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公开(公告)号：CN103608310B
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201280029318.1
申请日：2012-06-12
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C04B35/00 , C01G15/00 , C04B35/44 , C23C14/08 , C23C14/34 , H01L21/336 , H01L29/786
CPC classification number: C01G9/00 , C01G15/00 , C04B35/44 , C04B35/443 , C04B35/62685 , C04B2235/3206 , C04B2235/3217 , C04B2235/3222 , C04B2235/3232 , C04B2235/3239 , C04B2235/3241 , C04B2235/3244 , C04B2235/3251 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C04B2235/3298 , C04B2235/3418 , C04B2235/3865 , C04B2235/5409 , C04B2235/656 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C23C14/08 , C23C14/3414 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L29/66969 , H01L29/7869
Abstract: 导电性氧化物包含In、Al、选自由Zn和Mg组成的组中的至少一种元素M以及O并且包含结晶质Al2MO4。导电性氧化物的制造方法包括：在将选自由Zn和Mg组成的组中的至少一种元素设为M时，制备包含Al2O3粉末和MO粉末的第一混合物的工序(S10)；通过对第一混合物进行煅烧而制作结晶质Al2MO4粉末的工序(S20)；制备包含结晶质Al2MO4粉末和In2O3粉末的第二混合物的工序(S30)；通过对第二混合物进行成形而得到成形体的工序(S40)；以及对成形体进行烧结的工序(S50)。由此，可以提供廉价且适合用于溅射的靶而得到高物性的氧化物半导体膜的导电性氧化物及其制造方法以及氧化物半导体膜。
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公开(公告)号：CN105899472A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201580003932.4
申请日：2015-04-08
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C04B35/00 , C23C14/34 , H01L21/363 , H01L29/786
CPC classification number: C23C14/3414 , C04B35/00 , C04B35/495 , C04B35/62218 , C04B2235/326 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C23C14/083 , C23C14/086 , C23C14/34 , H01B1/08 , H01J37/3429 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L29/66969 , H01L29/786 , H01L29/7869
Abstract: 本发明提供了一种氧化物烧结体，所述氧化物烧结体包括铟、钨以及锌和锡中的至少一种，且包括复合氧化物晶相作为晶相，所述复合氧化物晶相包括钨以及锌和锡中的至少一种；提供了一种半导体器件(10)，所述半导体器件(10)包括通过使用氧化物烧结体作为靶的溅射方法形成的氧化物半导体膜(14)。
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公开(公告)号：CN105745183B
公开(公告)日：2018-03-13
申请号：CN201580002686.0
申请日：2015-06-18
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C04B35/00 , C23C14/34 , H01L21/363 , H01L29/786
CPC classification number: C04B35/01 , C04B35/62655 , C04B35/62675 , C04B35/62685 , C04B35/64 , C04B2235/3217 , C04B2235/3231 , C04B2235/3232 , C04B2235/3239 , C04B2235/3241 , C04B2235/3244 , C04B2235/3251 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3298 , C04B2235/3418 , C04B2235/604 , C04B2235/72 , C04B2235/76 , C04B2235/762 , C04B2235/77 , C04B2235/79 , C23C14/08 , C23C14/086 , C23C14/3414 , H01J37/3429 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L29/24 , H01L29/66969 , H01L29/786 , H01L29/7869
Abstract: 提供一种包括铟、钨和锌的氧化物烧结体，其中氧化物烧结体包括作为主要成分的红绿柱石型晶相且具有高于6.8g/cm3且等于或低于7.2g/cm3的表观密度，氧化物烧结体中的钨对铟、钨和锌总和的含量比高于0.5原子％且等于或低于1.2原子％，以及氧化物烧结体中的锌对铟、钨和锌总和的含量比高于0.5原子％且等于或低于1.2原子％。也提供一种制造氧化物烧结体的方法，包括氧化物烧结体的溅射靶，以及包括通过使用溅射靶的溅射方法形成氧化物半导体膜(14)的半导体器件(10)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105246856A
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201580000813.3
申请日：2015-03-18
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C04B35/00 , C23C14/08 , C23C14/34 , H01L21/336 , H01L21/363 , H01L29/786
CPC classification number: C23C14/3414 , B28B3/003 , C04B35/01 , C04B35/6261 , C04B35/62675 , C04B35/62685 , C04B35/64 , C04B2235/3217 , C04B2235/3232 , C04B2235/3239 , C04B2235/3241 , C04B2235/3244 , C04B2235/3251 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/326 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3298 , C04B2235/3418 , C04B2235/3427 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/602 , C04B2235/6567 , C04B2235/6583 , C04B2235/661 , C04B2235/72 , C04B2235/76 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C23C14/08 , C23C14/35 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L29/22 , H01L29/78609 , H01L29/78681 , H01L29/7869
