公开(公告)号：CN114388539A

公开(公告)日：2022-04-22

申请号：CN202110409110.3

申请日：2021-04-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 周耕宇 ,  庄君豪 ,  刘人诚 ,  桥本一明 ,  陈铭恩 ,  丁世汎 ,  蔡双吉 ,  江伟杰

IPC: H01L27/146

Abstract: 本发明涉及集成芯片。集成芯片包括设置在衬底内的图像感测元件。栅极结构沿着衬底的前侧设置。衬底的背侧包括一个或多个第一成角度的表面，该一个或多个第一成角度的表面限定设置在图像感测元件上方的中心扩散器。衬底的背侧还包括第二成角度的表面，该第二成角度的表面限定横向地围绕中心扩散器的多个外围扩散器。多个外围扩散器的尺寸小于中心扩散器的尺寸。本发明的实施例涉及集成芯片的形成方法。

公开(公告)号：CN107482028A

公开(公告)日：2017-12-15

申请号：CN201710859812.5

申请日：2012-08-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡双吉 ,  杨敦年 ,  刘人诚 ,  洪丰基 ,  林政贤 ,  王文德

IPC: H01L27/146

Abstract: 本发明公开了降低串扰和提高量子效率的图像传感器结构，其中，一种半导体器件包括：衬底，包括结合光电二极管的像素区域；栅格，设置在衬底上方并具有限定与像素区域垂直对准的腔的壁；滤色器材料，设置在栅格的壁之间的腔中。

公开(公告)号：CN104051478B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201310422086.2

申请日：2013-09-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡双吉 ,  杨敦年 ,  刘人诚 ,  洪丰基 ,  林政贤 ,  庄俊杰 ,  高敏峰

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/1464 ,  H01L27/14692

Abstract: 本发明公开了一种制造图像传感器件（诸如BSI图像传感器）的方法和用此方法制造的图像传感器，其中，防止了BARC层中的电荷被金属屏蔽接地件中的相反电荷不期望的中和，从而减少暗电流并且提高器件的性能。图像传感器包括具有在与其正面相邻处形成的多个辐射传感器的衬底、形成在衬底背面上方的第一绝缘层、形成在第一绝缘层上方的BARC层、设置在BARC层上方的金属栅格、从金属栅格延伸进入衬底内以实现接地目的的一个或多个金属接地件以及设置在每一个金属接地件的侧壁与周围的BARC层之间的侧壁绝缘层。侧壁绝缘层使金属接地件与周围的BARC层电隔离。

公开(公告)号：CN102790058B

公开(公告)日：2016-01-13

申请号：CN201210005717.6

申请日：2012-01-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡双吉 ,  杨敦年 ,  刘人诚 ,  林政贤 ,  王文德 ,  林月秋

IPC: H01L27/146 ,  H01L29/40

CPC classification number: H01L23/5226 ,  H01L21/76898 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14689 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体器件，包括：器件衬底，具有正面和背面。该半导体器件还包括互连结构，设置在器件衬底的正面上，互连结构具有n层金属层。该半导体器件还包括接合焊盘，设置在器件衬底的背面上，该接合焊盘延伸穿过互连结构，并且直接接触n层金属层的第n层金属层。本发明还提供一种带有接合焊盘的半导体器件及其制造方法。

公开(公告)号：CN103378112A

公开(公告)日：2013-10-30

申请号：CN201210536910.2

申请日：2012-12-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林政贤 ,  杨敦年 ,  刘人诚 ,  洪丰基 ,  蔡双吉

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14685 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14629 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14689

Abstract: 提供了减少光敏二极管之间的串扰的系统和方法。在实施例中，第一滤色器在第一光敏二极管上方形成而第二滤色器在第二光敏二极管上方形成，间隙在第一滤色器和第二滤色器之间形成。间隙将起到反射光的作用，否则光将从第一滤色器跨越到第二滤色器，从而减少第一光敏二极管和第二光敏二极管之间的串扰。也可以在第一光敏二极管和第二光敏二极管之间形成反射栅格以协助反射并进一步减少串扰量。本发明还提供了图像传感器器件和方法。

公开(公告)号：CN102867832A

公开(公告)日：2013-01-09

申请号：CN201210010832.2

申请日：2012-01-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡双吉 ,  杨敦年 ,  林政贤 ,  刘人诚 ,  王文德 ,  林月秋

