公开(公告)号：CN103332658A

公开(公告)日：2013-10-02

申请号：CN201310253676.7

申请日：2013-06-24

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 张忻 ,  武鹏旭 ,  刘洪亮 ,  马旭颐 ,  路清梅 ,  张久兴

IPC: C01B19/02 ,  B82Y30/00

Abstract: 一种高纯硒纳米粉末的制备方法属于纳米材料制备领域。制备工艺的特色在于：采用直流电弧蒸发冷凝设备，以单质非金属高纯硒块为阳极，金属钨为阴极，在氩气压力为0.1～0.5MPa的气氛中，反应电流40～80A，阳极与阴极间电压为40～60V，蒸发时间为20～40min，制备出高纯度粒径为20～100nm的硒纳米粉末。本发明方法工艺简单，且制备的硒纳米粉末纯度高、晶粒尺度可控。

公开(公告)号：CN102515769A

公开(公告)日：2012-06-27

申请号：CN201110376850.8

申请日：2011-11-23

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 张久兴 ,  李晓娜 ,  包黎红 ,  张宁 ,  张忻 ,  张繁星

IPC: C04B35/58 ,  C04B35/622 ,  C30B29/10 ,  C30B28/02

Abstract: 一种多元稀土硼化物(CexPr1-x)B6阴极材料及其制备方法属于稀土硼化物热阴极材料技术领域。目前，多元稀土硼化物的研究很少，且制备工艺复杂。本发明阴极材料的组成为(CexPr1-x)B6，0.2≤x≤0.8。本发明采用直流电弧蒸发法分别制得CeH2和PrH2纳米粉末后，与原料B粉末在低氧环境下混合，采用放电等离子烧结，压力50～60MPa，升温速率100～150℃/min，烧结温度1450℃，保温5min，制得(CexPr1-x)B6。本发明方法烧结温度低、时间短，工艺简单，且制备的阴极材料单相、致密高、电流发射密度高。

公开(公告)号：CN101728477B

公开(公告)日：2011-08-17

申请号：CN200910242213.4

申请日：2009-12-04

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 路清梅 ,  常虹 ,  张飞鹏 ,  张久兴 ,  张忻

IPC: H01L35/34 ,  B22F9/04

Abstract: 本发明公开了一种CeyFe4Sb12/Ca3Co4O9(y＝0.8～1.2)基块体梯度热电材料的制备方法，具体方法是：首先合成Ca3Co4O9块体材料，将其表面打磨干净后置于石墨模具中，在上面平铺(也可不铺)上一层金属过渡层，如Ni，Ti，Ag，压实，再平铺上CeyFe4Sb12(y＝0.8～1.2)粉末，压实，然后在真空气氛下600～620℃进行放电等离子烧结，制得块体梯度烧结材料。该方法具有烧结工艺简单、快速的特点，得到的CeyFe4Sb12/Ca3Co4O9(y＝0.8～1.2)基梯度热电材料界面洁净，结合强度高，可广泛应用于中、高温区废气、废热发电领域。

公开(公告)号：CN101794858A

公开(公告)日：2010-08-04

申请号：CN200910243131.1

申请日：2009-12-25

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 路清梅 ,  王磊 ,  张久兴 ,  常虹 ,  张忻 ,  刘燕琴

IPC: H01L35/16 ,  H01L35/34 ,  C22C1/04 ,  C22F1/00

Abstract: 本发明公开了一种P型(Bi0.25Sb0.75)2Te3/CeyFe4Sb12(y＝0.8-1.2)基块体梯度热电材料，包括低温层和中温层两层材料，低温层成分为：(Bi0.25Sb0.75)2Te3，中温层成分为：CeyFe4Sb12(y＝0.8-1.2)，两层材料中间还可以包括Ni或Cu的过渡层。本发明还公开了上述热电材料制备方法，首先按化学式制备CeyFe4Sb12块体，然后制备(Bi0.25Sb0.75)2Te3粉末，将CeyFe4Sb12块体置于石墨模具中，在其上平铺过渡层或(Bi0.25Sb0.75)2Te3粉末，置于SPS烧结炉烧结。本发明热电材料界面洁净，结合强度高，可广泛应用于中、低温区废气、废热发电领域。