Abstract: 提供了：包括铟、钨和锌的氧化物烧结体，该氧化物烧结体包括红绿柱石型晶相作为主要成分，表观密度高于6.5g/cm3且等于或低于7.1g/cm3，并且钨含量与铟、钨和锌的总含量比高于1.2原子％且低于30原子％，且锌与铟、钨和锌的总计的含量比大于1.2原子％且小于30原子％；还提供了一种包括这种氧化物烧结体的溅射靶；和一种包括通过使用该溅射靶，通过溅射法形成的氧化物半导体膜(14)的半导体器件(10)。
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公开(公告)号：CN105899472B
公开(公告)日：2018-01-23
申请号：CN201580003932.4
申请日：2015-04-08
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C04B35/00 , C23C14/34 , H01L21/363 , H01L29/786
CPC classification number: C23C14/3414 , C04B35/00 , C04B35/495 , C04B35/62218 , C04B2235/326 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C23C14/083 , C23C14/086 , C23C14/34 , H01B1/08 , H01J37/3429 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L29/66969 , H01L29/786 , H01L29/7869
Abstract: 本发明提供了一种氧化物烧结体，所述氧化物烧结体包括铟、钨以及锌和锡中的至少一种，且包括复合氧化物晶相作为晶相，所述复合氧化物晶相包括钨以及锌和锡中的至少一种；提供了一种半导体器件(10)，所述半导体器件(10)包括通过使用氧化物烧结体作为靶的溅射方法形成的氧化物半导体膜(14)。
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公开(公告)号：CN105745183A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201580002686.0
申请日：2015-06-18
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C04B35/00 , C23C14/34 , H01L21/363 , H01L29/786
CPC classification number: C04B35/01 , C04B35/62655 , C04B35/62675 , C04B35/62685 , C04B35/64 , C04B2235/3217 , C04B2235/3231 , C04B2235/3232 , C04B2235/3239 , C04B2235/3241 , C04B2235/3244 , C04B2235/3251 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3298 , C04B2235/3418 , C04B2235/604 , C04B2235/72 , C04B2235/76 , C04B2235/762 , C04B2235/77 , C04B2235/79 , C23C14/08 , C23C14/086 , C23C14/3414 , H01J37/3429 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L29/24 , H01L29/66969 , H01L29/786 , H01L29/7869
Abstract: 提供一种包括铟、钨和锌的氧化物烧结体，其中氧化物烧结体包括作为主要成分的红绿柱石型晶相且具有高于6.8g/cm3且等于或低于7.2g/cm3的表观密度，氧化物烧结体中的钨对铟、钨和锌总和的含量比高于0.5原子％且等于或低于1.2原子％，以及氧化物烧结体中的锌对铟、钨和锌总和的含量比高于0.5原子％且等于或低于1.2原子％。也提供一种制造氧化物烧结体的方法，包括氧化物烧结体的溅射靶，以及包括通过使用溅射靶的溅射方法形成氧化物半导体膜(14)的半导体器件(10)。
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公开(公告)号：CN103608310A
公开(公告)日：2014-02-26
申请号：CN201280029318.1
申请日：2012-06-12
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C04B35/00 , C01G15/00 , C04B35/44 , C23C14/08 , C23C14/34 , H01L21/336 , H01L29/786
CPC classification number: C01G9/00 , C01G15/00 , C04B35/44 , C04B35/443 , C04B35/62685 , C04B2235/3206 , C04B2235/3217 , C04B2235/3222 , C04B2235/3232 , C04B2235/3239 , C04B2235/3241 , C04B2235/3244 , C04B2235/3251 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C04B2235/3298 , C04B2235/3418 , C04B2235/3865 , C04B2235/5409 , C04B2235/656 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C23C14/08 , C23C14/3414 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L29/66969 , H01L29/7869
Abstract: 导电性氧化物包含In、Al、选自由Zn和Mg组成的组中的至少一种元素M以及O并且包含结晶质Al2MO4。导电性氧化物的制造方法包括：在将选自由Zn和Mg组成的组中的至少一种元素设为M时，制备包含Al2O3粉末和MO粉末的第一混合物的工序(S10)；通过对第一混合物进行煅烧而制作结晶质Al2MO4粉末的工序(S20)；制备包含结晶质Al2MO4粉末和In2O3粉末的第二混合物的工序(S30)；通过对第二混合物进行成形而得到成形体的工序(S40)；以及对成形体进行烧结的工序(S50)。由此，可以提供廉价且适合用于溅射的靶而得到高物性的氧化物半导体膜的导电性氧化物及其制造方法以及氧化物半导体膜。
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公开(公告)号：CN1352812A
公开(公告)日：2002-06-05
申请号：CN00804734.0
申请日：2000-07-13
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01M8/0213 , H01M8/0206 , H01M8/0215 , H01M8/0228 , H01M2300/0082
Abstract: 一种用于包括多个叠层单元电池的固体聚合物电解质型燃料电池的分离器,每个单元电池都包括固体聚合物电解质膜,排列在膜两侧的催化剂电极层,气体扩散电极和分离器,其特征在于:至少一部分和气体扩散电极接触的分离器上覆盖有包括导电硬碳膜的涂层。通过使用该分离器,可以产生具有优良抗腐蚀性并有很小内电阻的固体聚合物电解质型燃料电池
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