公开(公告)号：CN107919383B

公开(公告)日：2020-01-31

申请号：CN201710887817.9

申请日：2017-09-27

Applicant: 丰田自动车株式会社 ,  株式会社电装

Inventor： 斋藤顺 ,  浦上泰 ,  青井佐智子

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种开关元件，抑制在连接区域产生的电场。开关元件具备：半导体基板；沟槽，设于半导体基板的上表面；栅极绝缘层，覆盖沟槽的内表面；以及栅电极，配置于沟槽内，并且通过栅极绝缘层而与半导体基板绝缘。半导体基板具备：第一导电型的第一半导体区域，与栅极绝缘层接触；第二导电型的体区域，在第一半导体区域的下侧与栅极绝缘层接触；第一导电型的第二半导体区域，在体区域的下侧与栅极绝缘层接触；第二导电型的底部区域，在沟槽的底面与栅极绝缘层接触；以及第二导电型的连接区域，在沟槽的侧面与栅极绝缘层接触，并且将体区域与底部区域连接。连接区域的厚度比底部区域的厚度厚。

公开(公告)号：CN105874577B

公开(公告)日：2019-04-02

申请号：CN201480071099.2

申请日：2014-08-04

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 斋藤顺 ,  藤原広和 ,  池田知治 ,  渡边行彦 ,  山本敏雅

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/265 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

Abstract: 使绝缘栅型半导体装置高耐压化。一种制造在表面电极和背面电极之间进行开关的绝缘栅型半导体装置的方法，具有：向栅极沟槽的底面注入第一第二导电型杂质并使注入的第一第二导电型杂质扩散的工序、以及向外周沟槽的底面注入第二第二导电型杂质并使注入的第二第二导电型杂质扩散的工序。

公开(公告)号：CN107004700A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：CN201580067401.1

申请日：2015-07-22

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 斋藤顺 ,  小野木淳士 ,  青井佐智子 ,  水野祥司

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

Abstract: 半导体装置(1)具备形成有半导体元件的半导体基板(2)和形成于半导体基板(2)之上的绝缘膜(30)。半导体基板(2)具备第一部分(10)和厚度比第一部分(10)薄的第二部分(20)。第二部分(20)的上表面(21)位于比第一部分(10)的上表面(11)靠下方处。在位于第一部分(10)与第二部分(20)相邻的位置的第二部分(20)的上表面(21)形成有在半导体基板(2)的厚度方向上延伸的凹部(50)。绝缘膜(30)从第一部分(10)延伸到第二部分(20)，并填充凹部(50)。

公开(公告)号：CN105849909A

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201480071046.0

申请日：2014-08-04

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 斋藤顺 ,  藤原広和 ,  池田知治 ,  渡边行彦 ,  山本敏雅

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/265 ,  H01L21/266 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7811 ,  H01L21/047 ,  H01L21/26586 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/063 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/408 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7813

Abstract: 本发明提供一种能够使耗尽层在外周区域内更加高速地伸展，从而实现较高的耐压的技术。半导体装置具有元件区域和与元件区域邻接的外周区域，所述元件区域具有绝缘栅型开关元件。在外周区域内形成有第一沟槽与第二沟槽。在第一沟槽与第二沟槽之间形成有第二导电型的表面区域。在第一沟槽的底面上形成有第二导电型的第一底面区域。在第二沟槽的底面上形成有第二导电型的第二底面区域。沿着第一沟槽的侧面而形成有对表面区域和第一底面区域进行连接的第二导电型的第一侧面区域。沿着第二沟槽的侧面而形成有对表面区域和第二底面区域进行连接的第二导电型的第二侧面区域。在第一侧面区域以及第二侧面区域的至少一部分中形成有低面密度区域。

公开(公告)号：CN101946324B

公开(公告)日：2013-02-27

申请号：CN200980104979.4

申请日：2009-02-02

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 添野明高 ,  斋藤顺

IPC: H01L29/739 ,  H03K17/0812

CPC classification number: H01L29/7397 ,  H01L29/0834 ,  H03K17/08128 ,  H03K17/567 ,  H03K2217/0036 ,  H03K2217/0045

Abstract: 提供一种在IGBT元件区与二极管元件区利用具有共同杂质浓度的体区的反向导通半导体元件中，能够调节二极管元件区的空穴或者电子的注入效率的技术。当在利用NPNP型的IGBT的反向导通半导体元件(20)中流有回流电流(110)时，向二极管元件区(24)的第2沟槽栅电极(46)施加高于发射极(32)的电压的第2电压。在第2沟槽栅电极(46)的周围形成有n型的反转层(56)，从而电子(58)流过作为相同的n型杂质区的第1体接触区(35)和漂移区(38)。回流电流(110)中的电子(58)的注入效率增加，而空穴(54)的注入效率降低。由此，能够防止反向恢复电流增大，并能够减少在二极管元件区(24)中所产生的开关损耗。

