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公开(公告)号：CN104867814B
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201510200903.9
申请日：2015-04-24
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L21/02
Abstract: Ge薄膜键合制备绝缘层上锗的方法，涉及绝缘层上锗。对Ge片进行离子注入，形成缺陷平面；用光固化胶将PDMS与处理后的Ge片绑定；在处理后的柔性支撑衬底上施加平行于剥离平面的剪切力，将表面Ge薄膜沿着缺陷平面与体Ge基底“撕开”，得柔性Ge薄膜；再进行抛光，得锗薄膜，然后与SiO2/Si晶片清洗，将清洗后的Ge薄膜与SiO2/Si晶片，利用等离子体与晶片表面进行撞击，同时对表面进行活化处理；将处理后的Ge薄膜与SiO2/Si晶片贴合；用滚压法将界面的空气充分地排出；处理后将样品预键合，随后将柔性衬底与GOI结构剥离，退火，以增强键合表面能，提高键合强度。
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公开(公告)号：CN108666425A
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：CN201810510458.X
申请日：2018-05-24
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种柔性可弯曲杂化太阳能电池的制备方法，对n型Si片预处理，再进行金属辅助腐蚀处理，在n型Si片表面腐蚀出纳米线阵列；将处理后的n型Si片泡入甲醛溶液中浸泡，在Si纳米线表面引入Methacrylate基团；在处理后的Si纳米线表面滴涂液态单体，利用真空负压将单体灌入Si纳米线阵列中，并加热固化；将处理后的Si基片放入KOH溶液中浸泡；在处理后的Si基片与薄膜间施加一个切向力；对处理后获得的嵌套Si纳米线的聚合物薄膜进行等离子刻蚀；在处理后的薄膜一面旋涂上PEDOT:PSS，薄膜另一面蒸镀上铝作为背电极，最后利用掩膜版在PEDOT:PSS表面蒸镀上银栅电极，作表面电极。
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公开(公告)号：CN103413787A
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN201310383280.4
申请日：2013-08-29
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L21/8247
Abstract: 台阶状氧化层Au/SiO2/Si纳米柱存储器件的制备方法，涉及半导体存储器。通过电子束光刻方法在Si衬底上刻蚀出凹槽阵列，形成非平面台阶状结构；将刻蚀后的Si片标准清洗后，采用干法氧化方法，在凹槽阵列的Si衬底上氧化一层致密的SiO2作为存储器的电子隧穿层；在台阶状的表面覆盖有SiO2薄层的样品上溅射Au层，采用快速热退火方法使Au层团聚形成Au量子点；以Au量子点为掩膜版，采用高能Ar离子刻蚀方法刻蚀得到Au/SiO2/Si纳米柱结构；采用电子束蒸发工艺在Au/SiO2/Si纳米柱结构的基础上沉积高k介质层，最后蒸镀金属上电极和下电极，获得台阶状氧化层Au/SiO2/Si纳米柱存储器件。
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公开(公告)号：CN103413788A
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN201310383471.0
申请日：2013-08-29
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L21/8247 , B82Y10/00
Abstract: 非平面金属纳米晶多位存储器件的制备方法，涉及一种金属纳米晶存储器。1）通过电子束光刻方法在Si衬底上刻蚀出凹槽阵列，形成非平面台阶状的结构；2）将刻蚀后的Si衬底经过标准清洗后，采用干法氧化方法，在非平面的Si衬底上氧化一层致密的SiO2薄层作为存储器的电子隧穿层；3）将步骤2）得到的表面覆盖有SiO2薄层的非平面Si衬底上溅射Au层，采用快速热退火方法使Au层团聚形成Au纳米颗粒；4）采用电子束蒸发工艺在步骤3）获得的Au纳米颗粒上沉积高k介质层，最后蒸镀上电极和下电极，获得非平面金属纳米晶多位存储器件。只需要一步刻蚀技术、过程简单、重复性好。
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公开(公告)号：CN108666425B
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201810510458.X
申请日：2018-05-24
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种柔性可弯曲杂化太阳能电池的制备方法，对n型Si片预处理，再进行金属辅助腐蚀处理，在n型Si片表面腐蚀出纳米线阵列；将处理后的n型Si片泡入甲醛溶液中浸泡，在Si纳米线表面引入Methacrylate基团；在处理后的Si纳米线表面滴涂液态单体，利用真空负压将单体灌入Si纳米线阵列中，并加热固化；将处理后的Si基片放入KOH溶液中浸泡；在处理后的Si基片与薄膜间施加一个切向力；对处理后获得的嵌套Si纳米线的聚合物薄膜进行等离子刻蚀；在处理后的薄膜一面旋涂上PEDOT:PSS，薄膜另一面蒸镀上铝作为背电极，最后利用掩膜版在PEDOT:PSS表面蒸镀上银栅电极，作表面电极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103413787B
