘之间的第二范围。在第一范围和第二范围分别设置内置有体二极管的MOSFET结构。MOSFET结构在第一范围与第二范围之间互不相同，以使相对于相同电流密度的体二极管的正向电压在第一范围中比在第二范围中高。

公开(公告)号：CN111945134A

公开(公告)日：2020-11-17

申请号：CN202010409496.3

申请日：2020-05-14

Applicant: 丰田自动车株式会社 ,  国立大学法人京都工芸纤维大学

Inventor： 永冈达司 ,  西中浩之 ,  吉本昌广 ,  田原大祐

IPC: C23C16/448 ,  C23C16/40

Abstract: 本发明提供一种能够供给具有稳定的浓度的雾的技术。本发明提供的雾发生装置，具备：贮存槽，其贮存溶液；超声波换能器，其向在贮存槽内贮存的溶液施加超声波振动，从而在贮存槽内产生溶液的雾；以及雾送出通道，其从贮存槽的内部向贮存槽的外部送出雾。在将贮存的溶液的深度设为d，将贮存的溶液的液面的面积设为S时，满足d≤S0.5的关系。

公开(公告)号：CN111485288A

公开(公告)日：2020-08-04

申请号：CN202010079373.8

申请日：2020-02-03

Applicant: 丰田自动车株式会社 ,  国立大学法人京都工芸纤维大学

Inventor： 永冈达司 ,  西中浩之 ,  田原大祐 ,  吉本昌广

IPC: C30B29/16 ,  C30B19/00

Abstract: 本发明提供一种在储存槽内使喷雾高效地产生的成膜装置。该成膜装置向基体的表面供给溶液的喷雾而使膜在所述基体的所述表面外延生长，该成膜装置具备：加热炉，收容并加热所述基体；储存槽，储存所述溶液；加热器，将所述储存槽内储存的所述溶液加热；超声波振动器，通过向储存在所述储存槽内的所述溶液施加超声波，从而在所述储存槽内产生所述溶液的所述喷雾；以及喷雾供给路径，将所述喷雾从所述储存槽输送到所述加热炉。

公开(公告)号：CN107112360B

公开(公告)日：2020-05-01

申请号：CN201580061372.8

申请日：2015-08-03

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 斋藤顺 ,  永冈达司 ,  青井佐智子 ,  渡边行彦 ,  宫原真一朗 ,  金村高司

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12

Abstract: 半导体装置(1)具备：在表面形成有沟槽(30)的半导体基板(10)；覆盖沟槽(30)的内表面的栅极绝缘膜(51)；及配置在沟槽(30)的内部并通过栅极绝缘膜(51)而与半导体基板(10)绝缘的栅极电极(52)。半导体基板(10)具备：与覆盖沟槽(30)的两侧面的栅极绝缘膜(51)相接的n型的源极区域(11)；形成在源极区域(11)的下方并与覆盖沟槽(30)的两侧面的栅极绝缘膜(51)相接的p型的基极区域(12)；及形成在基极区域(12)的下方并与覆盖沟槽(30)的两侧面(31、32)和底面(40)的栅极绝缘膜(51)相接的n型的漂移区域(15)。沟槽(30)的底面(40)以在短边方向上中心部(43)比周缘部(44)向上突出的方式形成。覆盖周缘部(44)的栅极绝缘膜(51)的厚度比覆盖中心部(43)的栅极绝缘膜(51)的厚度厚。

公开(公告)号：CN110724935A

公开(公告)日：2020-01-24

申请号：CN201910644005.0

申请日：2019-07-17

Applicant: 丰田自动车株式会社 ,  国立大学法人京都工艺纤维大学

Inventor： 永冈达司 ,  西中浩之 ,  吉本昌广

IPC: C23C16/448 ,  C23C16/40 ,  C30B25/14 ,  C30B25/20 ,  C30B29/16

Abstract: 本发明涉及成膜方法和半导体装置的制造方法。提出适宜地形成由氧化物构成并具有导体或半导体的特性的氧化物膜的技术。提出在基板上形成掺杂有锗且具有导体或半导体的特性的氧化物膜的成膜方法。该成膜方法具有如下工序：一边加热上述基体，一边向上述基体的表面供给溶解有包含上述氧化物膜的构成元素的氧化物膜材料和有机锗化合物的溶液的雾。

公开(公告)号：CN106057912A

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201610211107.X

申请日：2016-04-06

Applicant: 丰田自动车株式会社 ,  株式会社电装

Inventor： 三宅裕树 ,  永冈达司 ,  宫原真一朗 ,  青井佐智子

IPC: H01L29/861 ,  H01L21/329 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L21/26513 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/872 ,  H01L29/861 ,  H01L29/0607 ,  H01L29/0611 ,  H01L29/6609

Abstract: 本发明提供一种二极管以及二极管的制造方法，该二极管使具有p型接触区和n型接触区的二极管的耐压提高。二极管具有：多个p型接触区，它们与阳极电极接触；n型接触区，其在相邻的两个p型接触区之间与阳极电极接触；阴极区，其被配置于p型接触区与n型接触区的背面侧，且与阴极电极接触。p型接触区具有：第一区域，其与阳极电极接触；第二区域，其被配置于第一区域的背面侧，并具有与第一区域的p型杂质浓度相比较低的p型杂质浓度；第三区域，其被配置于第二区域的背面侧，并具有与第二区域的p型杂质浓度相比较低的p型杂质浓度。所述第二区域的厚度与所述第一区域的厚度相比较厚。

公开(公告)号：CN102422416B

公开(公告)日：2014-05-14

申请号：CN200980159246.0

申请日：2009-09-07

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 永冈达司 ,  添野明高

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/322 ,  H01L21/336 ,  H01L21/76 ,  H01L21/761 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L27/08 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/761 ,  H01L27/0727 ,  H01L29/32 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/861

Abstract: 本发明提供一种具备半导体装置，其具备形成有二极管区和IGBT区的半导体基板。在二极管区和IGBT区之间，从半导体基板的上表面起到深于阳极区的下端以及体区的下端的深度为止的范围内，形成有p型的分离区。在二极管漂移区内，形成有二极管寿命控制区。二极管寿命控制区内的载流子寿命短于二极管寿命控制区外的、二极管漂移区内的载流子寿命。二极管寿命控制区的IGBT区侧的端部位于分离区的下方。

公开(公告)号：CN102376709A

公开(公告)日：2012-03-14

申请号：CN201110241326.X

申请日：2011-08-17

Applicant: 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社

Inventor： 小山雅纪 ,  大仓康嗣 ,  添野明高 ,  永冈达司 ,  杉山隆英 ,  青井佐智子 ,  井口紘子

IPC: H01L27/06 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/861 ,  H01L29/739

CPC classification number: H01L29/1095 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/407 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/8613

Abstract: 在一种半导体器件中，IGBT单元(10)包括穿过半导体衬底(32)的基底层(31)到达半导体衬底(32)的漂移层(30)的沟槽(35)，沟槽(35)内表面上的栅极绝缘膜(36)，栅极绝缘膜(36)上的栅极电极(37a)，基底层(31)表面部分中的第一导电类型的发射极区(38)，以及基底层(31)表面部分中第二导电类型的第一接触区(39)。IGBT单元还包括设置于基底层(31)之内的第一导电类型的浮置层(40)，以将基底层(31)分成包括发射极区(38)和第一接触区(39)的第一部分以及与漂移层(30)相邻的第二部分，以及被设置成覆盖栅极电极(37a)的末端的层间绝缘膜(41)。二极管单元(20)包括基底层(31)的表面部分中的第二导电类型的第二接触区(42)。