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公开(公告)号：CN104101445A
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201410357668.1
申请日：2014-07-25
Applicant: 厦门大学
IPC: G01K11/00
Abstract: 一种SiCN陶瓷有线无源温度传感器及其制备方法，涉及温度传感器。所述传感器设有圆柱形非晶态SiCN陶瓷温敏元件、谐振腔、耦合激励端口和共面波导线；温敏元件设于共面波导线上，温敏元件表面包裹有耐高温金属层，耐高温金属层形成谐振腔，在谐振腔的侧表面设耦合激励端口，谐振腔通过耦合激励端口与共面波导线直接耦合。先制备圆柱形非晶态SiCN陶瓷温敏元件；在温敏元件侧表面对应耦合激励端口处，用聚酰亚胺胶带保护后，再在温敏元件表面电镀上金属层而形成谐振腔，去除聚酰亚胺胶带，即得侧表面带有耦合激励端口的谐振腔；制备共面波导线；将谐振腔放置在共面波导线上，使耦合激励端口与共面波导线耦合，并键合，交联固化后即得。
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公开(公告)号：CN103466590A
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201310416785.6
申请日：2013-09-13
Applicant: 厦门大学
IPC: C01B31/00 , C04B35/56 , C04B35/626 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 一种SiCO空心纳米球的制备方法，涉及一种陶瓷纳米球。1）在F127中加入热交联剂过氧化二异丙苯，再溶解在四氢呋喃溶液中，得混合液A；2）在混合液A中加入聚乙烯基硅氮烷，得混合液B；3）在混合液B中加入氯仿，得混合液C；4）将混合液C倒在聚四氟乙烯盘上，在50℃的烘箱中保温96～168h或70℃的烘箱中保温72～168h，然后交联，变为淡黄色透明薄膜，取出脱膜；5）将步骤4）得到的薄膜在惰性气氛中热解，在薄膜表面获得粒径均匀的SiCO空心纳米球。制备过程简单，可以高效地制备SiCO空心纳米球，解决了在工艺上制备的复杂性、不易控制等缺点。
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公开(公告)号：CN103335753A
公开(公告)日：2013-10-02
申请号：CN201310220562.2
申请日：2013-06-05
Applicant: 厦门大学
Abstract: 硅-玻璃基梁膜结构的超微压力传感器芯片及制造方法，涉及一种超微压力传感器。提供一种高可靠性且适用于潮湿、酸碱、静电等恶劣环境下的具有自封装结构的硅-玻璃基梁膜结构的超微压力传感器芯片及制造方法。所述硅-玻璃基梁膜结构的超微压力传感器芯片为盒状结构，设有带空腔的基底和感压薄膜；所述感压薄膜设有凸起的梁结构，形成梁膜复合结构；所述感压薄膜的应力集中区的下表面设有连接成惠斯登电桥的4个压敏电阻，通过基底与感压薄膜的键合将压敏电阻密封于真空压力腔中；所述惠斯登电桥通过键合界面预置电极与外界实现电连接。第一阶段：SOI晶圆片上的工艺制作；第二阶段：基底部分的制备；第三阶段：键合及后续工艺。
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公开(公告)号：CN103278270A
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201310220922.9
申请日：2013-06-05
Applicant: 厦门大学
Abstract: 岛膜自封装结构的硅-玻璃微压力传感器芯片及制造方法，涉及微压力传感器。提供一种不仅可靠性较高，而且适用于潮湿、酸碱、静电等恶劣环境下的岛膜自封装结构的硅-玻璃微压力传感器芯片及制造方法。所述岛膜自封装结构的硅-玻璃微压力传感器芯片设有感压薄膜和带空腔的底座；感压薄膜为正面岛膜复合结构，在岛膜复合结构的应力最大的集中区设有4个压敏电阻，4个压敏电阻通过金属电极构成惠斯登电桥，采用硅-玻璃阳极键合工艺将惠斯登电桥密封于密闭绝压腔内，所述惠斯登电桥通过金属引线将界面预置电极与外部测试设备连接，构成一个完整的压力敏感和测量系统。SOI晶圆片上的工艺制作；基底部分的制备；键合及后续工艺。
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公开(公告)号：CN102175236B
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201110037429.4
申请日：2011-02-14
Applicant: 厦门大学
IPC: G01C19/5719
Abstract: 一种可调整降低正交误差的微陀螺仪，涉及一种陀螺仪。设有下层为衬底，衬底表面设有悬浮结构层准备的深槽；上层为单晶硅整体制作通过局部刻蚀形成陀螺机械结构，包括驱动框架、检测质量块、悬浮检测电极质量块、电隔离梁、驱动支承梁、检测支承梁、检测电极支承梁、检测电极和驱动电极，检测质量块与外围的驱动框架相连，驱动框架左右两侧对称分布着梳齿，梳齿与外侧驱动电极的梳齿交错分布形成驱动电容，外围的驱动框架通过驱动支撑梁与硅基底相连；检测电极质量块一侧与驱动框架通过电隔离梁连接并分布在检测质量块内侧4个角，另一侧与检测电极相连。能实现驱动模态和检测模态解耦、驱动框架振动方向和检测质量块振动方向之间相对角度可调。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102570902A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201210016196.4
