制备碳纳米结构体的方法
    41.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1946635A

    公开(公告)日:2007-04-11

    申请号:CN200580012691.6

    申请日:2005-01-28

    Inventor: 日方威

    Abstract: 制备碳纳米结构体的方法,使得可以高纯度和以稳定方式提供将要制备的具有更均匀形状的碳纳米结构体。具体公开了制备碳纳米结构体的方法,其中通过气相沉积在包含催化材料(12)的催化基体(14)的晶体生长表面(17)生长碳晶体,特别公开了使包含原料气体的两种或多种气体同时接触催化基体(14)的方法。所述两种或多种气体优选可以是一种或多种原料气体以及一种或多种载气。优选所述载体接触晶体生长表面(17)且所述原料气体接触除接触载体的晶体生长表面(17)以外的至少一部分区域。所述原料气体可以优选包含离子,特别是碳离子。

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