公开(公告)号：CN104867814B

公开(公告)日：2017-09-22

申请号：CN201510200903.9

申请日：2015-04-24

Applicant: 厦门大学

Inventor： 陈松岩 ,  刘翰辉 ,  亓东锋 ,  李成

IPC: H01L21/02

Abstract: Ge薄膜键合制备绝缘层上锗的方法，涉及绝缘层上锗。对Ge片进行离子注入，形成缺陷平面；用光固化胶将PDMS与处理后的Ge片绑定；在处理后的柔性支撑衬底上施加平行于剥离平面的剪切力，将表面Ge薄膜沿着缺陷平面与体Ge基底“撕开”，得柔性Ge薄膜；再进行抛光，得锗薄膜，然后与SiO2/Si晶片清洗，将清洗后的Ge薄膜与SiO2/Si晶片，利用等离子体与晶片表面进行撞击，同时对表面进行活化处理；将处理后的Ge薄膜与SiO2/Si晶片贴合；用滚压法将界面的空气充分地排出；处理后将样品预键合，随后将柔性衬底与GOI结构剥离，退火，以增强键合表面能，提高键合强度。

公开(公告)号：CN106847681A

公开(公告)日：2017-06-13

申请号：CN201710118093.1

申请日：2017-03-01

Applicant: 厦门大学

Inventor： 陈松岩 ,  柯少颖 ,  林绍铭 ,  李成 ,  黄巍

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/60 ,  C23C14/16 ,  C23C14/35

CPC classification number: H01L21/20 ,  C23C14/165 ,  C23C14/35 ,  H01L24/03

Abstract: 利用非晶锗薄膜实现低温Si‑Si键合的方法，涉及Si晶片键合方法。选择晶向为(100)的Si基底材料，清洗；先用H2SO4和H2O2的混合溶液煮沸，再用HF和H2O2的混合溶液浸泡；经处理后的Si片，先用NH4OH、H2O2和H2O的混合溶液煮沸，再用HF和H2O2的混合溶液浸泡；经处理后的Si片，先用HCL、H2O2和H2O的混合溶液煮沸，再用HF和H2O2的混合溶液浸泡；经处理后的Si片甩干后放入直流磁控溅射系统，待溅射室本底真空度小于1×10‑4Pa，向溅射室充入Ar气体；通过调节直流溅射电流和样品托转速溅射a‑Ge薄膜；利用亲水a‑Ge层实现高强度Si‑Si键合。

公开(公告)号：CN103996601A

公开(公告)日：2014-08-20

申请号：CN201410245729.5

申请日：2014-06-05

Applicant: 厦门大学

Inventor： 李成 ,  王尘 ,  陈松岩

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01L21/18 ,  H01L21/268 ,  H01L21/324

Abstract: 一种锗n+/p浅结的制备方法，涉及半导体器件。在p型Ge衬底上生长SiO2层；在制备好的SiO2/p-Ge结构上注入磷离子层，再用氢氟酸缓冲溶液中腐蚀，去掉p-Ge表面SiO2层；将处理后的样品清洗后，退火处理，再放入充满氮气的透明玻璃器皿中，进行单脉冲激光退火，得锗n+/p浅结。采用离子注入的方式作为Ge中n型掺杂的杂质来源，结合低温预退火和激光退火激活杂质形成浅结，不受杂质在Ge中固溶度的限制，激活浓度理论可达1020cm-3以上，且激光退火时间短，容易在Ge中形成浅结，在低温预退火过程既可部分修复由离子注入所带来的晶体损伤，又不会导致杂质的扩散，还可压制杂质在激光退火过程中的扩散。

公开(公告)号：CN103928562A

公开(公告)日：2014-07-16

申请号：CN201410183675.4

申请日：2014-05-04

Applicant: 厦门大学

Inventor： 黄巍 ,  魏江镔 ,  陈松岩 ,  李成

IPC: H01L31/105 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/1808 ,  H01L31/105

Abstract: 横向p-i-n结构Ge光电探测器的制备方法，涉及一种锗光电探测器。1)在衬底上外延生长单晶锗层，再在锗层上生长SiO2覆盖层；2)利用微电子光刻技术在外延单晶锗层上刻蚀出细长条的有源区台面；3)利用单晶锗层上面的SiO2覆盖层做掩蔽，通过侧向大偏角离子注入在台面两侧形成掺杂p区与掺杂n区；4)沉积金属Ni层后热退火，利用NiGe、NiSi形成时的自对准工艺在台面两侧及刻蚀区底部形成NiGe和NiSi接触电极；5)引出器件电极，保护钝化层，即得横向p-i-n结构Ge光电探测器。工艺简单，可操作性强，极具应用价值。

公开(公告)号：CN103441062A

公开(公告)日：2013-12-11

申请号：CN201310405028.9

申请日：2013-09-09

Applicant: 厦门大学

Inventor： 李成 ,  卢卫芳 ,  黄诗浩 ,  林光杨 ,  陈松岩

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  B82Y40/00

Abstract: 一种Ge组分及带宽可调控的SiGe纳米带的制备方法，涉及一种纳米材料。在SOI衬底上，用分子束外延或化学汽相沉积法生长一层Si/SiGe/Si结构，用全息激光干涉法对得到的样品曝光显影得周期在1μm以下的光栅阵列，利用ICP干法及湿法结合刻蚀图形，刻蚀深度为到达SOI衬底的埋层SiO2层；利用常规电阻式加热氧化炉对样品进行选择性氧化退火得到带宽达200nm以下的Ge组分及带宽可调控的SiGe纳米带。Ge组分及带宽可调控的SiGe纳米带是通过局部选择性氧化的方式将SOI衬底上的外延Si和SiGe进行氧化，从而减小带宽、调控Ge组份制备生成纳米尺度的半导体材料，简易、低成本、与硅传统工艺相兼容。

