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公开(公告)号：CN111834186A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN202010850672.7
申请日：2020-08-21
Applicant: 中山市博顿光电科技有限公司 , 佛山市博顿光电科技有限公司
Abstract: 本申请涉及一种离子源安装结构和离子源装置，应用于离子源装置上，所述离子源装置包括至少一个霍尔离子源和至少一个中空阴极；所述中空阴极设于距离所述霍尔离子源一设定位置处，为所述霍尔离子源提供中和电子；该安装结构包括：离子源底座、角度调节机构和基座；所述霍尔离子源安装在离子源底座上，所述离子源底座通过角度调节机构安装在基座上，所述离子源底座通过角度调节机构进行转动，以调整霍尔离子源的发射角度。通过本申请的技术方案，可以根据镀膜需求来调整霍尔离子源的角度，从而可以提升离子源覆盖效果，提高使用效率。
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公开(公告)号：CN119739094A
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN202510251855.X
申请日：2025-03-05
Applicant: 中山市博顿光电科技有限公司 , 佛山市博顿光电科技有限公司
IPC: G05B19/042
Abstract: 本发明公开了射频离子源瞬态响应电源控制系统，属于电源技术领域，包括MCU控制器和保护电路模块，所述MCU控制器连接有数字控制器，所述MCU控制器连接有PID控制算法，所述MCU控制器连接有电源主芯片，所述电源主芯片连接有离子源，所述电源主芯片连接有反馈监测；本发明，通过设置MCU控制器、数字控制器、PID控制算法、电源主芯片、离子源、反馈监测、开关频率调节模块和保护电路模块，在各模块的相互配合下，能够使得电源在启动和关闭过程中平稳过渡，并能够有效减少电流和电压的波动，全面提升电源控制系统的稳定性和可靠性，从而能够显著延长电源和整个电源控制系统的使用寿命，同时也能够提升电源的瞬态响应能力。
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公开(公告)号：CN111785600B
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202010681782.5
申请日：2020-07-15
Applicant: 中山市博顿光电科技有限公司 , 佛山市博顿光电科技有限公司
Abstract: 本申请涉及一种离子源供气结构及离子源装置，包括：设置在阳极部件周围的气流回路，以及设于所述阳极部件上且与所述气流回路连通的出气口；其中，所述出气口沿所述阳极部件的中部分布；所述气流回路接入外部的工艺气体，将所述工艺气体输送至各个所述出气口，并通过所述出气口从阳极部件中部导出。该技术方案，将工艺气体输送至各个所述出气口并从阳极部件中部导出，使得工艺气体在电离腔中能够得到更加充分的反应，提高了离子源的电离效率，而且避免了工艺气体沉积，减少对磁铁上部的保护器件的腐蚀。
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公开(公告)号：CN119225471A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202411723133.1
申请日：2024-11-28
Applicant: 中山市博顿光电科技有限公司 , 佛山市博顿光电科技有限公司
IPC: G05F1/66
Abstract: 本申请涉及一种射频中和器的功率控制方法和射频中和器的功率控制系统，包括：实时检测射频中和器的发射极电流和发射极电压；判断发射极电流是否处于设定电流值的范围内，若是，判断发射极电压是否大于电压阈值；若发射极电压不大于电压阈值，将射频中和器的射频功率减小第一调整量；在经过第一等待时间之后，判断射频功率是否处于稳定状态，当射频功率达到稳定状态之后，继续判断发射极电流是否处于设定电流值的范围内的步骤；若发射极电流低于设定电流值的范围，停止减少射频功率调整；该技术方案，确保了射频中和器的稳定性，延长射频中和器的使用寿命，发射极电流始终保持稳定，增加射频中和器使用寿命，维护更方便更智能。
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公开(公告)号：CN116288230B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202211600718.5
申请日：2022-12-12
Applicant: 佛山市博顿光电科技有限公司 , 中山市博顿光电科技有限公司
Abstract: 本申请涉及一种调速阀门结构、真空腔室及真空镀膜机，调速阀门结构包括：真空密封的阀门腔体，设于阀门腔体内的真空阀板，以及设于阀门腔体外部的驱动机构和间接传动装置；阀门腔体上设有抽气口，其中，抽气口两侧面上设有上连接件和下连接件；上连接件用于与真空腔室密封连接，下连接件用于与分子泵密封连接；驱动机构连接间接传动装置，间接传动装置与真空阀板通过非接触方式连接；驱动机构驱动间接传动装置进行运动，间接传动装置以非接触方式驱动真空阀板进行移动，调整抽气口的开度大小；该技术方案具有更高的真空度调整速度，减少了需要真空密封的部件，降低了整体设备的成本，并提升了真空腔室的真空密封效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113793791B
