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公开(公告)号：CN112697842A
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN202011430106.7
申请日：2019-01-30
Applicant: 南通大学
Abstract: 本发明涉及一种用于fA～pA量级微弱电流测量ASIC，具有十个引脚，第一引脚为信号输入引脚，用于输入待测电流；第七引脚为电源地引脚；第十引脚为电源正极引脚；第二、三、四、五、六、八、九引脚为功能引脚，用于连接ASIC外围元件；第五引脚作为信号输出引脚，用于输出放大后的电压，并连接至中间放大器输入端；在ASIC内部，包括两个CMOS运算放大器构成的放大电路、四个CMOS传输门、七个CMOS反相器、三个电阻和两个电容；ASIC第七引脚连接至电源地端，ASIC第十引脚连接至电源正端；ASIC第一引脚为待测电流信号输入端，用于输入待测电流；ASIC第五引脚为放大电压信号输出端，用于输入放大的电压信号。
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公开(公告)号：CN107450304B
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN201710704170.1
申请日：2017-08-17
Applicant: 南通大学
IPC: G04F10/00
Abstract: 本发明提供了一种用于传感器信号处理的全定制ASIC（为专门应用而设计的集成电路），所述ASIC专门用于消除周期性往复运动的周期测量中的系统误差；所述ASIC具有4个引脚，第一引脚为电源正极引脚，第二引脚为信号输入端，用于连接光电门电路的输出端，第三引脚为信号输出端，用于连接计时器和计数器，第四引脚为电源地线引脚。所述ASIC取消了现有技术中的运算放大器、电压比较器、A/D转换器，整个电路全部由CMOS电路构成开关电路，因此本发明的电路结构更简单，抗干扰能力更强，电路功耗更低。
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公开(公告)号：CN107974666B
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201711222248.2
申请日：2017-11-28
Applicant: 南通大学
IPC: C23C16/455 , C23C16/52
Abstract: 本发明揭示了一种快速测定时序式ALD制程的ALD‑window的方法，通过时序式ALD工艺沉积单独一个薄膜样品即可确定所采用工艺的ALD‑window；在所述ALD‑window测定过程中，薄膜的ALD沉积温度T可被控制地改变；在沉积薄膜样品所使用的ALD设备中，配置有用于实时监控ALD沉积得到的薄膜的质量m的QCM，在ALD‑window测定过程中，薄膜的ALD沉积温度T从低温到高温逐渐升高，通过QCM测量所得到的薄膜在每一个沉积温度下的指定沉积循环中的质量改变量Δm，最终得到Δm与T的函数关系，分析所述Δm与T的函数关系来确定所采用工艺的ALD‑window。
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公开(公告)号：CN109709151A
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201910094588.4
申请日：2019-01-30
Applicant: 南通大学
IPC: G01N27/00
Abstract: 本发明揭示了一种电介质薄膜电学性质测量系统，包括探针台、电学测试装置和计算机，电学测试装置中的前置跨阻放大器包括有两个CMOS运算放大器、四个MOS场效应管、四个CMOS反相器、六个电阻、两个电容。电介质薄膜的漏电流大小通常介于数十fA至数十pA，通过合理选择外围电阻，前置跨阻放大器的输出电压可达到数μV至几十μV量级，该输出电压信号再经过中间电压放大器、后端电压放大器依次放大，可被电流测量装置准确测量出来，最终送至计算机进行处理、显示。利用本发明独有的处理方式，有效地从信号源中过滤掉了运算放大器自身带来的干扰信号。
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公开(公告)号：CN107974666A
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：CN201711222248.2
申请日：2017-11-28
Applicant: 南通大学
IPC: C23C16/455 , C23C16/52
CPC classification number: C23C16/45525 , C23C16/52
Abstract: 本发明揭示了一种快速测定时序式ALD制程的ALD-window的方法，通过时序式ALD工艺沉积单独一个薄膜样品即可确定所采用工艺的ALD-window；在所述ALD-window测定过程中，薄膜的ALD沉积温度T可被控制地改变；在沉积薄膜样品所使用的ALD设备中，配置有用于实时监控ALD沉积得到的薄膜的质量m的QCM，在ALD-window测定过程中，薄膜的ALD沉积温度T从低温到高温逐渐升高，通过QCM测量所得到的薄膜在每一个沉积温度下的指定沉积循环中的质量改变量Δm，最终得到Δm与T的函数关系，分析所述Δm与T的函数关系来确定所采用工艺的ALD-window。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107557756A