公开(公告)号：CN101916719B

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201010231280.9

申请日：2010-07-17

Applicant: 厦门大学

Inventor： 李成 ,  吴政 ,  赖虹凯 ,  陈松岩

IPC: H01L21/28

Abstract: 一种调节金属与N型锗肖特基接触势垒高度的方法，涉及一种调节金属与N型锗肖特基接触势垒高度的方法。提供一种调节金属与N型锗肖特基接触势垒高度的方法。将N型锗衬底进行清洗；将清洗后的N型锗衬底放入PECVD沉积二氧化硅层，再进行光刻，然后去除二氧化硅层，得到形成沉积金属窗口的N型锗衬底；将处理后的N型锗衬底放入磁控溅射机中，先在N型锗衬底正面沉积TaN层，然后在TaN层上沉积单质金属层，再采用剥离工艺获得金属/TaN/n-Ge接触。是一种简易、低成本、与微电子工艺兼容的可调节金属/n-Ge肖特基接触势垒高度的新方法。

公开(公告)号：CN101916719A

公开(公告)日：2010-12-15

申请号：CN201010231280.9

申请日：2010-07-17

Applicant: 厦门大学

Inventor： 李成 ,  吴政 ,  赖虹凯 ,  陈松岩

IPC: H01L21/28

Abstract: 一种调节金属与N型锗肖特基接触势垒高度的方法，涉及一种调节金属与N型锗肖特基接触势垒高度的方法。提供一种调节金属与N型锗肖特基接触势垒高度的方法。将N型锗衬底进行清洗；将清洗后的N型锗衬底放入PECVD沉积二氧化硅层，再进行光刻，然后去除二氧化硅层，得到形成沉积金属窗口的N型锗衬底；将处理后的N型锗衬底放入磁控溅射机中，先在N型锗衬底正面沉积TaN层，然后在TaN层上沉积单质金属层，再采用剥离工艺获得金属/TaN/n-Ge接触。是一种简易、低成本、与微电子工艺兼容的可调节金属/n-Ge肖特基接触势垒高度的新方法。

公开(公告)号：CN101246943B

公开(公告)日：2010-10-13

申请号：CN200810070671.X

申请日：2008-02-27

Applicant: 厦门大学

Inventor： 陈松岩 ,  周笔 ,  潘书万 ,  李成 ,  赖虹凯

IPC: H01L33/00 ,  C25F3/12 ,  C09K11/59

Abstract: 一种Si基微纳发光材料的制备方法，涉及一种Si基微纳发光材料，尤其是涉及一种利用薄膜外延技术与电化学腐蚀相结合来制备多层Si基微纳发光材料的方法。提供一种具有三维量子限制的多层异质，实现室温高效发光的Si基微纳发光材料的制备方法。在硅衬底上外延生长Si/Si1-xGex(0＜x＜1)或Sim/Gen多层薄膜材料(其中m，n表示对应材料的原子层数，m≤30，n≤15)；在生长后的样品背面溅射金属电极；用腐蚀溶液对薄膜材料进行电化学腐蚀；腐蚀后的样品经冲洗，烘氮气吹干或烘干，即得目标产物。

公开(公告)号：CN101246943A

公开(公告)日：2008-08-20

申请号：CN200810070671.X

申请日：2008-02-27

Applicant: 厦门大学

Inventor： 陈松岩 ,  周笔 ,  潘书万 ,  李成 ,  赖虹凯

IPC: H01L33/00 ,  C25F3/12 ,  C09K11/59

Abstract: 一种Si基微纳发光材料的制备方法，涉及一种Si基微纳发光材料，尤其是涉及一种利用薄膜外延技术与电化学腐蚀相结合来制备多层Si基微纳发光材料的方法。提供一种具有三维量子限制的多层异质，实现室温高效发光的Si基微纳发光材料的制备方法。在硅衬底上外延生长Si/Si1－xGex(0＜x＜1)或Sim/Gen多层薄膜材料(其中m，n表示对应材料的原子层数，m≤30，n≤15)；在生长后的样品背面溅射金属电极；用腐蚀溶液对薄膜材料进行电化学腐蚀；腐蚀后的样品经冲洗，烘氮气吹干或烘干，即得目标产物。

公开(公告)号：CN117790289A

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN202311851710.0

申请日：2023-12-29

Applicant: 厦门大学

Inventor： 陈松岩 ,  焦金龙 ,  纪若昀 ,  李成 ,  黄巍 ,  林光杨

IPC: H01L21/18 ,  H01L21/683

Abstract: 一种提高Si/InGaAs键合界面热稳定性的键合方法。采用MOCVD在Si衬底上外延单晶In1‑xGaxAs缓冲层，通过低温键合获得Si基InGaAs薄膜，最后通过高温退火修复薄膜晶体质量及键合界面，实现具有高质量及超高热稳定性的Si基InGaAs薄膜制备。通过在Si衬底上外延生长In1‑xGaxAs作为键合中间层，将键合界面由InGaAs、Si异质界面转变为InGaAs、In1‑xGaxAs界面，缓解异质键合界面在高温下由于异质材料之间的热失配产生的巨大应力，因此键合界面的稳定性得到提升。制备的Si基InGaAs薄膜在高温下的稳定性较高，外延缓冲层有效的缓解异质材料之间热失配产生的应力。