-
公开(公告)号：CN105350075B
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201510849964.8
申请日：2015-11-29
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种高纯度拓扑绝缘体YbB6单晶体的制备方法属于拓扑绝缘体材料技术领域。目前，高纯度YbB6单晶的制备与研究很少，且制备工艺复杂，单晶体质量较差，纯度低，尺寸小，很难实现实际应用。本发明采用等离子活化烧结和悬浮区域熔炼相结合的方法，在高真空环境下制备高质量、高纯度、大尺寸的YbB6单晶体。以高纯YbB6粉末为初始原料制备出的YbB6单晶为φ4.5mm×20mm的圆柱体，单晶衍射仪测试结果显示单晶质量良好。
-
公开(公告)号：CN105525122B
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201610057670.6
申请日：2016-01-27
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明涉及纳米SiC复合Mg-Si-Sn基热电材料的制备方法。首先，采用感应熔炼设备将Mg、Si、Sn块体原料熔炼成铸锭，然后按化学式配比称取的纳米SiC粉末与破碎的铸锭一并装入球磨罐中，采用机械球磨设备在氩气气氛下进行一次球磨，然后将装载一次球磨粉的石墨模具置于放电等离子烧结腔体中，在真空气氛下烧结成块体；再将烧结成的块体破碎后，在氩气气氛下进行二次球磨，然后在真空气氛下烧结得到高致密的Mg2Si1-xSnx/SiCy(0≤x≤1.0,0
-
公开(公告)号：CN1786229A
公开(公告)日：2006-06-14
申请号：CN200510117532.4
申请日：2005-11-04
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明属于热电材料的制造技术领域。现有微米晶粒的CoSb3材料热导率高，而纳米晶粒的CoSb3材料虽然具有很低的热导率，但同时电导率也出现大幅度下降，使其在300－800K温度范围内的ZT最大值只有0.057。一种纳米/微米复合晶粒结构的CoSb3热电材料制备方法，其特征在于：以80－100nm金属钴和20－40μm锑单质元素粉末为原料，按CoSb3化合物的化学式称重配料，在氩气保护下，粉末研磨混合，然后进行放电等离子烧结(SPS)原位反应合成，压力30－50MPa，升温速率120－150℃/min，温度450－550℃，保温时间3－5min，气氛为真空。所制备的热电材料具有纳米/微米复合晶粒结构，其中纳米晶粒尺度约为100nm，微米晶粒尺度为1－3μm，材料的相对致密度大于93.0％。该材料在700K取得最大ZT值0.34。
-
公开(公告)号：CN112695385B
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202011411368.9
申请日：2020-12-02
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明提供了一种单晶稀土六硼化物阴极发射体阵列结构制备方法，该方法将激光加工与机械循环电化学腐蚀相结合，先利用激光直写加工或激光扫描振镜加工对阵列结构进行粗加工，高效获得阵列结构的雏形，后利用机械循环电化学腐蚀方法去除表面激光加工变质层的同时，对雏形进行高质量表面处理进而使尖锥曲率半径减小，最终制得形貌均匀、尖锥曲率半径小、表面质量优的阴极发射体阵列结构。本发明将激光加工技术和机械循环电化学腐蚀方法有机复合到单晶稀土六硼化物阴极发射体阵列结构制备中，充分结合激光、机械和电化学技术的优点，实现对单晶稀土六硼化物表面阵列结构的高效率、高表面质量以及更小尖锥曲率半径的制备。
-
公开(公告)号：CN107793144B
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201711142934.9
申请日：2017-11-17
Applicant: 北京工业大学
IPC: C04B35/44 , C04B35/622
Abstract: 导电性钙铝石型化合物块体的制备方法属于半导体材料技术领域。本发明采用放电等离子烧结技术原位反应合成导电型[(Ca1‑xMx)24Al28O64]4+(O2‑)2‑y(e‑)2y块体材料。[(Ca1‑xMx)24Al28O64]4+(O2‑)2进行粉碎、研磨，装入石墨模具中，预压成形，然后加入活性金属粉末，置于放电等离子烧结设备中，反应条件为：活性金属粉末与[(Ca1‑xMx)24Al28O64]4+(O2‑)2粉末的质量比为1:2～1:5，烧结温度800～1400℃，反应室真空度不高于10Pa，压力40MPa，反应5～15min。该制备方法可以在1017～1021/cm3范围内调控载流子浓度，从而实现电输运特性的可控，且该方法简单高效，制备周期短，成本低，易于实现工业化应用。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109306521B