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202111083180.0
申请日：2021-09-15
Applicant: 中山市博顿光电科技有限公司 , 佛山市博顿光电科技有限公司
Abstract: 本申请涉及一种离子束修形离子源及其启动方法、真空腔室，所述离子源包括：包括设于腔体两侧的阳极和磁场，以及设于腔体前端的栅网；还包括设于腔体后端的中空阴极，以及设置在中空阴极前的电子均匀板；其中，所述中空阴极从腔体后端套入腔体内；所述中空阴极用于向腔体内注入电子束流；所述电子均匀板将所述电子束流均匀分散进入到阳极区域内；所述电子束流中的电子在阳极的电场和磁场的作用下电离，并在所述栅网的电场作用下引出离子束流；采用中空阴极结构为阳极提供离子供体的中空阴极直流源结构，结构轻巧，性能稳定，实现了小束斑、大能量的离子束流输出，并可以控制离子束的能量和停留时间，在离子束修形中具有良好的使用效果。
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公开(公告)号：CN113846317B
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202111125541.3
申请日：2021-09-24
Applicant: 中山市博顿光电科技有限公司 , 佛山市博顿光电科技有限公司
IPC: C23C16/505 , C23C16/52 , C23C14/46 , C23C14/54
Abstract: 本申请涉及一种电离腔室、射频离子源及其控制方法，所述电离腔室包括：底部和侧壁，所述底部连接供气管道，前端设置为射频离子源的栅网；其中，所述供气管道通入的气体在射频电作用下在所述电离腔室内进行电离产生等离子体；在所述侧壁上还设置有导电材料制成的屏蔽罩，所述屏蔽罩连接电源的正极端；所述屏蔽罩用于在电离腔室中产生由侧壁向中心方向的电场，所述等离子体在所述电场作用下偏移，控制等离子体从所述栅网的出射位置；该技术方案，可以改善等离子体在电离腔室内的分布情况，从而减少等离子体分布不均匀而造成栅网位置刻蚀严重的情况，延长栅网的使用寿命。
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公开(公告)号：CN114318274B
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202111652136.7
申请日：2021-12-30
Applicant: 佛山市博顿光电科技有限公司 , 中山市博顿光电科技有限公司
Abstract: 本申请涉及一种离子束溅射镀膜方法、靶材安装结构及离子束溅射设备，所述方法包括：在靶材背板的安装位置上分别放置多种靶材；其中，所述靶材背板平面以分区形式设置多个靶材安装位置；控制离子源以设定工艺参数输出离子束，轰击所述靶材背板上的靶材进行溅射镀膜；根据镀膜薄膜的参数要求计算所述靶材背板相对于离子源的位移数据；根据所述位移数据控制所述离子源与靶材背板产生平面相对运动，以调整所述离子束轰击各种靶材的比例；该技术方案中，可以实现多种不同靶材材料的蒸发镀膜方案，可以实现材料折射率实现渐变工艺，提高产品光谱特性，具有更好的镀膜效果；而且镀膜过程的可控性高，无需暂停离子源工作，控制逻辑简单，可控性强。
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公开(公告)号：CN112965003B
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202110138449.4
申请日：2021-02-01
Applicant: 佛山市博顿光电科技有限公司 , 中山市博顿光电科技有限公司
Abstract: 本申请涉及一种电源老化负载电路，包括至少两个发热控制单元，采样电路，以及控制电路；所述发热控制单元包括调节电路和MOS管，各个发热控制单元的MOS管源极和漏极串联后连接在电源的正负极两端；其中，所述调节电路分别连接所述控制电路；所述采样电路用于对电源信号进行采样得到电源反馈信号输出至所述控制电路；所述控制电路用于接收输入的电源参考信号，将所述电源参考信号与所述电源反馈信号进行比对，输出控制信号至所述调节电路；所述调节电路用于根据所述控制信号调节所述MOS管的栅极电压以调节MOS管的内阻；该技术方案，通过把发热控制单元串联起来，增加了负载电压，提升了电源老化负载电路使用范围。
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公开(公告)号：CN117821924A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202311873456.4
申请日：2023-12-29
Applicant: 佛山市博顿光电科技有限公司 , 中山市博顿光电科技有限公司
Abstract: 本申请涉及一种真空镀膜设备及其镀膜控制方法，所述设备包括：真空腔室，内置有连接控制系统的产品转盘、溅射系统以及离子源；光谱检测装置，连接至控制系统，用于在镀膜过程中检测镀膜产品的光谱能量数据并上报至控制系统；控制系统，用于控制产品转盘、溅射系统以及离子源的运行，采集光谱检测装置检测的光谱能量数据并计算镀膜产品的实时透射率，在膜层厚度接近目标厚度时，基于实时透射率预测出已镀膜的实际厚度；依据实际厚度计算换层判停时间并输出换层判停指令进行换层操作，直至完成所有膜层的镀膜；该技术方案，极大提升了换层判停精度，特别是层数较多的镀膜中，避免了镀膜层数增加所带来的误差累积，提升了镀膜产品的膜层质量。
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