-
公开(公告)号：CN1039506A
公开(公告)日：1990-02-07
申请号：CN89106221.1
申请日：1989-07-23
Applicant: 厦门大学
IPC: H01M4/86
CPC classification number: H01M4/86
Abstract: 本发明涉及一种电极。它根据气体扩散多孔电极的不平整液膜模型理论，提供一种减少催化层三相界面上液膜厚度，改善气体反应物扩散穿过液膜过程从而提高电极性能的缺水型气体扩散多孔电极。它除通常用的防水层、催化层、导电网外还设有电液控制层。本发明在少用甚至不用贵重金属催化剂的条件下，可显著提高在中、大电流密度负荷下的电极性能。适于使用各种类型催化剂和介质的气体扩散电极的各种系列燃料电池。
-
公开(公告)号：CN1037591A
公开(公告)日：1989-11-29
申请号：CN89102556.1
申请日：1989-04-17
Applicant: 厦门大学
IPC: G01N27/42
Abstract: 本发明涉及应用电解检测电化学变量的装置。它提供一种薄层型、六电极的流动体系库仑检测器，其上池体装有两个工作电极和两个参比电极，下池体装有两个辅助电极，上、下池体之间有离子交换隔膜。隔膜与上、下池体之间分别有一块垫片。工作电极与辅助电极完全面对面放置。该库仑检测器只需电解物质的20～30％，即可得出物质完全电解的总电解电量值，实现定量的目的，同时定量结果与温度、试液流速等因素无关，其结构简单，实用。
-
-
公开(公告)号：CN1003142B
公开(公告)日：1989-01-25
申请号：CN85102998
申请日：1985-04-01
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明是关于离子色谱的重要部件，它由两张离子交换树脂膜和夹在其中的抑制室及阳极室和阴极室组成。根据电渗析原理，在电场和膜的共同作用下，离子作定向迂移，选择性地通过离子交换树脂膜除去洗脱液中的高电导的离子，使洗脱液转化为低电导的物质。采用这样的抑制柱，柱体可长期连续使用，无需再生，无需推动再生液的动力装置以及耐高压的密封装置，简化工艺，缩小体积，降低造价。
-
公开(公告)号：CN103325674B
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201310195128.3
申请日：2013-05-23
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L21/3063 , B81C1/00 , C25F3/12
Abstract: 本发明提供了一种复杂三维多级微纳结构的约束刻蚀加工方法，可在具有简单微结构的弹性模板电极上原位屈曲产生复杂多级微纳结构，同时利用约束刻蚀技术将其屈曲得到的复杂多级微纳结构批量复制到基底材料上。所述方法包括：弹性模板电极简单微结构的设计与制备，以使具有简单微结构的模板电极在屈曲时产生所需的复杂三维多级微纳结构；模板电极上应力屈曲的产生及其控制，以使模板电极可控地产生屈曲形变；屈曲结构的复制，利用约束刻蚀技术使模板电极上屈曲得到的多级微纳结构直接复制到刻蚀基底上。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103325674A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201310195128.3
申请日：2013-05-23
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L21/3063 , B81C1/00 , C25F3/12
Abstract: 本发明提供了一种复杂三维多级微纳结构的约束刻蚀加工方法，可在具有简单微结构的弹性模板电极上原位屈曲产生复杂多级微纳结构，同时利用约束刻蚀技术将其屈曲得到的复杂多级微纳结构批量复制到基底材料上。所述方法包括：弹性模板电极简单微结构的设计与制备，以使具有简单微结构的模板电极在屈曲时产生所需的复杂三维多级微纳结构；模板电极上应力屈曲的产生及其控制，以使模板电极可控地产生屈曲形变；屈曲结构的复制，利用约束刻蚀技术使模板电极上屈曲得到的多级微纳结构直接复制到刻蚀基底上。
-
公开(公告)号：CN101880907A
公开(公告)日：2010-11-10
申请号：CN201010219037.5
申请日：2010-07-07
Applicant: 厦门大学
