公开(公告)号：CN104051414A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201310241836.6

申请日：2013-06-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡纾婷 ,  杨敦年 ,  王铨中 ,  刘人诚 ,  洪丰基 ,  许慈轩 ,  陈愉婷 ,  林政贤 ,  蔡双吉

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明涉及互连结构和方法，提供了一种半导体器件包括第一半导体芯片和第二半导体芯片，其中，第一半导体芯片包括第一衬底和形成在第一衬底上方的多个第一金属线；第二半导体芯片接合在第一半导体芯片上，其中，第二半导体芯片包括第二衬底和形成在第二衬底上方的多个第二金属线。半导体器件进一步包括连接在第一金属线和第二金属线之间的导电塞，其中，导电塞包括形成在硬掩膜层的第一侧面上方的第一部分和形成在硬掩膜层的第二侧面上方的第二部分，其中，第一部分具有第一宽度；第二部分具有第二宽度，且第二宽度大于或等于第一宽度。

公开(公告)号：CN103426893A

公开(公告)日：2013-12-04

申请号：CN201310058918.7

申请日：2013-02-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡双吉 ,  杨敦年 ,  刘人诚 ,  林政贤 ,  洪丰基

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/1464 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14687

Abstract: 本发明涉及一种器件，该器件包括具有正面和背面的半导体衬底。多个图像传感器设置在该半导体衬底的正面上。多个清色滤色器设置在该半导体衬底的背面上。多个金属环围绕多个清色滤色器。本发明还提供了一种具有分离的滤色器的BSI图像传感器芯片及其形成方法。