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公开(公告)号：CN101271842A
公开(公告)日：2008-09-24
申请号：CN200710008742.9
申请日：2007-03-23
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L21/3063 , B81C1/00
Abstract: P型硅表面微结构的电化学加工方法，涉及一种硅表面的加工。提供一种低成本、加工步骤简单且无需掩模光刻等复杂工艺，并可一次性在P型硅表面直接刻蚀加工微结构的新型电化学加工方法。包括以下步骤：将原始母版上的微结构转移至琼脂糖表面后浸泡于电解液中得存储有电解液的琼脂糖凝胶模板；再置于电解池中，将具有微结构的部分暴露于液面上；P型硅片经前处理后在背面溅射Pt层，形成欧姆接触，再将抛光面置于琼脂糖凝胶模板表面，将P型硅片作为工作电极，对P型硅片进行电化学抛光微加工，将琼脂糖凝胶模板上的微结构通过电化学抛光微加工转移至P型硅片表面得具有微结构的P型硅片后将具有微结构的P型硅片与琼脂糖两者分离。
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公开(公告)号：CN101880907B
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN201010219037.5
申请日：2010-07-07
Applicant: 厦门大学
IPC: C25F3/12 , H01L21/3063
CPC classification number: C25F3/14 , C03C15/02 , C25F3/00 , C25F3/12 , C25F7/00 , H01L21/02024 , H01L21/30604 , H01L21/30612 , H01L21/32115 , H01L21/7684
Abstract: 纳米精度的电化学整平和抛光加工方法及其装置，涉及一种电化学刻蚀整平和抛光技术。装置设有具有纳米平整精度的刀具、可将刻蚀整平剂液层厚度精确控制在纳米尺度内的电化学反应控制体系、溶液循环装置、溶液恒温装置和自动化控制系统。制备具有纳米平整精度的刀具作为电化学工作电极，并与工件置于容器底部；刀具浸入溶液，启动电化学系统，在刀具表面生成刻蚀整平剂，将刀具表面刻蚀整平剂液层压缩至纳米量级厚度，再调控刻蚀整平剂液层厚度；驱动三维微驱动装置，将刀具不断地向工件逼近，调控工件表面与刀具之间的距离和平行度；将刀具向工件表面移动，使刀具表面的约束刻蚀整平剂液层与工件表面接触，直至整个工件表面被刻蚀整平和抛光完毕。
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公开(公告)号：CN100564241C
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：CN200710008512.2
申请日：2007-01-30
Applicant: 厦门大学
Abstract: GaAs上微/纳光学元件制备方法，涉及一种微/纳光学元件。提供一种低成本、方法简单且无需掩模光刻等复杂工艺，并可一次性在半导体GaAs材料表面直接刻蚀加工微/纳光学阵列元件的制备方法。用具有微/纳光学阵列的石英为原始母版，将石英微/纳光学元件上的浮雕结构精确复制到高分子材料表面，并依次溅射Ti层和Pt层，表面金属化得模板电极；将模板电极作为工作电极，调节模板电极与被加工工件GaAs片平行；将电化学刻蚀溶液加入电解池，在模板电极上产生刻蚀剂，利用刻蚀溶液中的约束剂将刻蚀剂层厚度压缩至微米级或者纳米级厚度；控制GaAs片向模板电极表面移动，直至模板电极上的结构全部复制于被加工工件表面，控制两者分离。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101880907A
公开(公告)日：2010-11-10
申请号：CN201010219037.5
申请日：2010-07-07
Applicant: 厦门大学
IPC: C25F3/12 , H01L21/3063
CPC classification number: C25F3/14 , C03C15/02 , C25F3/00 , C25F3/12 , C25F7/00 , H01L21/02024 , H01L21/30604 , H01L21/30612 , H01L21/32115 , H01L21/7684
Abstract: 纳米精度的电化学整平和抛光加工方法及其装置，涉及一种电化学刻蚀整平和抛光技术。装置设有具有纳米平整精度的刀具、可将刻蚀整平剂液层厚度精确控制在纳米尺度内的电化学反应控制体系、溶液循环装置、溶液恒温装置和自动化控制系统。制备具有纳米平整精度的刀具作为电化学工作电极，并与工件置于容器底部；刀具浸入溶液，启动电化学系统，在刀具表面生成刻蚀整平剂，将刀具表面刻蚀整平剂液层压缩至纳米量级厚度，再调控刻蚀整平剂液层厚度；驱动三维微驱动装置，将刀具不断地向工件逼近，调控工件表面与刀具之间的距离和平行度；将刀具向工件表面移动，使刀具表面的约束刻蚀整平剂液层与工件表面接触，直至整个工件表面被刻蚀整平和抛光完毕。