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/0362 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05096 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05555 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了半导体结构的一个实施例。该半导体结构包括具有正面和背面的器件衬底、被设置在该器件衬底正面上的互连结构、以及与该互连结构相连接的接合焊盘。接合焊盘包括位于介电材料层中的凹陷区域、介于凹陷区域之间的介电材料层的介电台、以及被设置在凹陷区域中和介电台上的金属层。本发明还提供了一种具有接合焊盘结构的背照式传感器及其制造方法。

公开(公告)号：CN109273476A

公开(公告)日：2019-01-25

申请号：CN201811250894.4

申请日：2014-01-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 高敏峰 ,  杨敦年 ,  刘人诚 ,  洪丰基 ,  蔡双吉 ,  林政贤 ,  庄俊杰

IPC: H01L27/146

Abstract: 本发明涉及具有改进的暗电流性能的图像传感器。本发明提供了一种半导体图像传感器件。该图像传感器包括：具有第一侧和与第一侧相对的第二侧的半导体衬底。半导体衬底包括被配置为感测从第二侧投射向衬底的辐射的辐射感测区域。第一层设置在半导体衬底的第二侧上方。第一层具有第一能带隙。第二层设置在第一层上方。第二层具有第二能带隙。第三层设置在第二层上方。第三层具有第三能带隙。第二能带隙小于第一能带隙和第三能带隙。

公开(公告)号：CN103390625B

公开(公告)日：2016-03-23

申请号：CN201210519818.5

申请日：2012-12-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 庄俊杰 ,  杨敦年 ,  刘人诚 ,  王文德 ,  周耕宇 ,  蔡双吉 ,  高敏峰

IPC: H01L27/146

Abstract: 本发明公开了用于BSI图像传感器的背面结构和方法。在实施例中，提供衬底，该衬底具有传感器阵列区和外围区并且具有正面和背面；在背面上方形成底部抗反射涂层(BARC)至第一厚度，其位于传感器阵列区和外围区上方；在BARC上方形成第一介电层；形成金属覆盖物；从传感器阵列区上方选择性去除金属覆盖物；从传感器阵列区上方选择性去除第一介电层，其中，在选择性去除第一介电层的过程中还去除一部分第一厚度的BARC并且保留第一厚度BARC的剩余物；在BARC的剩余物上方和金属覆盖物上方形成第二介电层；以及在第二介电层上方形成钝化层。

公开(公告)号：CN104051481A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201410006926.1

申请日：2014-01-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 高敏峰 ,  杨敦年 ,  刘人诚 ,  洪丰基 ,  蔡双吉 ,  林政贤 ,  庄俊杰

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/1464 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14685

Abstract: 本发明涉及具有改进的暗电流性能的图像传感器。本发明提供了一种半导体图像传感器件。该图像传感器包括：具有第一侧和与第一侧相对的第二侧的半导体衬底。半导体衬底包括被配置为感测从第二侧投射向衬底的辐射的辐射感测区域。第一层设置在半导体衬底的第二侧上方。第一层具有第一能带隙。第二层设置在第一层上方。第二层具有第二能带隙。第三层设置在第二层上方。第三层具有第三能带隙。第二能带隙小于第一能带隙和第三能带隙。

公开(公告)号：CN104051478A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201310422086.2

申请日：2013-09-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡双吉 ,  杨敦年 ,  刘人诚 ,  洪丰基 ,  林政贤 ,  庄俊杰 ,  高敏峰

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/1464 ,  H01L27/14692

Abstract: 本发明公开了一种制造图像传感器件（诸如BSI图像传感器）的方法和用此方法制造的图像传感器，其中，防止了BARC层中的电荷被金属屏蔽接地件中的相反电荷不期望的中和，从而减少暗电流并且提高器件的性能。图像传感器包括具有在与其正面相邻处形成的多个辐射传感器的衬底、形成在衬底背面上方的第一绝缘层、形成在第一绝缘层上方的BARC层、设置在BARC层上方的金属栅格、从金属栅格延伸进入衬底内以实现接地目的的一个或多个金属接地件以及设置在每一个金属接地件的侧壁与周围的BARC层之间的侧壁绝缘层。侧壁绝缘层使金属接地件与周围的BARC层电隔离。