公开(公告)号：CN1950947A

公开(公告)日：2007-04-18

申请号：CN200580014771.5

申请日：2005-05-12

Applicant: 株式会社丰田中央研究所 ,  丰田自动车株式会社

Inventor： 河路佐智子 ,  石子雅康 ,  杉山隆英 ,  臼井正则 ,  斋藤顺 ,  堀田幸司

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L29/1095 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/407 ,  H01L29/7397

Abstract: 能够在IGBT的体区之内形成的悬浮状态下的半导体区域的宽范围之上获得密集累积的空穴载流子。电位悬浮的n型半导体区域(52)形成在p－型体区(28)之内。n型半导体区域(52)通过体区(28)与n+型发射区(32)和n－型漂移区(26)隔离。进而，形成第二电极(62)，以便经由绝缘膜(64)与至少部分的半导体区域(52)相对。第二电极(62)没有与发射区(32)相对。

公开(公告)号：CN118380457A

公开(公告)日：2024-07-23

申请号：CN202410066750.2

申请日：2024-01-17

Applicant: 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社 ,  未来瞻科技株式会社

Inventor： 汲田昌弘 ,  铃木克己 ,  荒内琢司 ,  斋藤顺

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/16 ,  H01L29/861 ,  H01L21/329 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L27/07

Abstract: 本发明提供二极管、内置二极管的场效应晶体管及二极管的制造方法。本发明提供一种在具备由SiC构成的半导体基板的二极管中使蓄积于n型的半导体区域的空穴的量降低来抑制通电劣化的技术。在具备由SiC构成的半导体基板的二极管中，半导体基板具备：p型的第一半导体区域；漂移区域，其从下侧与第一半导体区域相接；以及n型的第二半导体区域，其从下侧与漂移区域相接。漂移区域具有使多个p型柱区域和多个n型柱区域沿横向交替地配置的构造。在漂移区域的深度方向的一部分，设有跨多个p型柱区域和多个n型柱区域分布的特定区域。在特定区域内，p型柱区域的有效p型杂质浓度比其周围低，n型柱区域的有效n型杂质浓度比其周围高。

公开(公告)号：CN115954360A

公开(公告)日：2023-04-11

申请号：CN202211208581.9

申请日：2022-09-30

Applicant: 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社 ,  未来瞻科技株式会社

Inventor： 岩桥洋平 ,  斋藤顺

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8232

Abstract: 本公开涉及一种半导体装置及其制造方法，在该半导体装置中，在沿深度方向上的杂质浓度的浓度分布中，在位于与栅极电极(27)的下端部相同深度处的部分和位于与栅极电极的上端部相同深度处的部分之间的位置处，基层(21)具有低浓度峰值。杂质区域(22)在第一峰值位置与第二峰值位置之间的位置处在深度方向上具有与基层的边界，在所述第一峰值位置处，在位于与下端部相同深度处的部分与低浓度峰的位置之间基层的杂质浓度最大，在所述第二峰值位置处，在低浓度峰值的位置与位于跟上端部分相同深度处的部分之间基层的杂质浓度最大。

公开(公告)号：CN115939210A

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN202211209561.3

申请日：2022-09-30

Applicant: 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社 ,  未来瞻科技株式会社

Inventor： 斋藤顺

IPC: H01L29/78

Abstract: 一种碳化硅半导体器件，其包括具有第一导电类型区(4)、栅沟槽结构、层间绝缘膜(9)、第一电极(10)和凹部(12)的半导体元件。栅沟槽结构具有栅沟槽(6)。第一电极包括金属层(10a)、阻挡金属(10b)、电极层(10c)、和突起(10bc)。突起具有分别布置在栅沟槽的两侧的第一突出部和第二突出部。电极层具有嵌入在凹部中的部分。在栅沟槽的宽度方向上第一突出部的梢端与第二突出部的梢端的距离(W1)小于电极层在所述突起下方的部分的宽度(W2)。

公开(公告)号：CN111180516A

公开(公告)日：2020-05-19

申请号：CN201911081130.1

申请日：2019-11-07

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 斋藤顺 ,  山下侑佑 ,  浦上泰

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/739 ,  H01L29/423

Abstract: 半导体装置具备：半导体基板；覆盖半导体基板的上表面的一部分的绝缘膜；隔着绝缘膜而与半导体基板的上表面对向的栅电极。在半导体基板，通过体层而向上表面延伸的漂移层隔着绝缘膜而与栅电极对向。绝缘膜从半导体基板的上表面通过栅电极与上表面电极之间延伸至栅电极的上表面，在栅电极的上表面划定开口。在通过与栅电极对向的漂移层的对向面并与该对向面垂直的直线的集合即第一区域内，在栅电极的上表面不存在绝缘膜。