IPC: C25F3/12 , H01L21/3063
CPC classification number: C25F3/14 , C03C15/02 , C25F3/00 , C25F3/12 , C25F7/00 , H01L21/02024 , H01L21/30604 , H01L21/30612 , H01L21/32115 , H01L21/7684
Abstract: 纳米精度的电化学整平和抛光加工方法及其装置，涉及一种电化学刻蚀整平和抛光技术。装置设有具有纳米平整精度的刀具、可将刻蚀整平剂液层厚度精确控制在纳米尺度内的电化学反应控制体系、溶液循环装置、溶液恒温装置和自动化控制系统。制备具有纳米平整精度的刀具作为电化学工作电极，并与工件置于容器底部；刀具浸入溶液，启动电化学系统，在刀具表面生成刻蚀整平剂，将刀具表面刻蚀整平剂液层压缩至纳米量级厚度，再调控刻蚀整平剂液层厚度；驱动三维微驱动装置，将刀具不断地向工件逼近，调控工件表面与刀具之间的距离和平行度；将刀具向工件表面移动，使刀具表面的约束刻蚀整平剂液层与工件表面接触，直至整个工件表面被刻蚀整平和抛光完毕。
-
公开(公告)号：CN100501936C
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200710008742.9
申请日：2007-03-23
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L21/3063 , B81C1/00
Abstract: p型硅表面微结构的电化学加工方法，涉及一种硅表面的加工。提供一种低成本、加工步骤简单且无需掩模光刻等复杂工艺，并可一次性在P型硅表面直接刻蚀加工微结构的新型电化学加工方法。包括以下步骤：将原始母版上的微结构转移至琼脂糖表面后浸泡于电解液中得存储有电解液的琼脂糖凝胶模板；再置于电解池中，将具有微结构的部分暴露于液面上；P型硅片经前处理后在背面溅射Pt层，形成欧姆接触，再将抛光面置于琼脂糖凝胶模板表面，将P型硅片作为工作电极，对P型硅片进行电化学抛光微加工，将琼脂糖凝胶模板上的微结构通过电化学抛光微加工转移至P型硅片表面得具有微结构的P型硅片后将具有微结构的P型硅片与琼脂糖两者分离。
-
公开(公告)号：CN100490033C
公开(公告)日：2009-05-20
申请号：CN200610087625.1
申请日：2006-06-05
Applicant: 厦门大学
CPC classification number: H01G9/058 , H01G9/038 , H01G9/155 , H01G11/02 , H01G11/12 , H01G11/26 , H01G11/58 , Y02E60/13
Abstract: 基于液相中的电化学活性物质的超级电容器，涉及一种超级电容器，提供一种基于液相中以多孔电极内外表面附近的薄液层中电化学活性物质的电极反应为主要能量存储方式的超级电容器。设有至少一单元的正负电极集流体、正负电极室和隔离膜。正负电极室为多孔电极，孔内浸吸充满不流动的正负电极液体，正负电极液体中含有至少一种正负电极电化学活性物质，其电化学氧化还原反应主要发生在正负电极内表面。功率密度高，电化学赝电容大，具有较高的单次充放电能量密度。循环性能优异，寿命长，可作为混合动力型电动车回收制动能量和提供启动加速能量的理想配套电源等。
-
公开(公告)号：CN101382555A
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200810071832.7
申请日：2008-09-19
Applicant: 厦门大学
Abstract: 玻璃微流控芯片的制备方法，涉及一种微流控芯片。提供一种新的玻璃微流控芯片的制备方法。将在具有微凹槽结构的原始母版上的微结构转移至凝胶表面，浸于电解液中得凝胶模板；将凝胶模板置于电解池中，使具有微结构的部分暴露于液面上；在空白玻璃基片的抛光面依次溅射铬层和金层作为牺牲层，得具有金/铬牺牲层的玻璃基片，再置于凝胶模板表面，金/铬牺牲层作为工作电极，对金/铬牺牲层进行电化学刻蚀即得牺牲层上具有微通道图形的玻璃基片，再放入氢氟酸腐蚀液中湿法刻蚀，至所需深度，用王水、除铬液去除玻璃基片表面的金/铬牺牲层，得具有微凹槽结构的玻璃基片；将具有微凹槽结构的玻璃基片与另一玻璃盖片进行键合，即得玻璃微流控芯片。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
63
records
(took 0.022 seconds)