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：CN201310383280.4
申请日：2013-08-29
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L21/8247
Abstract: 台阶状氧化层Au/SiO2/Si纳米柱存储器件的制备方法，涉及半导体存储器。通过电子束光刻方法在Si衬底上刻蚀出凹槽阵列，形成非平面台阶状结构；将刻蚀后的Si片标准清洗后，采用干法氧化方法，在凹槽阵列的Si衬底上氧化一层致密的SiO2作为存储器的电子隧穿层；在台阶状的表面覆盖有SiO2薄层的样品上溅射Au层，采用快速热退火方法使Au层团聚形成Au量子点；以Au量子点为掩膜版，采用高能Ar离子刻蚀方法刻蚀得到Au/SiO2/Si纳米柱结构；采用电子束蒸发工艺在Au/SiO2/Si纳米柱结构的基础上沉积高k介质层，最后蒸镀金属上电极和下电极，获得台阶状氧化层Au/SiO2/Si纳米柱存储器件。
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公开(公告)号：CN103413788B
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201310383471.0
申请日：2013-08-29
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L21/8247 , B82Y10/00
Abstract: 非平面金属纳米晶多位存储器件的制备方法，涉及一种金属纳米晶存储器。1）通过电子束光刻方法在Si衬底上刻蚀出凹槽阵列，形成非平面台阶状的结构；2）将刻蚀后的Si衬底经过标准清洗后，采用干法氧化方法，在非平面的Si衬底上氧化一层致密的SiO2薄层作为存储器的电子隧穿层；3）将步骤2）得到的表面覆盖有SiO2薄层的非平面Si衬底上溅射Au层，采用快速热退火方法使Au层团聚形成Au纳米颗粒；4）采用电子束蒸发工艺在步骤3）获得的Au纳米颗粒上沉积高k介质层，最后蒸镀上电极和下电极，获得非平面金属纳米晶多位存储器件。只需要一步刻蚀技术、过程简单、重复性好。
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公开(公告)号：CN104867814A
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201510200903.9
申请日：2015-04-24
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/02532 , H01L21/0257 , H01L21/02656 , H01L21/02661
Abstract: Ge薄膜键合制备绝缘层上锗的方法，涉及绝缘层上锗。对Ge片进行离子注入，形成缺陷平面；用光固化胶将PDMS与处理后的Ge片绑定；在处理后的柔性支撑衬底上施加平行于剥离平面的剪切力，将表面Ge薄膜沿着缺陷平面与体Ge基底“撕开”，得柔性Ge薄膜；再进行抛光，得锗薄膜，然后与SiO2/Si晶片清洗，将清洗后的Ge薄膜与SiO2/Si晶片，利用等离子体与晶片表面进行撞击，同时对表面进行活化处理；将处理后的Ge薄膜与SiO2/Si晶片贴合；用滚压法将界面的空气充分地排出；处理后将样品预键合，随后将柔性衬底与GOI结构剥离，退火，以增强键合表面能，提高键合强度。
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公开(公告)号：CN103132077A
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201310074218.7
申请日：2013-03-08
Applicant: 厦门大学
Abstract: 基于SiGe量子点模板刻蚀技术制备锗硅纳米柱的方法，涉及一种SiGe纳米结构。提供一种大面积、纵向方向可控的、侧壁陡直度高的基于SiGe量子点模板刻蚀技术制备锗硅纳米柱的方法。1）将硅片清洗后，在UHV/CVD系统中，在硅片上生长Ge层；2）将步骤1）制备得到的样品置于氮气氛围中，采用KrF脉冲激光对样品进行辐照，得到直径不同的单层SiGe量子点；3）以步骤2）得到的单层SiGe量子点作为掩膜版，使用高能Ar+进行刻蚀，最终获得锗硅纳米柱。制作过程简单、重复性好。可对传统相关产业产生示范作用。
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公开(公告)号：CN205723580U
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201620411546.0
申请日：2016-05-09
Applicant: 厦门市计量检定测试院 , 厦门大学
IPC: H01L31/105 , H01L31/0232 , H01L31/0288
Abstract: 本实用新型公开了一种Si基Ge混合型波导光电探测器，包括波导和锗探测器；所述的波导与锗探测器耦合；所述的波导采用大截面SOI脊型波导，锗探测器采用PIN结构。由于本实用新型采用大截面的SOI脊型波导，以减少光纤和波导的耦合损耗，入射光既能通过端面直接耦合到Ge器件，又能通过垂直耦合从SOI波导耦合到Ge，以提高耦合效率，锗探测器采用PIN结构，在硅层以及锗层的顶端有不同性质的参杂，以形成一个垂直的P‑I‑N结。
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