申请日：2012-01-18
Applicant: 厦门大学 , 江苏奥力威传感高科股份有限公司
Abstract: 一种压电-静电复合式微机械振动能量收集器及制造方法，涉及一种能量收集装置。收集器设有芯片主体和芯片外部电路；主体为三层片状结构，主体设有上玻璃片器件、SOI片器件、下玻璃片器件、压电陶瓷片组、压电陶瓷片电极和可变电容极板电极。外部电路设有整流电路、滤波电容、第一开关、第二开关和能量储存电容；或设有整流电路、滤波电容、第一开关、第二开关、能量储存电容以及可变电容极板启动电源。制造方法如下：下玻璃片器件制作；SOI片器件制作；上玻璃片器件制作；装配；连接芯片外部电路。制备过程较简单、可克服传统的溶胶凝胶制备PZT所带来的器件稳定性和性能较差等缺点，同时可实现能量的宽频带和高效率收集。
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公开(公告)号：CN101404464B
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN200810072108.6
申请日：2008-11-12
Applicant: 厦门大学
Abstract: 复合型微能源系统及其制备方法，涉及一种微能源系统。提供一种可有效提高能量搜集效率，特别适用于为微系统或微器件提供“永久性”工作能源的复合型微能源系统及其制备方法。设有3片基片、2层金属层和接触开关，3片基片成三明治结构，从下至上依次为第1、第2和第3基片，在第2基片下表面加工PN结，接触开关设于第1与第2基片之间。在具有规则分布的具有三维结构(深孔阵列或柱型阵列)的PN结收集同位素辐射能的基础上，在系统中集成利用金属不同功函数将β射线产生的静电感应振动能量转换为电能，达到有效提高能量搜集效率的目的。
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公开(公告)号：CN101237730B
公开(公告)日：2010-07-21
申请号：CN200810070672.4
申请日：2008-02-27
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种红外光源及其制备方法，涉及一种红外光源。提供一种基于绝缘体上的硅晶片，具有体积小、能耗低、发射强度高、调制频率高、电-光能量转换效率高等特点的红外光源及其制备方法。设有支撑框架、发光薄膜结构和电极，发光薄膜结构支撑于支撑框架上方，电极位于支撑框架上方，电极通过在氧化硅保护层开设电极孔与多晶硅发光层接触，电极通过压焊金属丝与管壳管脚相连。将晶片氧化，在氢氟酸中腐蚀掉晶片器件层上的氧化硅层；器件层浓硼扩散形成红外吸收层；在红外吸收层表面热氧化氧化硅层；沉积多晶硅；5次光刻后，使用深反应等离子刻蚀工艺从背面刻蚀出发光薄膜结构；晶片合金化退火，沿划片槽裂片，封装。
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公开(公告)号：CN101237730A
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：CN200810070672.4
申请日：2008-02-27
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种红外光源及其制备方法，涉及一种红外光源。提供一种基于绝缘体上的硅晶片，具有体积小、能耗低、发射强度高、调制频率高、电-光能量转换效率高等特点的红外光源及其制备方法。设有支撑框架、发光薄膜结构和电极，发光薄膜结构支撑于支撑框架上方，电极位于支撑框架上方，电极通过在氧化硅保护层开设电极孔与多晶硅发光层接触，电极通过压焊金属丝与管壳管脚相连。将晶片氧化，在氢氟酸中腐蚀掉晶片器件层上的氧化硅层；器件层浓硼扩散形成红外吸收层；在红外吸收层表面热氧化氧化硅层；沉积多晶硅；5次光刻后，使用深反应等离子刻蚀工艺从背面刻蚀出发光薄膜结构；晶片合金化退火，沿划片槽裂片，封装。
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公开(公告)号：CN211150116U
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN201920132344.6
申请日：2019-01-25
IPC: G21H1/06
Abstract: 一种三维纳米结构氚伏电池，涉及一种同位素电池。呈三明治结构，从上到下依次为：顶部电极、三维纳米结构半导体和底部电极；所述三维纳米结构半导体是由半导体材料构成的三维网格框架结构，网格框架之间设有孔道间隙，三维纳米结构半导体设于底部电极与顶部电极之间，三维纳米结构半导体为氚基同位素源集成的三维纳米结构半导体，所述氚基同位素源贮存于半导体网格框架之间孔道间隙中的氚化金属，或为氚与三维纳米结构半导体材料复合形成的氚化半导体，或为氚化金属与氚化半导体的共存结构；所述氚化金属与三维纳米结构半导体形成肖特基接触或欧姆接触，同时还与顶部电极或底部电极连接。
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