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公开(公告)号：CN100501936C
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200710008742.9
申请日：2007-03-23
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L21/3063 , B81C1/00
Abstract: p型硅表面微结构的电化学加工方法，涉及一种硅表面的加工。提供一种低成本、加工步骤简单且无需掩模光刻等复杂工艺，并可一次性在P型硅表面直接刻蚀加工微结构的新型电化学加工方法。包括以下步骤：将原始母版上的微结构转移至琼脂糖表面后浸泡于电解液中得存储有电解液的琼脂糖凝胶模板；再置于电解池中，将具有微结构的部分暴露于液面上；P型硅片经前处理后在背面溅射Pt层，形成欧姆接触，再将抛光面置于琼脂糖凝胶模板表面，将P型硅片作为工作电极，对P型硅片进行电化学抛光微加工，将琼脂糖凝胶模板上的微结构通过电化学抛光微加工转移至P型硅片表面得具有微结构的P型硅片后将具有微结构的P型硅片与琼脂糖两者分离。
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公开(公告)号：CN101382555A
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200810071832.7
申请日：2008-09-19
Applicant: 厦门大学
Abstract: 玻璃微流控芯片的制备方法，涉及一种微流控芯片。提供一种新的玻璃微流控芯片的制备方法。将在具有微凹槽结构的原始母版上的微结构转移至凝胶表面，浸于电解液中得凝胶模板；将凝胶模板置于电解池中，使具有微结构的部分暴露于液面上；在空白玻璃基片的抛光面依次溅射铬层和金层作为牺牲层，得具有金/铬牺牲层的玻璃基片，再置于凝胶模板表面，金/铬牺牲层作为工作电极，对金/铬牺牲层进行电化学刻蚀即得牺牲层上具有微通道图形的玻璃基片，再放入氢氟酸腐蚀液中湿法刻蚀，至所需深度，用王水、除铬液去除玻璃基片表面的金/铬牺牲层，得具有微凹槽结构的玻璃基片；将具有微凹槽结构的玻璃基片与另一玻璃盖片进行键合，即得玻璃微流控芯片。
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公开(公告)号：CN101275260A
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200710144095.4
申请日：2007-12-20
Applicant: 厦门大学
IPC: C25D7/12 , C25D5/02 , H01L21/445
Abstract: N型硅表面区域选择性电化学沉积铜微结构的制备方法，涉及一种硅表面的微加工技术。提供一种低成本、加工步骤简单、加工速度快且无需掩模光刻等复杂工艺，并可一次性在n型硅表面直接生长金属微结构的N型硅表面区域选择性电化学沉积铜微结构的制备方法。将原始母版上的微结构转移至琼脂糖表面，浸泡在铜镀液中得琼脂糖凝胶模板；再将其下部浸没在电解池中使模板微结构部分暴露于铜镀液液面上；在n型硅片背面溅射Ti/Au层形成欧姆结；将溅射Ti/Au层的n型硅片的抛光面正置于模板的微结构面，将n型硅片作为工作电极，在n型硅片上生长铜微结构；将已生长铜微结构的n型硅片与存储有铜镀液的琼脂糖凝胶模板分离。
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公开(公告)号：CN101234744A
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：CN200710008512.2
申请日：2007-01-30
Applicant: 厦门大学
Abstract: GaAs上微/纳光学元件制备方法，涉及一种微/纳光学元件。提供一种低成本、方法简单且无需掩模光刻等复杂工艺，并可一次性在半导体GaAs材料表面直接刻蚀加工微/纳光学阵列元件的制备方法。用具有微/纳光学阵列的石英为原始母版，将石英微/纳光学元件上的浮雕结构精确复制到高分子材料表面，并依次溅射Ti层和Pt层，表面金属化得模板电极；将模板电极作为工作电极，调节模板电极与被加工工件GaAs片平行；将电化学刻蚀溶液加入电解池，在模板电极上产生刻蚀剂，利用刻蚀溶液中的约束剂将刻蚀剂层厚度压缩至微米级或者纳米级厚度；控制GaAs片向模板电极表面移动，直至模板电极上的结构全部复制于被加工工件表面，控制两者分离。
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