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN201811019797.4
申请日：2018-09-03
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 电传导型Ca12Al14O32:2e‑电子化合物的制造方法属于钙铝石型无机电子化合物材料技术领域。将CaCO3粉末与Al2O3粉末以27:15的物质的量比混合均匀，并且于1450℃进行化学反应合成Ca12Al14O33与Ca3Al2O6共晶前驱体，此前驱体中Ca12Al14O33与Ca3Al2O6的物质的量比为2：1；将共晶前躯体与金属Al单质粉末混匀后，在Ar气环境下进行机械合金化，时间为15min；将机械合金化后的粉末原位反应合成电传导型Ca12Al14O32:2e‑电子化合物；该制备方法5分钟内就制得电子浓度达到理论最大值2.3×1021cm‑3，相对密度达到99.8％的多晶Ca12Al14O32:2e‑电子化合物块体材料，且该方法简单高效，制备周期极短，成本低，易于实现批量化生产。
-
公开(公告)号：CN106866152B
公开(公告)日：2019-09-03
申请号：CN201710140285.2
申请日：2017-03-10
Applicant: 北京工业大学
IPC: C04B35/58 , C04B35/50 , C04B35/626 , C04B35/64 , C04B35/645
Abstract: 本发明涉及一种YB4块体的制备方法。将YH2粉末和B粉在氧含量低于0.5ppm氩气气氛中，按摩尔比1:4球磨混合均匀，将中球磨好的粉末在氧含量低于0.5ppm氩气环境中放入石墨模具中，然后将石墨模具置于SPS烧结设备中烧结，烧结工艺为：将腔体抽真空至8Pa以下，在仪器初始压力下以50‑60℃/min的升温速度升至800‑900℃，保温至腔体真空度下降至15Pa以下，之后施加40‑60MPa的轴向压力，再以120‑140℃/min升温速度升至1400‑1600℃，保温5‑10min，降压随炉冷却至室温。本发明将YB4原料合成与块体的制备合二为一烧结温度低、时间短，工艺简单，且制备的材料单相、纯度高、致密度高、力学性能好。
-
公开(公告)号：CN105350075A
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201510849964.8
申请日：2015-11-29
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种高纯度拓扑绝缘体YbB6单晶体的制备方法属于拓扑绝缘体材料技术领域。目前，高纯度YbB6单晶的制备与研究很少，且制备工艺复杂，单晶体质量较差，纯度低，尺寸小，很难实现实际应用。本发明采用等离子活化烧结和悬浮区域熔炼相结合的方法，在高真空环境下制备高质量、高纯度、大尺寸的YbB6单晶体。以高纯YbB6粉末为初始原料制备出的YbB6单晶为φ4.5mm×20mm的圆柱体，单晶衍射仪测试结果显示单晶质量良好。
-
公开(公告)号：CN103274701A
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201310185046.0
申请日：2013-05-19
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开一种含碳耐火材料抗氧化剂Al4O4C的制备方法。（1）以Al2O3粉、Al粉、石墨粉为原料，按照摩尔比n(Al2O3）:n（Al）:n（C）=a:b:3称重，其中1.0≤a≤6.0, 1.0≤b≤6.0。将配制好的原料放入球磨罐中进行球磨，球磨时间4~12h，转速为200~600r/min。（2）将球磨后的粉体装入石墨或硬质合金模具中，将模具置于SPS烧结腔体中，施加10~50MPa的轴向压力，在烧结气氛气压低于10Pa的真空条件下烧结，以100～150℃/min的升温速率升温，烧结温度为1000~1500℃，保温5~15min，随炉冷却至室温，得到物相组成为Al4O4C晶相的单相块体材料。本发明简单，成本低，烧结升温速度快，烧结温度低，烧结时间短，并可获得不含杂相的单相材料。
-
公开(公告)号：CN103205801A
公开(公告)日：2013-07-17
申请号：CN201310095466.X
申请日：2013-03-23
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种大尺寸稀土硼化物SmB6单晶体的制备方法属于稀土硼化物热阴极材料技术领域。目前，SmB6稀土硼化物单晶的制备与研究很少，且制备工艺复杂，单晶体质量较差，尺寸小，很难实现实际应用。本发明采用放电等离子烧结和悬浮区域熔炼相结合的方法，在高真空环境下制备高质量、大尺寸的稀土硼化物SmB6单晶体。以Sm粉末和B粉末为初始原料制备出的SmB6单晶为的圆柱体，单晶衍射仪测试结果显示单晶质量良好没有出现孪晶现象。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
44
records
(took 0.024 seconds)