公开(公告)日：2018-01-09
申请号：CN201710579260.2
申请日：2015-11-11
Applicant: 南通大学
Abstract: 一种用于制备BiGaO3薄膜材料的气体脉冲序列，由铋前驱体气体脉冲、镓前驱体气体脉冲、氧前驱体气体脉冲、惰性气体脉冲组成，所述气体脉冲序列通入真空反应腔中；化学吸附反应在真空反应腔中进行，铋前驱体气体脉冲、镓前驱体气体脉冲、氧前驱体气体脉冲、惰性气体脉冲按照一定的次序依次通入真空反应腔中。通过采用本发明的制备BiGaO3薄膜材料的方法，可以实现BiGaO3薄膜生长厚度的精确可控，且BiGaO3薄膜表面平整度大大优于现有技术。
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公开(公告)号：CN107475688A
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：CN201710579316.4
申请日：2015-11-11
Applicant: 南通大学
Abstract: 一种用于制备BiGaO3薄膜的真空反应腔，包括有多个分隔空间，分别用于通入铋前驱体气体、镓前驱体气体、氧前驱体气体、惰性气体；BiGaO3薄膜材料采用前驱体自限制性表面吸附反应得到，化学吸附反应在真空反应腔中进行。通过采用本发明的制备BiGaO3薄膜材料的方法，可以实现BiGaO3薄膜生长厚度的精确可控，且BiGaO3薄膜表面平整度大大优于现有技术。由于各种气体的通入是连续不断、且流速恒定，薄膜的厚度仅取决于衬底转过的次数，工艺变得极为简单、可靠。
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公开(公告)号：CN105296961B
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201510766399.9
申请日：2015-11-11
Abstract: 前驱体空间分隔式制备镓酸铋薄膜的方法。一种前驱体空间分隔式的自限制性表面吸附反应制备BiGaO3薄膜材料的方法，BiGaO3薄膜材料生长在衬底材料上，BiGaO3薄膜材料的空间群为Pcca，晶格常数为a=5.626Å，b=5.081Å，c=10.339Å，BiGaO3薄膜材料在所选择的衬底上生长得到的择优取向为（112），采用前驱体空间分隔式的自限制性表面吸附反应得到，所述表面吸附反应特指朗缪尔吸附机制的不可逆的化学吸附反应。通过采用本发明的制备BiGaO3薄膜材料的方法，可以实现BiGaO3薄膜生长厚度的精确可控，且BiGaO3薄膜表面平整度大大优于现有技术。由于各种气体的通入是连续不断、且流速恒定，薄膜的厚度仅取决于衬底转过的次数，工艺变得极为简单、可靠。
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公开(公告)号：CN104218110B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201410441357.3
申请日：2014-09-01
Applicant: 南通大学
IPC: H01L31/048 , H01L31/052 , H01L31/054
CPC classification number: Y02E10/52
Abstract: 本发明涉及一种太阳能电池封装结构，包括带空腔的双层玻璃、置于空腔内的未封装的太阳能电池片，双层玻璃由前侧玻璃和后侧玻璃沿四周密封拼接而成，双层玻璃内部抽真空，太阳能电池片的背部固定在后侧玻璃的内壁上，太阳能电池片的向光面至前侧玻璃内壁的距离为3?5cm，前侧玻璃为太阳能白玻璃或树脂玻璃，厚度为3?5mm。将电池片置于双层玻璃内，并且电池片的向光面与前侧玻璃存在一定的距离，入射光穿过玻璃的时候发生折射和衍射，从而减轻鸟粪对阳光的遮挡，不会在电池片形成无光区域，从而消除热岛效应。本发明封装结构对太阳能的利用率更高，便于维护，大大降低对电池表面清洁的频率，减少了人工的投入；并且在工业上易于制造。
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公开(公告)号：CN103165721B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201310112387.5
申请日：2013-04-01
Applicant: 南通大学
IPC: H01L31/0687 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/544 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种并联双结太阳能电池，包括硅片，硅片的上表面一侧由内向外依次制有一个深结和一个浅结，形成P-N-P型或N-P-N型双结电池，电池的掺杂元素扩散在深结和浅结之间的第一晶硅层内，第一晶硅层从内向外延伸至顶电极区，并且顶电极区为重掺杂区，浅结上方为与掺杂元素电性相反的第二晶硅层，第二晶硅层位于硅片上表面的顶电极区域以外，顶电极与第一晶硅层欧姆接触，非顶电极区制有与第二晶硅层欧姆接触的反型电极，反型电极与背电极连接。本发明在同一个单晶硅电池内形成了两个PN结，并共用一个p区，减少了串联叠层电池中载流子需要穿越隧穿结的困难；浅结有利于短波的吸收，深结有效保证长波的吸收，因此电池的性能更好。
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